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半導体レーザーは共振器を持つレーザーであるため、LEDとは異なりレーザー発振するための発振閾値電流を持っている。下記は半導体レーザーの光出力-電流特性を示す図である。 電流が 0〜I th Aの間は、半導体レーザーからは自然放出光が出ている（半導体表面やパッケージの窓での損失で光 ...

しかし、半導体レーザーでは、レーザー光の発生に必要な最小の電流値（閾値電流）が、温度が高くなると増えるなど、いくつかの課題も残されています。これらの課題を克服できるレーザーが、量子ドットレーザーです。生産技術研究所の

半導体レーザの問題点 光の増幅度が小さいとき発振させるためには、大きなしきい値電流を必要とする。 そして、しきい値電流密度は、温度上昇とともに大きくなる。 すなわち、pn接合に電流を流して、キャリアを注入すると接合部での

レーザー発振＜注入電流-光出力 (I-L) 特性＞ : レーザーダイオードは増幅することで得られた利得が内部損失とミラー損失を上回ると発振します。 すなわち発振電流閾値が存在します。レーザーダイオードの注入電流－光出力 (I-L) 特性から、最大出力はキンク（電流-光出力直線の折れ曲がり ...

半導体レーザー 発振しきい値 定常状態 ph 0 0 1 ( ) ( ) τ a G n g n n ph ( ) d d τ S G n S t S − 0 0 ph th 1 n g n a + Γ τ 0 d d t S 5 sp 10 β ≈ − 22 半導体レーザー ...

の層を障壁層と呼ぶ.量 子井戸レーザーは1975年 にMBE によって実現された32,33)が,0.25kA/cm2と 低いしきい電流 Fig. 6.2 Layer structure of quantum well lasers. 第29巻 第10号 半導体レーザーの基礎III 683

半導体レーザーの基礎I 須崎 渉 大阪電気通信大学(〒572-8530寝 屋川市初町18-8) Fundamentals of Semiconductor Lasers I Wataru SUSAKI Osaka Electro-Communication University, 18-8 Hatsu-Cho, Neyagawa 572-8530 1.

半導体レーザーが閾値電流を超えると半値全幅が狭くなるのはなぜなのでしょうか。 自分は閾値電流を超えることでレーザーの単色という性質が強く出て、その色の波長の光強度が強くなることが一因かと考えてます。 それは...

「しきい値電流」はレーザーが発振開始する電流 これは、概ねこの理解で良いです。 つまり、①の例で言えば普通60mA以上の電流を流さないと、LDは正しく動作しません。 製品のバラツキ環境等を考慮しても、80mA以上流せば全てのLDは動作します。

注入電流に対する光出力の強度変化を調べたとき、LEDと半導体レーザをグラフにしたときにLEDはなぜ、しきい値がでないのか？半導体レーザはしきい値の時大きく変化するのか教えてください。それは半導体レーザ(LD)の仕組みを理解すること

半導体レーザーは共振器を持つレーザーであるため、LEDとは異なりレーザー発振するための発振閾値電流を持っている。下記は半導体レーザーの光出力-電流特性を示す図である。 電流が 0〜I th Aの間は、半導体レーザーからは自然放出光が出ている（半導体表面やパッケージの窓での損失で光 ...

しかし、半導体レーザーでは、レーザー光の発生に必要な最小の電流値（閾値電流）が、温度が高くなると増えるなど、いくつかの課題も残されています。これらの課題を克服できるレーザーが、量子ドットレーザーです。生産技術研究所の

半導体レーザの問題点 光の増幅度が小さいとき発振させるためには、大きなしきい値電流を必要とする。 そして、しきい値電流密度は、温度上昇とともに大きくなる。 すなわち、pn接合に電流を流して、キャリアを注入すると接合部での

レーザー発振＜注入電流-光出力 (I-L) 特性＞ : レーザーダイオードは増幅することで得られた利得が内部損失とミラー損失を上回ると発振します。 すなわち発振電流閾値が存在します。レーザーダイオードの注入電流－光出力 (I-L) 特性から、最大出力はキンク（電流-光出力直線の折れ曲がり ...

半導体レーザー 発振しきい値 定常状態 ph 0 0 1 ( ) ( ) τ a G n g n n ph ( ) d d τ S G n S t S − 0 0 ph th 1 n g n a + Γ τ 0 d d t S 5 sp 10 β ≈ − 22 半導体レーザー ...

の層を障壁層と呼ぶ.量 子井戸レーザーは1975年 にMBE によって実現された32,33)が,0.25kA/cm2と 低いしきい電流 Fig. 6.2 Layer structure of quantum well lasers. 第29巻 第10号 半導体レーザーの基礎III 683

半導体レーザーの基礎I 須崎 渉 大阪電気通信大学(〒572-8530寝 屋川市初町18-8) Fundamentals of Semiconductor Lasers I Wataru SUSAKI Osaka Electro-Communication University, 18-8 Hatsu-Cho, Neyagawa 572-8530 1.

半導体レーザーが閾値電流を超えると半値全幅が狭くなるのはなぜなのでしょうか。 自分は閾値電流を超えることでレーザーの単色という性質が強く出て、その色の波長の光強度が強くなることが一因かと考えてます。 それは...

「しきい値電流」はレーザーが発振開始する電流 これは、概ねこの理解で良いです。 つまり、①の例で言えば普通60mA以上の電流を流さないと、LDは正しく動作しません。 製品のバラツキ環境等を考慮しても、80mA以上流せば全てのLDは動作します。

注入電流に対する光出力の強度変化を調べたとき、LEDと半導体レーザをグラフにしたときにLEDはなぜ、しきい値がでないのか？半導体レーザはしきい値の時大きく変化するのか教えてください。それは半導体レーザ(LD)の仕組みを理解すること

閾値電流（threshold current）とは、半導体レーザ（レーザダイオード: LD）のパラメータの1つです。半導体レーザに流す電流と出力光強度の関係をグラフにすると、ある一定の電流値Ithまでは出力光強度はほとんど増加せず、Ith ...

半導体レーザのI－L特性は図49－1のようにしきい電流値を境に折れ曲がっているので、オフの場合の電流値の設定が重要です。I＝0に設定してしまうと少し電流を増加させても光出力が小さいままです。オフの場合の電流をしきい

しきい値電流 ITH Fig.2において、Aは自然発光領域、Bはレーザー発振領域に区別されます。レーザー発振を開始する電流値がしきい値電流です。動作電流 IOP 定められた光出力を出すときに必要な順方向電流です。

GaAs-Ga1-xA1xAsダ ブルヘテロ接合により半導体レ ーザーのしきい電流密度が大幅に引き下げられ室温連続 発振が達成されたが,こ のような半導体レーザーの著し い特性改善はFig. 1 (a)の素子構造(broad contact形)

半導体レーザ(レーザーダイオード)とは 半導体レーザ（LD:Laser Diode)とは、半導体に電流を流してレーザ発振させる素子です。そのままレーザーダイオードという名称を用いることも多く、半導体レーザー・レーザーダイオードそれぞれの名称で商品展開されていますがどちらも同じものです。

薄い活性層により低しきい値を実現し、光ガイド層により光を閉じ込めるという役割分担をした構造です。最近の半導体レーザでは非常に薄い活性層と光ガイド層を組み合わせて低しきい電流を実現したものが主流になっているように思います。

レーザーダイオードの「しきい値電流」と「動作電流」ついて教えて下さい LDのデータシートをみていると、「しきい値電流」と「動作電流」という項目があります。 「しきい値電流」というのはそのLDが発振を始める電流の範囲と理解していましたが、、「動作電流」の意味がよく分かりませ ...

1 6.1半導体レーザー(LD: Laser diode) 【 III-V族半導体レーザーの特徴】 2 ・小型／電流制御／共振器 ・寸法： 長さ300 μm，幅300 μm ，厚さ80 μm インジウム-リン(InP)： 波長が1.3 μm や1.5 μm ガリウム-ヒ素(GaAs)： 波長が0.7

ストライプレーザ. これは、Znを拡散させることによって、できる限り、この部分に垂直な方向にのみ電流を流すようにするための物である。. こうすることによって、しきい値電流密度を高くし、しきい値電流自体を著しく低下することができる ...

半導体薄膜レーザでは、クラッド層に低屈折材料を用いた強い光閉じ込め効果により極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、コア層厚450 nm、共振器長300 µmの半導体薄膜DFBレーザを試作し、しきい値電流値11 mA

レーザーの発振しきい値を下げるための具体的な対策について述べよ。 ?最初の半導体レーザはホモ接合のレーザだが、レーザGaAs 発振に必要な最低電流密度であるしきい値がきわめて高かった。その後、光を導波路中に閉じ込める様々な努力、ストライプ状の電極にする方法、AlGaAs とGaAs の ...

の研究がなされ8〉,しきい値電流の低い半導体レーザが開発されてきた･ 半導体レーザ発展の鍵となったGaA$レーザでは,レーザの発振波長は,通常 0.8-0.9〝mである.光ファイバ通信用光源としては,1.1-1.6〟m波長 の長波長帯半導体 板に ...

しきい値電流は2.5 kA/cm2に下がり、室温CW動作を世界で初めて達成した。 光ファイバの本格的な研究は1960年代前半に始まったが、当時は減衰量が大きくて実用化には至らなかった。

半導体レーザのしきい値電流は温度依存性が大きいアル自身も同様ので、定電流駆動だと、高温で発振しなくなったり、逆に低温では光出力が大きくなりすぎて削除最大定格を超えてしまうことがあるので、温度が変わっても一定の光出力が得られる。

と長波長帯のInPを基板とする波長1.3μmの半導体レーザ の電流対光出力特性の典型的な温度依存性を図-1に示す。図から分かるように温度特性に大きな違いがある。1.3μm 帯のレーザの方がしきい値電流の温度依存性が大きく， また電流 ...

半導体レーザのしきい値電流はどこまで下げられるのか 小山 二三夫 , 伊賀 健一 電子情報通信学会誌 00080(00010), 1024-1026, 1997-10-25

半導体レーザ 【要約】 【目的】 低しきい値電流、単一モード発振可能でかつ長寿命な半導体レーザを提供する。【構成】 n型GaAs基板1表面にp型GaAs狭窄層2を形成する。その上にn型ZnSe層3、n型ZnMgSSeクラッド層4、ZnSSe光閉じこめ層5aとZnCdSe量子井戸型層5bとZnSSe光閉じこめ層5cからなる活性層5、p型 ...

半導体レーザ 【要約】 【目的】低しきい値化及び製造プロセスの簡略・安定化を達成することができるのは勿論のこと、活性層上に積層される第3クラッド層を介して漏れ電流が生じるのを確実に防止可能な半導体レーザを提供することを目的とする。

半導体レーザーは共振器を持つレーザーであるため、LEDとは異なりレーザー発振するための発振閾値電流を持っている。下記は半導体レーザーの光出力-電流特性を示す図である。 電流が 0〜I th Aの間は、半導体レーザーからは自然放出光が出ている（半導体表面やパッケージの窓での損失で光 ...

しかし、半導体レーザーでは、レーザー光の発生に必要な最小の電流値（閾値電流）が、温度が高くなると増えるなど、いくつかの課題も残されています。これらの課題を克服できるレーザーが、量子ドットレーザーです。生産技術研究所の

半導体レーザの問題点 光の増幅度が小さいとき発振させるためには、大きなしきい値電流を必要とする。 そして、しきい値電流密度は、温度上昇とともに大きくなる。 すなわち、pn接合に電流を流して、キャリアを注入すると接合部での

レーザー発振＜注入電流-光出力 (I-L) 特性＞ : レーザーダイオードは増幅することで得られた利得が内部損失とミラー損失を上回ると発振します。 すなわち発振電流閾値が存在します。レーザーダイオードの注入電流－光出力 (I-L) 特性から、最大出力はキンク（電流-光出力直線の折れ曲がり ...

半導体レーザー 発振しきい値 定常状態 ph 0 0 1 ( ) ( ) τ a G n g n n ph ( ) d d τ S G n S t S − 0 0 ph th 1 n g n a + Γ τ 0 d d t S 5 sp 10 β ≈ − 22 半導体レーザー ...

の層を障壁層と呼ぶ.量 子井戸レーザーは1975年 にMBE によって実現された32,33)が,0.25kA/cm2と 低いしきい電流 Fig. 6.2 Layer structure of quantum well lasers. 第29巻 第10号 半導体レーザーの基礎III 683

半導体レーザーの基礎I 須崎 渉 大阪電気通信大学(〒572-8530寝 屋川市初町18-8) Fundamentals of Semiconductor Lasers I Wataru SUSAKI Osaka Electro-Communication University, 18-8 Hatsu-Cho, Neyagawa 572-8530 1.

半導体レーザーが閾値電流を超えると半値全幅が狭くなるのはなぜなのでしょうか。 自分は閾値電流を超えることでレーザーの単色という性質が強く出て、その色の波長の光強度が強くなることが一因かと考えてます。 それは...

「しきい値電流」はレーザーが発振開始する電流 これは、概ねこの理解で良いです。 つまり、①の例で言えば普通60mA以上の電流を流さないと、LDは正しく動作しません。 製品のバラツキ環境等を考慮しても、80mA以上流せば全てのLDは動作します。

注入電流に対する光出力の強度変化を調べたとき、LEDと半導体レーザをグラフにしたときにLEDはなぜ、しきい値がでないのか？半導体レーザはしきい値の時大きく変化するのか教えてください。それは半導体レーザ(LD)の仕組みを理解すること

閾値電流（threshold current）とは、半導体レーザ（レーザダイオード: LD）のパラメータの1つです。半導体レーザに流す電流と出力光強度の関係をグラフにすると、ある一定の電流値Ithまでは出力光強度はほとんど増加せず、Ith ...

半導体レーザのI－L特性は図49－1のようにしきい電流値を境に折れ曲がっているので、オフの場合の電流値の設定が重要です。I＝0に設定してしまうと少し電流を増加させても光出力が小さいままです。オフの場合の電流をしきい

しきい値電流 ITH Fig.2において、Aは自然発光領域、Bはレーザー発振領域に区別されます。レーザー発振を開始する電流値がしきい値電流です。動作電流 IOP 定められた光出力を出すときに必要な順方向電流です。

GaAs-Ga1-xA1xAsダ ブルヘテロ接合により半導体レ ーザーのしきい電流密度が大幅に引き下げられ室温連続 発振が達成されたが,こ のような半導体レーザーの著し い特性改善はFig. 1 (a)の素子構造(broad contact形)

半導体レーザ(レーザーダイオード)とは 半導体レーザ（LD:Laser Diode)とは、半導体に電流を流してレーザ発振させる素子です。そのままレーザーダイオードという名称を用いることも多く、半導体レーザー・レーザーダイオードそれぞれの名称で商品展開されていますがどちらも同じものです。

薄い活性層により低しきい値を実現し、光ガイド層により光を閉じ込めるという役割分担をした構造です。最近の半導体レーザでは非常に薄い活性層と光ガイド層を組み合わせて低しきい電流を実現したものが主流になっているように思います。

レーザーダイオードの「しきい値電流」と「動作電流」ついて教えて下さい LDのデータシートをみていると、「しきい値電流」と「動作電流」という項目があります。 「しきい値電流」というのはそのLDが発振を始める電流の範囲と理解していましたが、、「動作電流」の意味がよく分かりませ ...

1 6.1半導体レーザー(LD: Laser diode) 【 III-V族半導体レーザーの特徴】 2 ・小型／電流制御／共振器 ・寸法： 長さ300 μm，幅300 μm ，厚さ80 μm インジウム-リン(InP)： 波長が1.3 μm や1.5 μm ガリウム-ヒ素(GaAs)： 波長が0.7

ストライプレーザ. これは、Znを拡散させることによって、できる限り、この部分に垂直な方向にのみ電流を流すようにするための物である。. こうすることによって、しきい値電流密度を高くし、しきい値電流自体を著しく低下することができる ...

半導体薄膜レーザでは、クラッド層に低屈折材料を用いた強い光閉じ込め効果により極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、コア層厚450 nm、共振器長300 µmの半導体薄膜DFBレーザを試作し、しきい値電流値11 mA

レーザーの発振しきい値を下げるための具体的な対策について述べよ。 ?最初の半導体レーザはホモ接合のレーザだが、レーザGaAs 発振に必要な最低電流密度であるしきい値がきわめて高かった。その後、光を導波路中に閉じ込める様々な努力、ストライプ状の電極にする方法、AlGaAs とGaAs の ...

の研究がなされ8〉,しきい値電流の低い半導体レーザが開発されてきた･ 半導体レーザ発展の鍵となったGaA$レーザでは,レーザの発振波長は,通常 0.8-0.9〝mである.光ファイバ通信用光源としては,1.1-1.6〟m波長 の長波長帯半導体 板に ...

しきい値電流は2.5 kA/cm2に下がり、室温CW動作を世界で初めて達成した。 光ファイバの本格的な研究は1960年代前半に始まったが、当時は減衰量が大きくて実用化には至らなかった。

半導体レーザのしきい値電流は温度依存性が大きいアル自身も同様ので、定電流駆動だと、高温で発振しなくなったり、逆に低温では光出力が大きくなりすぎて削除最大定格を超えてしまうことがあるので、温度が変わっても一定の光出力が得られる。

と長波長帯のInPを基板とする波長1.3μmの半導体レーザ の電流対光出力特性の典型的な温度依存性を図-1に示す。図から分かるように温度特性に大きな違いがある。1.3μm 帯のレーザの方がしきい値電流の温度依存性が大きく， また電流 ...

半導体レーザのしきい値電流はどこまで下げられるのか 小山 二三夫 , 伊賀 健一 電子情報通信学会誌 00080(00010), 1024-1026, 1997-10-25

半導体レーザ 【要約】 【目的】 低しきい値電流、単一モード発振可能でかつ長寿命な半導体レーザを提供する。【構成】 n型GaAs基板1表面にp型GaAs狭窄層2を形成する。その上にn型ZnSe層3、n型ZnMgSSeクラッド層4、ZnSSe光閉じこめ層5aとZnCdSe量子井戸型層5bとZnSSe光閉じこめ層5cからなる活性層5、p型 ...

半導体レーザ 【要約】 【目的】低しきい値化及び製造プロセスの簡略・安定化を達成することができるのは勿論のこと、活性層上に積層される第3クラッド層を介して漏れ電流が生じるのを確実に防止可能な半導体レーザを提供することを目的とする。

しきい値電流 ITH Fig.2において、Aは自然発光領域、Bはレーザー発振領域に区別されます。レーザー発振を開始する電流値がしきい値電流です。動作電流 IOP 定められた光出力を出すときに必要な順方向電流です。

さらにシリコン基板上の波長1.5μm帯半導体レーザーしきい値電流密度は，化合物半導体上とほぼ同等の室温パルス発振を実現した。 これによって，シリコンプラットフォーム上に光源と多種多様なデバイスの集積が可能になるとともに，低コスト，大量生産可能な光集積回路の実現が期待 ...

LEDは電流が大きくなるにつれ光を放出します．半導体レーザーは電流が小さいときは自然放出のみで出力が小さいですが，あるしきい値を超えると誘導放出が急激に増えて，光出力が大きくなります．半導体レーザーのスペクトル形状を見ると，しきい値以下だと自然発光のみでスペクトル形状 ...

しきい値電流は2.5 kA/cm2に下がり、室温CW動作を世界で初めて達成した。 光ファイバの本格的な研究は1960年代前半に始まったが、当時は減衰量が大きくて実用化には至らなかった。

半導体レーザ 【要約】 【目的】 しきい値電流と量子効率の温度依存性の減少した半導体レーザを提供する。【構成】 本半導体レーザには温度依存性を減少するために波長の増加とともに減少する損失を有するキャビティを付与する。

異種材料貼り合わせ技術により、シリコン基板上の半導体レーザーにおいて化合物半導体上と同等のしきい値電流密度を得ることに成功. 【本研究の成果】. シリコン基板上に、厚さ1μm程度の薄膜InP層を貼り合わせたテンプレート基板を作製。. 密接な接合に ...

2章 半導体レーザー（レーザーダイオード， LD ） （執筆者：西山伸彦） [2009 年2 月受領] 概要 半導体のバンド間による遷移により発光・光増幅を起こし，内部もしくは外部に作られた反 ...

半導体レーザーは1950年代の提案，60年代の先駆的研究ののち，62年に低温パルス発振の観測，70年に室温連続発振が達成された．その後，顕著な発展を遂げ，現在では代表的な光エレクトロニクスデバイスの一つとして，光 ...

発振しきい値電流Ithのデューティ比（通電パルス幅／パ ルス周期）依存性を示す。低いデューティ比ではIth＝77 mAであったが、デューティ比の上昇によりIthは増加傾 向を示した。これは、LDからの発熱で素子温度が上昇し たことに起因し

半導体レーザー（その二）. 2016年10月19日 カテゴリ： レーザー講座. サブジャンル：宮崎大学名誉教授 黒澤宏のレーザー講座 第17回 著者：黒澤 宏 連載シリーズ. ウエハーの上表面と下表面に反射層を堆積させるか，場合によっては反射構造を持つ半導体の ...

GaAs-Ga1-xA1xAsダ ブルヘテロ接合により半導体レ ーザーのしきい電流密度が大幅に引き下げられ室温連続 発振が達成されたが,こ のような半導体レーザーの著し い特性改善はFig. 1 (a)の素子構造(broad contact形)

電流 Ith 下図において、Aは自然発光領域、Bはレーザ発振領域に区別できますが、発振開始電流はレーザ発振を開始する電流値の事で、しきい値電流とも言います。 動作電流 Iop 規定の光出力を保つために必要な順方向電流です。

トップページ／ニュース 世界最小しきい値電流密度「トンネル接合GaN レーザー」を開発 ～高効率GaN 青色レーザー基盤技術のひとつを実証 理工学部材料機能工学科の竹内哲也教授（光デバイス研究センター長）らの研究 ...

レーザー技術・サポート情報. 半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。. また、よくあるご質問と回答を掲載しています。. ご検討、ご使用の際にご一読ください。. 技術 ...

電子材料学 第十四回 光半導体デバイス－2 半導体レーザー 小山 裕 【自然放出と誘導放出】 半導体の発光素子・発光ダイオード（LED）の発光強度を 高める工夫に、ヘテロ構造の採用があります。これは、注 入した電子とホールの閉じ込めと、発生した光の閉じ込め

うに,しきい電流イ直が連続発振の限界i且度に大きく影響して いる｡しきい電i売値が30mA以下の素子では,連続動作の限界 温度が～100 となる｡図2に示したように,しきい電流値 40 110 100 60 70 27 40 50 20 0 (-3空\≧∈

もちろん、光半導体もこの静電気で故障してしまいますが、光半導体は光が原因でも故障してしまいます。. 光による故障についてもう少しだけ詳しく説明します。. 少し難しい話をしますと、発光素子である半導体レーザーダイオード (LD)は電流を ...

は、半導体レーザの電流を増減し動作させ、フォトダイオードの電圧から光の出力 を確認することで計測する。始めは自然発光で少しずつ光出力を増していくが、レ ーザが発光し始めるしきい値電流Ith（発振開始電流）を超えるとレーザ発振が

しきい値電流に達するまで発振しないことから，低消費電力化や発熱量低減に役立つ。さらに高速化にも有効という。この技術を用いた半導体レーザの消費電力は，現在実用化されている外部変調型の半導体レーザの8Wに対して，2W程度

の低しきい値電流密度化が他機関のMOCVD成長6)， 7)と我々の GSMBE 成長8)，9)により報告されている。光利得は（f c-fv）に比 例し，2 つの項に分解することができる。ここで fc（v）は電子 （ホール）に対するフェルミディラック関数

流軸の交点で定義する (図3.3参照)。 さらに「可視光半導体レーザーの初期特性に関するガイド ライン（デバイス編）」（VLD-GD 4-1）記載のしきい値電流の定義に準じて平均しきい値電流を 定義してもよい。いずれの定義を使用する場合

その他 ：半導体レーザー 回折格子、 、 原子 実験装置の概要 使用する半導体レーザーは日立製 である。表 にその特性を列挙する。項目 典型値 発振波長 最大光出力 動作電流 しきい値電流 動作温度範囲 ～

種類 レーザー素子、光エレクトロニクス 動作原理 レーザー 発明 伊賀健一（1977年） 商品化 ハネウェル（1995年) ピン配置 垂直共振器型面発光レーザー（すいちょくきょうしんきがためんはっこうレーザー、英: Vertical Cavity Surface Emitting Laser ）またはVCSEL（ヴィクセル）は、半導体レーザーの ...

通常、半導体レーザのしきい値電流は温度の上昇に伴い、増加します。その増加の割合は以下の式で表わされます。 この時のT 0 を特性温度と呼びます。特性温度が高いほど、半導体レーザのしきい値電流の増加は抑えられます。

通信用LSI工学特論 第1回 半導体デバイスの基礎 電気電子工学専攻 大畠賢一 1半導体の電気伝導性 導体と絶縁体の中間程度の 抵抗率を有する物質 → 半導体 J n qnv n L V v n P n E P n L V J n qn P n n n qn qn P U V P 1 不純物や ...

レーザー技術・サポート情報. 半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。. また、よくあるご質問と回答を掲載しています。. ご検討、ご使用の際にご一読ください。. 技術 ...

しきい値侎流密侢で、多数のデバイス からの分布期間構造俪性に大きな感侢 がある｡これは、この目標に向けて遅々 ... 電流励起型有機ダイオードレーザの実現 半導体レーザ world news SiO2 DFB グレー ティング 有機物 アノード ITO ...

レーザー動作に必要な電流密度は1.6 kA/cm2であり、これまでに報告されたトンネル接合GaNレーザーとして最も低い値を実現しました（左下図）。. このトンネル接合GaNレーザー層構造は、生産性が高い有機金属化合物成長装置（MOVPE装置）1種類のみで形成され ...

高効率高出力半導体レーザ 23 て導電性キャリアの濃度を高めることが有効である．そ の一方で光フィールド内の導電性キャリアの増加は光の 吸収による導波ロスを増加させるトレードオフがある． したがって高いPCEを実現するためにはレーザ構造中の

半導体レーザー 自然放出について 注入電流に対する光出力の強度変化を調べたとき、しきい値以上では誘導放出により、注入電流と光出力が線形に比例することがわかっています。 一方、しきい値以下の自然放出では、光出力は注入電流に線形に比例するようには見えません。

半導体レーザー 【要約】 【目的】 内部ストライプ構造を有する半導体レーザーにおいて、しきい値電流及び動作電流を大幅に低減させるとともに、レーザー構造を形成する層のエピタキシャル成長に要する時間を短くし、成長原料の消費量も少なくする。

半導体レーザ（LD）について LDはレーザーダイオード（Laser Diode）を指しており、「半導体レーザ」とも呼ばれる光源のことです。 LDが発光するためには、まずは半導体素子への「電流」の供給が必要です。 LDはレーザ発振（光の共振 ...

・ しきい値電流 ： 7 mA ・ 発振波長 ： 1.31 mm ・ 素子抵抗 ： 17 W ・ しきい値電流密度 ： 373 A/cm-2 ・ スロープ効率 ： 0.045 W/A へき開かつ1mm以下の共振器構造で，しきい値電流10mA以下を初めて実現

しきい値電流 Ith 70 60mA 動作電流 Iop P0＝120mW 190 P0＝150mW 240 mA 動作電圧 Vop P0＝120mW 2.4 P0＝150mW 2.4 V 発振波長 λ P0＝120mW 661 P0＝150mW 785 nm 水平放射角 θ P0＝120mW 9.5 P0＝150mW 9

「しきい値電流密度が低い無極性面の半導体レーザを開発した。現在，HD DVD装置やBlu-ray Disc装置などで利用されているc面（極性面）を利用した青紫色半導体レーザよりも，低消費電力で長寿命になる」（中村氏）と説明する。

1960 年の後半に入り、GaAs をはじめ、InP、InAs など多くの半導体に関するレーザの開発が活 発化していたが、室温でのしきい値電流密度が数万A/cm2 と極めて高く、マイクロ波以下の幅の パルスでしか使えないといった課題に直面して

ドレイン電流（mA） 22 浅いしきい値 MMC HEMTのしきい値制御 囲い込み電界効果 ポテンシャル分布 入出力特性の制御 0 eV 4.0 eV V G -2.5 V GaN AlGaN 60 nm d 50 nm 70 nm 閉じ込められた 電子層 Ä Ð Ú

文献「長波長半導体レーザのしきい値電流の温度感度に対する新しい洞察」の詳細情報です。J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しいサービスです。

今回作製した素子の電流対光出力（L-I）特性を図1に示す。動作温度は，それぞれ25, 45, 65, 85 である。この結果，しき い値電流は，25 で7.9 mA，85 で20 mAが得られ，25 で のしきい値電流密度は，約1.5 kA/cm2となり

【要約】【課題】 無効電流の低減化が図られた動作電流およびしきい値電流が低くかつ発光効率の高い半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100においては、サファイア基板1上にバッファ層2、n-コンタクト層3、n-光クラッド層4、n-光ガイド層5、発光層6、p ...

レーザー ダイオード バー Water Tubes 図7：代表的 な高出力積層 レ ーザダ イオ ド パッケ ジ を 示す概略図。電気光学的特性 しきい 電流値 としきい 電流値密度 レーザダイオード の測定 すべき 最も重要 なパラ メータ は、 電流 が素子 に

井戸半導体レーザを試作した．0.92 kA/cm2 (22qC)の低しきい値電流密度と205 K (22 - 80 qC)の高 い特性温度の両立を初めて実現した．また，1.3 Pm帯GaInNAs レーザでは最高温度となる170qC

大容量光伝送・光情報処理における出射ビーム制御低発振しきい値半導体レーザー Project/Area Number 24560429 Research Institution Ritsumeikan University Principal Investigator 沼居 貴陽 立命館大学, 理工学部, 教授 (60261351)

半導体レーザのしきい値電流は温度依存性が大きいアル自身も同様ので、定電流駆動だと、高温で発振しなくなったり、逆に低温では光出力が大きくなりすぎて削除最大定格を超えてしまうことがあるので、温度が変わっても一定の光出力が得られる。

シャープは、業界最高の光出力130mWを実現した緑色半導体レーザ 2モデル＜GH0521DA2G／GH0521DA5G＞の量産を、本年10月より開始します。 半導体レーザは、ヘッド・アップ・ディスプレイ(HUD) ※2 やヘッド・マウント・ディスプレイ(HMD) ※3 など、レーザディスプレイの光源として活用の幅が拡がって ...

10 東芝レビューVol.60 No.1（2005） 前述の構造による青紫色半導体レーザの電流－光出力特 性の温度依存性と電流－電圧特性の例を図3に示す。25 において，しきい電流（Ith）は39mA，50mW連続発振時の 動作電流（Iop）は73mAであった。 ...

2.5 レーザのしきい値と定常状態利得 2.6 しきい値電流と出力パワー対駆動電流 2.6.1 基本的なP-I特性 2.6.2 利得モデルとそれを用いるレーザ設計 2.7 緩和共振と周波数応答 2.8 半導体レーザの特性評価 2.8.1 平面型レーザの内部

半導体レーザーの分野に明るい人に質問させていただきます。量子効率と、量子微分効率とでははどこがどのように違うのでしょうか？また、レーザーの出力の効率を表すのに微分量子効率が用いられているのは何故なので…

18．半導体レーザの最初の動作確認（その2） つぎに1962年の4つの研究機関の中でもっとも発表が早かったGE者の特許を少し読んでみましょう。すでに触れたように、このGE社の特許は日本には出願されていませんので、アメリカ特許3245002号を見ます。

半導体レーザーの出射ビームを単峰化した状態で高光出力化するとともに発振しきい電流を低減することを目的として、結合光導波路を備えたリッジ型半導体レーザー、選択的絶縁体クラッド層を有するリッジ型半導体レーザー、および共振器の

半導体レーザーは共振器を持つレーザーであるため、LEDとは異なりレーザー発振するための発振閾値電流を持っている。下記は半導体レーザーの光出力-電流特性を示す図である。 電流が 0〜I th Aの間は、半導体レーザーからは自然放出光が出ている（半導体表面やパッケージの窓での損失で光 ...

しかし、半導体レーザーでは、レーザー光の発生に必要な最小の電流値（閾値電流）が、温度が高くなると増えるなど、いくつかの課題も残されています。これらの課題を克服できるレーザーが、量子ドットレーザーです。生産技術研究所の

半導体レーザの問題点 光の増幅度が小さいとき発振させるためには、大きなしきい値電流を必要とする。 そして、しきい値電流密度は、温度上昇とともに大きくなる。 すなわち、pn接合に電流を流して、キャリアを注入すると接合部での

レーザー発振＜注入電流-光出力 (I-L) 特性＞ : レーザーダイオードは増幅することで得られた利得が内部損失とミラー損失を上回ると発振します。 すなわち発振電流閾値が存在します。レーザーダイオードの注入電流－光出力 (I-L) 特性から、最大出力はキンク（電流-光出力直線の折れ曲がり ...

半導体レーザー 発振しきい値 定常状態 ph 0 0 1 ( ) ( ) τ a G n g n n ph ( ) d d τ S G n S t S − 0 0 ph th 1 n g n a + Γ τ 0 d d t S 5 sp 10 β ≈ − 22 半導体レーザー ...

の層を障壁層と呼ぶ.量 子井戸レーザーは1975年 にMBE によって実現された32,33)が,0.25kA/cm2と 低いしきい電流 Fig. 6.2 Layer structure of quantum well lasers. 第29巻 第10号 半導体レーザーの基礎III 683

半導体レーザーの基礎I 須崎 渉 大阪電気通信大学(〒572-8530寝 屋川市初町18-8) Fundamentals of Semiconductor Lasers I Wataru SUSAKI Osaka Electro-Communication University, 18-8 Hatsu-Cho, Neyagawa 572-8530 1.

半導体レーザーが閾値電流を超えると半値全幅が狭くなるのはなぜなのでしょうか。 自分は閾値電流を超えることでレーザーの単色という性質が強く出て、その色の波長の光強度が強くなることが一因かと考えてます。 それは...

「しきい値電流」はレーザーが発振開始する電流 これは、概ねこの理解で良いです。 つまり、①の例で言えば普通60mA以上の電流を流さないと、LDは正しく動作しません。 製品のバラツキ環境等を考慮しても、80mA以上流せば全てのLDは動作します。

注入電流に対する光出力の強度変化を調べたとき、LEDと半導体レーザをグラフにしたときにLEDはなぜ、しきい値がでないのか？半導体レーザはしきい値の時大きく変化するのか教えてください。それは半導体レーザ(LD)の仕組みを理解すること

閾値電流（threshold current）とは、半導体レーザ（レーザダイオード: LD）のパラメータの1つです。半導体レーザに流す電流と出力光強度の関係をグラフにすると、ある一定の電流値Ithまでは出力光強度はほとんど増加せず、Ith ...

半導体レーザのI－L特性は図49－1のようにしきい電流値を境に折れ曲がっているので、オフの場合の電流値の設定が重要です。I＝0に設定してしまうと少し電流を増加させても光出力が小さいままです。オフの場合の電流をしきい

しきい値電流 ITH Fig.2において、Aは自然発光領域、Bはレーザー発振領域に区別されます。レーザー発振を開始する電流値がしきい値電流です。動作電流 IOP 定められた光出力を出すときに必要な順方向電流です。

GaAs-Ga1-xA1xAsダ ブルヘテロ接合により半導体レ ーザーのしきい電流密度が大幅に引き下げられ室温連続 発振が達成されたが,こ のような半導体レーザーの著し い特性改善はFig. 1 (a)の素子構造(broad contact形)

半導体レーザ(レーザーダイオード)とは 半導体レーザ（LD:Laser Diode)とは、半導体に電流を流してレーザ発振させる素子です。そのままレーザーダイオードという名称を用いることも多く、半導体レーザー・レーザーダイオードそれぞれの名称で商品展開されていますがどちらも同じものです。

薄い活性層により低しきい値を実現し、光ガイド層により光を閉じ込めるという役割分担をした構造です。最近の半導体レーザでは非常に薄い活性層と光ガイド層を組み合わせて低しきい電流を実現したものが主流になっているように思います。

レーザーダイオードの「しきい値電流」と「動作電流」ついて教えて下さい LDのデータシートをみていると、「しきい値電流」と「動作電流」という項目があります。 「しきい値電流」というのはそのLDが発振を始める電流の範囲と理解していましたが、、「動作電流」の意味がよく分かりませ ...

1 6.1半導体レーザー(LD: Laser diode) 【 III-V族半導体レーザーの特徴】 2 ・小型／電流制御／共振器 ・寸法： 長さ300 μm，幅300 μm ，厚さ80 μm インジウム-リン(InP)： 波長が1.3 μm や1.5 μm ガリウム-ヒ素(GaAs)： 波長が0.7

ストライプレーザ. これは、Znを拡散させることによって、できる限り、この部分に垂直な方向にのみ電流を流すようにするための物である。. こうすることによって、しきい値電流密度を高くし、しきい値電流自体を著しく低下することができる ...

半導体薄膜レーザでは、クラッド層に低屈折材料を用いた強い光閉じ込め効果により極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、コア層厚450 nm、共振器長300 µmの半導体薄膜DFBレーザを試作し、しきい値電流値11 mA

レーザーの発振しきい値を下げるための具体的な対策について述べよ。 ?最初の半導体レーザはホモ接合のレーザだが、レーザGaAs 発振に必要な最低電流密度であるしきい値がきわめて高かった。その後、光を導波路中に閉じ込める様々な努力、ストライプ状の電極にする方法、AlGaAs とGaAs の ...

の研究がなされ8〉,しきい値電流の低い半導体レーザが開発されてきた･ 半導体レーザ発展の鍵となったGaA$レーザでは,レーザの発振波長は,通常 0.8-0.9〝mである.光ファイバ通信用光源としては,1.1-1.6〟m波長 の長波長帯半導体 板に ...

しきい値電流は2.5 kA/cm2に下がり、室温CW動作を世界で初めて達成した。 光ファイバの本格的な研究は1960年代前半に始まったが、当時は減衰量が大きくて実用化には至らなかった。

半導体レーザのしきい値電流は温度依存性が大きいアル自身も同様ので、定電流駆動だと、高温で発振しなくなったり、逆に低温では光出力が大きくなりすぎて削除最大定格を超えてしまうことがあるので、温度が変わっても一定の光出力が得られる。

と長波長帯のInPを基板とする波長1.3μmの半導体レーザ の電流対光出力特性の典型的な温度依存性を図-1に示す。図から分かるように温度特性に大きな違いがある。1.3μm 帯のレーザの方がしきい値電流の温度依存性が大きく， また電流 ...

半導体レーザのしきい値電流はどこまで下げられるのか 小山 二三夫 , 伊賀 健一 電子情報通信学会誌 00080(00010), 1024-1026, 1997-10-25

半導体レーザ 【要約】 【目的】 低しきい値電流、単一モード発振可能でかつ長寿命な半導体レーザを提供する。【構成】 n型GaAs基板1表面にp型GaAs狭窄層2を形成する。その上にn型ZnSe層3、n型ZnMgSSeクラッド層4、ZnSSe光閉じこめ層5aとZnCdSe量子井戸型層5bとZnSSe光閉じこめ層5cからなる活性層5、p型 ...

半導体レーザ 【要約】 【目的】低しきい値化及び製造プロセスの簡略・安定化を達成することができるのは勿論のこと、活性層上に積層される第3クラッド層を介して漏れ電流が生じるのを確実に防止可能な半導体レーザを提供することを目的とする。

しきい値電流 ITH Fig.2において、Aは自然発光領域、Bはレーザー発振領域に区別されます。レーザー発振を開始する電流値がしきい値電流です。動作電流 IOP 定められた光出力を出すときに必要な順方向電流です。

さらにシリコン基板上の波長1.5μm帯半導体レーザーしきい値電流密度は，化合物半導体上とほぼ同等の室温パルス発振を実現した。 これによって，シリコンプラットフォーム上に光源と多種多様なデバイスの集積が可能になるとともに，低コスト，大量生産可能な光集積回路の実現が期待 ...

LEDは電流が大きくなるにつれ光を放出します．半導体レーザーは電流が小さいときは自然放出のみで出力が小さいですが，あるしきい値を超えると誘導放出が急激に増えて，光出力が大きくなります．半導体レーザーのスペクトル形状を見ると，しきい値以下だと自然発光のみでスペクトル形状 ...

しきい値電流は2.5 kA/cm2に下がり、室温CW動作を世界で初めて達成した。 光ファイバの本格的な研究は1960年代前半に始まったが、当時は減衰量が大きくて実用化には至らなかった。

半導体レーザ 【要約】 【目的】 しきい値電流と量子効率の温度依存性の減少した半導体レーザを提供する。【構成】 本半導体レーザには温度依存性を減少するために波長の増加とともに減少する損失を有するキャビティを付与する。

異種材料貼り合わせ技術により、シリコン基板上の半導体レーザーにおいて化合物半導体上と同等のしきい値電流密度を得ることに成功. 【本研究の成果】. シリコン基板上に、厚さ1μm程度の薄膜InP層を貼り合わせたテンプレート基板を作製。. 密接な接合に ...

2章 半導体レーザー（レーザーダイオード， LD ） （執筆者：西山伸彦） [2009 年2 月受領] 概要 半導体のバンド間による遷移により発光・光増幅を起こし，内部もしくは外部に作られた反 ...

半導体レーザーは1950年代の提案，60年代の先駆的研究ののち，62年に低温パルス発振の観測，70年に室温連続発振が達成された．その後，顕著な発展を遂げ，現在では代表的な光エレクトロニクスデバイスの一つとして，光 ...

発振しきい値電流Ithのデューティ比（通電パルス幅／パ ルス周期）依存性を示す。低いデューティ比ではIth＝77 mAであったが、デューティ比の上昇によりIthは増加傾 向を示した。これは、LDからの発熱で素子温度が上昇し たことに起因し

半導体レーザー（その二）. 2016年10月19日 カテゴリ： レーザー講座. サブジャンル：宮崎大学名誉教授 黒澤宏のレーザー講座 第17回 著者：黒澤 宏 連載シリーズ. ウエハーの上表面と下表面に反射層を堆積させるか，場合によっては反射構造を持つ半導体の ...

GaAs-Ga1-xA1xAsダ ブルヘテロ接合により半導体レ ーザーのしきい電流密度が大幅に引き下げられ室温連続 発振が達成されたが,こ のような半導体レーザーの著し い特性改善はFig. 1 (a)の素子構造(broad contact形)

電流 Ith 下図において、Aは自然発光領域、Bはレーザ発振領域に区別できますが、発振開始電流はレーザ発振を開始する電流値の事で、しきい値電流とも言います。 動作電流 Iop 規定の光出力を保つために必要な順方向電流です。

トップページ／ニュース 世界最小しきい値電流密度「トンネル接合GaN レーザー」を開発 ～高効率GaN 青色レーザー基盤技術のひとつを実証 理工学部材料機能工学科の竹内哲也教授（光デバイス研究センター長）らの研究 ...

レーザー技術・サポート情報. 半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。. また、よくあるご質問と回答を掲載しています。. ご検討、ご使用の際にご一読ください。. 技術 ...

電子材料学 第十四回 光半導体デバイス－2 半導体レーザー 小山 裕 【自然放出と誘導放出】 半導体の発光素子・発光ダイオード（LED）の発光強度を 高める工夫に、ヘテロ構造の採用があります。これは、注 入した電子とホールの閉じ込めと、発生した光の閉じ込め

うに,しきい電流イ直が連続発振の限界i且度に大きく影響して いる｡しきい電i売値が30mA以下の素子では,連続動作の限界 温度が～100 となる｡図2に示したように,しきい電流値 40 110 100 60 70 27 40 50 20 0 (-3空\≧∈

もちろん、光半導体もこの静電気で故障してしまいますが、光半導体は光が原因でも故障してしまいます。. 光による故障についてもう少しだけ詳しく説明します。. 少し難しい話をしますと、発光素子である半導体レーザーダイオード (LD)は電流を ...

は、半導体レーザの電流を増減し動作させ、フォトダイオードの電圧から光の出力 を確認することで計測する。始めは自然発光で少しずつ光出力を増していくが、レ ーザが発光し始めるしきい値電流Ith（発振開始電流）を超えるとレーザ発振が

しきい値電流に達するまで発振しないことから，低消費電力化や発熱量低減に役立つ。さらに高速化にも有効という。この技術を用いた半導体レーザの消費電力は，現在実用化されている外部変調型の半導体レーザの8Wに対して，2W程度

の低しきい値電流密度化が他機関のMOCVD成長6)， 7)と我々の GSMBE 成長8)，9)により報告されている。光利得は（f c-fv）に比 例し，2 つの項に分解することができる。ここで fc（v）は電子 （ホール）に対するフェルミディラック関数

流軸の交点で定義する (図3.3参照)。 さらに「可視光半導体レーザーの初期特性に関するガイド ライン（デバイス編）」（VLD-GD 4-1）記載のしきい値電流の定義に準じて平均しきい値電流を 定義してもよい。いずれの定義を使用する場合

その他 ：半導体レーザー 回折格子、 、 原子 実験装置の概要 使用する半導体レーザーは日立製 である。表 にその特性を列挙する。項目 典型値 発振波長 最大光出力 動作電流 しきい値電流 動作温度範囲 ～

種類 レーザー素子、光エレクトロニクス 動作原理 レーザー 発明 伊賀健一（1977年） 商品化 ハネウェル（1995年) ピン配置 垂直共振器型面発光レーザー（すいちょくきょうしんきがためんはっこうレーザー、英: Vertical Cavity Surface Emitting Laser ）またはVCSEL（ヴィクセル）は、半導体レーザーの ...

通常、半導体レーザのしきい値電流は温度の上昇に伴い、増加します。その増加の割合は以下の式で表わされます。 この時のT 0 を特性温度と呼びます。特性温度が高いほど、半導体レーザのしきい値電流の増加は抑えられます。

通信用LSI工学特論 第1回 半導体デバイスの基礎 電気電子工学専攻 大畠賢一 1半導体の電気伝導性 導体と絶縁体の中間程度の 抵抗率を有する物質 → 半導体 J n qnv n L V v n P n E P n L V J n qn P n n n qn qn P U V P 1 不純物や ...

レーザー技術・サポート情報. 半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。. また、よくあるご質問と回答を掲載しています。. ご検討、ご使用の際にご一読ください。. 技術 ...

しきい値侎流密侢で、多数のデバイス からの分布期間構造俪性に大きな感侢 がある｡これは、この目標に向けて遅々 ... 電流励起型有機ダイオードレーザの実現 半導体レーザ world news SiO2 DFB グレー ティング 有機物 アノード ITO ...

レーザー動作に必要な電流密度は1.6 kA/cm2であり、これまでに報告されたトンネル接合GaNレーザーとして最も低い値を実現しました（左下図）。. このトンネル接合GaNレーザー層構造は、生産性が高い有機金属化合物成長装置（MOVPE装置）1種類のみで形成され ...

高効率高出力半導体レーザ 23 て導電性キャリアの濃度を高めることが有効である．そ の一方で光フィールド内の導電性キャリアの増加は光の 吸収による導波ロスを増加させるトレードオフがある． したがって高いPCEを実現するためにはレーザ構造中の

半導体レーザー 自然放出について 注入電流に対する光出力の強度変化を調べたとき、しきい値以上では誘導放出により、注入電流と光出力が線形に比例することがわかっています。 一方、しきい値以下の自然放出では、光出力は注入電流に線形に比例するようには見えません。

半導体レーザー 【要約】 【目的】 内部ストライプ構造を有する半導体レーザーにおいて、しきい値電流及び動作電流を大幅に低減させるとともに、レーザー構造を形成する層のエピタキシャル成長に要する時間を短くし、成長原料の消費量も少なくする。

半導体レーザ（LD）について LDはレーザーダイオード（Laser Diode）を指しており、「半導体レーザ」とも呼ばれる光源のことです。 LDが発光するためには、まずは半導体素子への「電流」の供給が必要です。 LDはレーザ発振（光の共振 ...

・ しきい値電流 ： 7 mA ・ 発振波長 ： 1.31 mm ・ 素子抵抗 ： 17 W ・ しきい値電流密度 ： 373 A/cm-2 ・ スロープ効率 ： 0.045 W/A へき開かつ1mm以下の共振器構造で，しきい値電流10mA以下を初めて実現

しきい値電流 Ith 70 60mA 動作電流 Iop P0＝120mW 190 P0＝150mW 240 mA 動作電圧 Vop P0＝120mW 2.4 P0＝150mW 2.4 V 発振波長 λ P0＝120mW 661 P0＝150mW 785 nm 水平放射角 θ P0＝120mW 9.5 P0＝150mW 9

「しきい値電流密度が低い無極性面の半導体レーザを開発した。現在，HD DVD装置やBlu-ray Disc装置などで利用されているc面（極性面）を利用した青紫色半導体レーザよりも，低消費電力で長寿命になる」（中村氏）と説明する。

1960 年の後半に入り、GaAs をはじめ、InP、InAs など多くの半導体に関するレーザの開発が活 発化していたが、室温でのしきい値電流密度が数万A/cm2 と極めて高く、マイクロ波以下の幅の パルスでしか使えないといった課題に直面して

ドレイン電流（mA） 22 浅いしきい値 MMC HEMTのしきい値制御 囲い込み電界効果 ポテンシャル分布 入出力特性の制御 0 eV 4.0 eV V G -2.5 V GaN AlGaN 60 nm d 50 nm 70 nm 閉じ込められた 電子層 Ä Ð Ú

文献「長波長半導体レーザのしきい値電流の温度感度に対する新しい洞察」の詳細情報です。J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しいサービスです。

今回作製した素子の電流対光出力（L-I）特性を図1に示す。動作温度は，それぞれ25, 45, 65, 85 である。この結果，しき い値電流は，25 で7.9 mA，85 で20 mAが得られ，25 で のしきい値電流密度は，約1.5 kA/cm2となり

【要約】【課題】 無効電流の低減化が図られた動作電流およびしきい値電流が低くかつ発光効率の高い半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100においては、サファイア基板1上にバッファ層2、n-コンタクト層3、n-光クラッド層4、n-光ガイド層5、発光層6、p ...

レーザー ダイオード バー Water Tubes 図7：代表的 な高出力積層 レ ーザダ イオ ド パッケ ジ を 示す概略図。電気光学的特性 しきい 電流値 としきい 電流値密度 レーザダイオード の測定 すべき 最も重要 なパラ メータ は、 電流 が素子 に

井戸半導体レーザを試作した．0.92 kA/cm2 (22qC)の低しきい値電流密度と205 K (22 - 80 qC)の高 い特性温度の両立を初めて実現した．また，1.3 Pm帯GaInNAs レーザでは最高温度となる170qC

大容量光伝送・光情報処理における出射ビーム制御低発振しきい値半導体レーザー Project/Area Number 24560429 Research Institution Ritsumeikan University Principal Investigator 沼居 貴陽 立命館大学, 理工学部, 教授 (60261351)

半導体レーザのしきい値電流は温度依存性が大きいアル自身も同様ので、定電流駆動だと、高温で発振しなくなったり、逆に低温では光出力が大きくなりすぎて削除最大定格を超えてしまうことがあるので、温度が変わっても一定の光出力が得られる。

シャープは、業界最高の光出力130mWを実現した緑色半導体レーザ 2モデル＜GH0521DA2G／GH0521DA5G＞の量産を、本年10月より開始します。 半導体レーザは、ヘッド・アップ・ディスプレイ(HUD) ※2 やヘッド・マウント・ディスプレイ(HMD) ※3 など、レーザディスプレイの光源として活用の幅が拡がって ...

10 東芝レビューVol.60 No.1（2005） 前述の構造による青紫色半導体レーザの電流－光出力特 性の温度依存性と電流－電圧特性の例を図3に示す。25 において，しきい電流（Ith）は39mA，50mW連続発振時の 動作電流（Iop）は73mAであった。 ...

2.5 レーザのしきい値と定常状態利得 2.6 しきい値電流と出力パワー対駆動電流 2.6.1 基本的なP-I特性 2.6.2 利得モデルとそれを用いるレーザ設計 2.7 緩和共振と周波数応答 2.8 半導体レーザの特性評価 2.8.1 平面型レーザの内部

半導体レーザーの分野に明るい人に質問させていただきます。量子効率と、量子微分効率とでははどこがどのように違うのでしょうか？また、レーザーの出力の効率を表すのに微分量子効率が用いられているのは何故なので…

18．半導体レーザの最初の動作確認（その2） つぎに1962年の4つの研究機関の中でもっとも発表が早かったGE者の特許を少し読んでみましょう。すでに触れたように、このGE社の特許は日本には出願されていませんので、アメリカ特許3245002号を見ます。

半導体レーザーの出射ビームを単峰化した状態で高光出力化するとともに発振しきい電流を低減することを目的として、結合光導波路を備えたリッジ型半導体レーザー、選択的絶縁体クラッド層を有するリッジ型半導体レーザー、および共振器の

しきい値電流が依存する20,41） ．たとえば，m面レーザー の場合，c軸方向に平行に導波路を形成した場合に低い しきい値電流が得られている40） ．これは高いゲインも寄 与しているが，へき開による端面が利用できることの効

また、半導体レーザーの電流−電圧特性の微係数 の変化に基づいて半導体レーザーの発振しきい値を測定 する。 (57)【要約】 【課題】 レーザー光の強度が小さいと発振しきい値の 測定精度が低く、最悪の場合はレーザー発振の有無を確 認できない。

また、しきい値電流は活性層体積に比例するため、活性層部分をエッチングして活性層体積を減らせたこの構造を用いることで、さらにしきい値電流を低減することが可能です。Fig.3に作製した素子の電流－光出力特性を示します。最低しきい

半導体薄膜レーザではこれまでに、光励起下において低しきい値動作が実証されていますが、 外部励起光が不要な電流注入動作の実現が重要な課題となります。 半導体薄膜レーザの電流注入動作に向けて、pn接合をクラッド層の上下で

Other 発振しきい値電流 Other 低しきい値化 Other αパラメータ Other 選択ドープ ... Other 出典：「極低しきい値半導体レーザの基礎研究」研究成果報告書 課題番号62550282(KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学 ...

GaAs-Ga1-xA1xAsダ ブルヘテロ接合により半導体レ ーザーのしきい電流密度が大幅に引き下げられ室温連続 発振が達成されたが,こ のような半導体レーザーの著し い特性改善はFig. 1 (a)の素子構造(broad contact形)

さらに、半導体薄膜レーザの極低しきい値動作の実現に向け、Be-ドープコンタクト層を導入したコア層厚450 nmを有する半導体薄膜レーザを試作し、しきい値電流値3.8 mAの低しきい値動作化に成功したのでご報告する。 （英）

多くのナノレーザーは、従来のマクロレーザーのように動作し、しきい値電流を示します。ただし、一部のデバイスでは、出力しきい値とポンプ電流の曲線を分析してレーザーのしきい値を決定することはできません。これは、対数目盛の直線

半導体薄膜レーザでは、クラッド層に低屈折材料を用いた強い光閉じ込め効果により極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、コア層厚450nm、共振器長300μmの半導体薄膜DFBレーザを試作し、しきい値電流値11mAの室温

半導体薄膜レーザでは、クラッド層に低屈折材料を用いた強い光閉じ込め効果により極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、コア層厚450nm、共振器長300μmの半導体薄膜DFBレーザを試作し、しきい値電流値11mAの室温

半導体レーザ（LD）について LDはレーザーダイオード（Laser Diode）を指しており、「半導体レーザ」とも呼ばれる光源のことです。 LDが発光するためには、まずは半導体素子への「電流」の供給が必要です。 LDはレーザ発振（光の共振 ...

Fig. 1に半導体レーザの構造を示す．MQW構造は 量子効果により，しきい値電流の低減、発光効率の向 上等の効果があるが，量子効果が現れ，良好な特性を 得るためには，①一つの井戸層の厚さを20nm程度以 下の薄膜で形成し，②

種類 レーザー素子、光エレクトロニクス 動作原理 レーザー 発明 伊賀健一（1977年） 商品化 ハネウェル（1995年) ピン配置 垂直共振器型面発光レーザー（すいちょくきょうしんきがためんはっこうレーザー、英: Vertical Cavity Surface Emitting Laser ）またはVCSEL（ヴィクセル）は、半導体レーザーの ...

・シリコン基板上の波長1.5μm帯半導体レーザー（写真1）しきい値電流密度が、化合物半導体上とほぼ同等の 室温パルス発振を実現（グラフ2）。上智大学理工学部機能創造理工学科の下村和彦教授らの研究チームは2017年9月、高

10 東芝レビューVol.60 No.1（2005） 前述の構造による青紫色半導体レーザの電流－光出力特 性の温度依存性と電流－電圧特性の例を図3に示す。25 において，しきい電流（Ith）は39mA，50mW連続発振時の 動作電流（Iop）は73mAであった。 ...

しきい値電流は、LDがレージングを開始する電流です。しきい 値判定手法の1つは、二次導関数手法です。この方法でのしきい 値は、光出力の二次導関数の最初の最大値として定義され、光測 定（L）に基づいて計算されます。これを、図

しきい値電流は7.8 µA、出力導波路上の光出力は最大9 µWが得られた。発振波長は、1567.8 nmであった。従来のInGaAs犠牲層を用いたレーザのしきい値電流は390 µAであり、InAlAsを犠牲層に用いることで、しきい値電流の大幅な低減

単1横モードで光出力5ミリW、しきい値電流25ミリA、動作電流35ミリA、動作可能温度マイナス10―プラス70度C、ビーム広がり角度水平8度、垂直30度、70度C5ミリW3000 時間保証。すでに赤色半導体レーザーで採用している歪補償

半導体レーザを光通信や光情報処理用光源として用いるには、単一モードで安定に発振する、しきい電流の低いものが要望される。それまでの半導体レーザは、ヘテロ接合と平行な方向の横モードが不安定で、しきい電流も高く、実用上の障害となっていた。

半導体レーザーはしきい値電流 レベルI th （例えば、ミリアンペアで表現される）を有する。もし該レーザーに印加される該駆動電流Iが該しきい値電流レベルI th より大きい場合はレーザービームが発射される。図1aは2つの曲線を 示し ...

用語解説：しきい値とは、なんですか？ 回答 デジタル表示のレーザセンサやファイバセンサにおいて、入光状態と非入光状態を区別する境目の値 のことを、しきい値と呼びます。 デジタルレーザセンサ HG-C1050 で具体的に説明します。

本研究は、極めて低い発振しきい値電流が得られるレーザとして、当該研究者らが提案している、ポテンシャル制御構造(POCO)レーザの動作特性の理論解析と設計方法の確立を目指してものである。本年度は、POCOレーザにおける発振しきい値電流の温度特性と、キャリア数や利得変動に伴う屈折 ...

発振しきい値電流を小さくして高効率化するためには、通常の半導体レーザでは低温で動作させることが効果的である。3. 定電流動作によるポンプゆらぎの抑圧 ポンプ電流を高周波領域まで定電流化するために、電源回路に直列抵抗を接続

InGaAsP/InP埋込みヘテロ形半導体レーザは,安定な構恭 本モード動作が可能であると同時に,しきい電流値は22mAと 低く,これまでの報告5)･6)のうち最低値を記鎚した｡臣l 素子構造 新しく開発した理込みヘテロ形長波長半導体レーザの構造

しきい値電流は4.4mAだった。 現在40Gbps動作のレーザー送信器は外部変調用の光変調器が必要であるため、部品点数が多く、低消費電力化や小型化 ...

しきい値を決定することが望ましい。 故障は，次の項目の特性変化として定義する。 − フォトダイオード暗電流又はレーザしきい値電流 − スロープ効率 − 順方向電圧 − 逆方向漏れ電流又は光出力スペクトル 判定基準を 表 B.7 に示す。

半導体レーザの発振波長を決める最も 基本的な物性定数である禁制帯幅が温度無依存化するという大きな特徴を有するビスマス (Bi) 系III-V 族半金属半導体混晶を用い、状態密度が離散化することによりしきい値電流が

半導体レーザーの利得の波長依存性はかなりゆるく沢山のモードが殆ど同じ利得を もっているが､発振するのはそのうちの一つのモードに限られている｡図1にダブル へテ｡型レーザーダイオードのいろいろな注入電流でのモードスペクトルを示す

[5] しきい値電流 半導体レーザに電流を加えていった場合に、レーザ発振を開始しはじめる電流値のことです。機器の低消費電力化を実現するために、しきい値電流の低減が強く求められています。 [6] μW（マイクロワット）

top / 一覧に戻る / しきい値 しきい値 半導体レーザーで、レーザー光が出始めるぎりぎりの電流値です。 >> さらに詳細な情報はこちら 松下電器が新開発した紫色半導体レーザー 半導体が支えるマルチメディアの世界 ...

【要約】【課題】 無効電流の低減化が図られた動作電流およびしきい値電流が低くかつ発光効率の高い半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100においては、サファイア基板1上にバッファ層2、n-コンタクト層3、n-光クラッド層4、n-光ガイド層5、発光層6、p ...

理工学部機能創造理工学科の下村和彦教授らの研究チームが異種材料貼り合わせ技術によりシリコン基板上の半導体レーザーにおいて化合物半導体上と同等のしきい値電流密度を得ることに成功 低コスト・大量生産可能な光集積回路の実現に期待

チップ温度25 および85 でのしきい値電流は2.3 mA、 2.2 mAであった。最大光出力は25 、85 それぞれにお いて、4.2 mW、2.2 mWと良好な値が得られた。発振波長 は1274 nmであった。図4にしきい値電流と最大光出力の

半導体レーザのしきい値電流は温度依存性が大きいアル自身も同様ので、定電流駆動だと、高温で発振しなくなったり、逆に低温では光出力が大きくなりすぎて削除最大定格を超えてしまうことがあるので、温度が変わっても一定の光出力が得られる。

概要 東京工業大学工学院電気電子系の西山伸彦准教授らは、従来の手法より低い温度で、異なる材料を糊剤なしで接合するプラズマ活性化接合[用語1]を利用して、シリコン基板上に半導体レーザを実現することに成功した。

半導体レーザーの出射ビームを単峰化した状態で高光出力化するとともに発振しきい電流を低減することを目的として、結合光導波路を備えたリッジ型半導体レーザー、選択的絶縁体クラッド層を有するリッジ型半導体レーザー、および共振器の

4. 半導体デバイスの故障メカニズム Rev.1.00 2006.06.12 4-6 RJJ27L0001-0100 4.2 ウェハプロセス起因の故障メカニズム 微細加工プロセス技術の発展に伴い、半導体デバイスは高集積化の一途をたどっています。微細化に関しては、 これ ...

【課題】 レーザーの望ましい放射を得る。 【解決手段】 レーザーを駆動するための駆動電流を供給する過程を具備しており、駆動電流は該しきい値電流レベル付近迄増加しており、レーザーにレーザービームを発射させるよう次に駆動電流をしきい値電流レベル付近の上の値へ直ちに一層増加 ...

半導体レーザーの分野に明るい人に質問させていただきます。量子効率と、量子微分効率とでははどこがどのように違うのでしょうか？また、レーザーの出力の効率を表すのに微分量子効率が用いられているのは何故なので…

文献「長波長半導体レーザのしきい値電流の温度感度に対する新しい洞察」の詳細情報です。J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しいサービスです。

してきた[1,2]。今回は、半導体薄膜DR レーザの低電圧駆動 かつ導波路損失削減を目的として活性層端と電極金属間距 離の狭幅化を行い、I th 0.41 mA、dV/dI 260 Ωの低しきい 値電流かつ低微分抵抗特性を得たのでご報告する。

レーザーの発振しきい値を下げるための具体的な対策について述べよ。①最初の半導体レーザはホモ接合のレーザだが、レーザGaAs 発振に必要な最低電流密度であるしきい値がきわめて高かった。その後、光を導波路中に閉じ込める様々な努力、ストライプ状の電極にする方法、AlGaAs とGaAs の ...

(1) 辻 伸二、中村 道治"光通信用半導体レーザー"レーザ研究、第11巻第6号、pp.422-431（1983） (2) 伊藤 良一、茅根 直樹、"半導体レーザーの歩みと今後の展開"応用物理、Vol..79, No.6,p 496-501 (2010)

第3章 630nm帯赤色半導体レーザの低しきい値電流化 / p51 (0029.jp2) 3.1 まえがき / p51 (0029.jp2) 3.2 多重量子井戸活性層を有する630nm帯AlGaInP赤色半導体レーザ / p51 (0029.jp2)

井戸半導体レーザを試作した．0.92 kA/cm2 (22qC)の低しきい値電流密度と205 K (22 - 80 qC)の高 い特性温度の両立を初めて実現した．また，1.3 Pm帯GaInNAs レーザでは最高温度となる170qC

外部共振器型半導体レーザーの製作 その11 ～ 準安定状態Ar 原子冷却用レーザーの製作 ～ 量子物質工学科 清水（和）研究室 福原 隆 1． 背景 我々の実験室では原子干渉計の研究を行っている。原子干渉計の有用性は

1-2 Nを含んだⅢ－Ⅴ族混晶半導体材料 近年，GaAs，GaP等の従来のⅢ－Ⅴ族半導体にNを 添加したGaNP，GaNAsのような新規混晶半導体の研究 が行われるようになってきた．3-10) このような混晶半導 体は，Nの電気陰性度が他の

素レーザーは、幅広い波長可変特性を有し 実用化されている。一方、電流により励起状 態を生成する有機半導体レーザー（ OSLD ： Organic Semiconductor Laser Diode ）は、長年 の研究の末2019年についに実現され、今後の 発展が

Patent "半導体レーザ素子" Detailed information of the J-GLOBAL is a service based on the concept of Linking, Expanding, and Sparking, linking science and technology information which hitherto stood alone to support the generation ...

倍強く閉じ込められる半導体薄膜レーザ （Membrane Semiconductor Laser）を考案 し、その実現と低電流・高速直接変調動作を 目標とした研究に着手しました。 2001年には光励起によって極低しきい値で 動作する半導体薄膜構造DFB

半導体レーザーは共振器を持つレーザーであるため、LEDとは異なりレーザー発振するための発振閾値電流を持っている。下記は半導体レーザーの光出力-電流特性を示す図である。 電流が 0〜I th Aの間は、半導体レーザーからは自然放出光が出ている（半導体表面やパッケージの窓での損失で光 ...

しかし、半導体レーザーでは、レーザー光の発生に必要な最小の電流値（閾値電流）が、温度が高くなると増えるなど、いくつかの課題も残されています。これらの課題を克服できるレーザーが、量子ドットレーザーです。生産技術研究所の

半導体レーザの問題点 光の増幅度が小さいとき発振させるためには、大きなしきい値電流を必要とする。 そして、しきい値電流密度は、温度上昇とともに大きくなる。 すなわち、pn接合に電流を流して、キャリアを注入すると接合部での

レーザー発振＜注入電流-光出力 (I-L) 特性＞ : レーザーダイオードは増幅することで得られた利得が内部損失とミラー損失を上回ると発振します。 すなわち発振電流閾値が存在します。レーザーダイオードの注入電流－光出力 (I-L) 特性から、最大出力はキンク（電流-光出力直線の折れ曲がり ...

半導体レーザー 発振しきい値 定常状態 ph 0 0 1 ( ) ( ) τ a G n g n n ph ( ) d d τ S G n S t S − 0 0 ph th 1 n g n a + Γ τ 0 d d t S 5 sp 10 β ≈ − 22 半導体レーザー ...

の層を障壁層と呼ぶ.量 子井戸レーザーは1975年 にMBE によって実現された32,33)が,0.25kA/cm2と 低いしきい電流 Fig. 6.2 Layer structure of quantum well lasers. 第29巻 第10号 半導体レーザーの基礎III 683

半導体レーザーの基礎I 須崎 渉 大阪電気通信大学(〒572-8530寝 屋川市初町18-8) Fundamentals of Semiconductor Lasers I Wataru SUSAKI Osaka Electro-Communication University, 18-8 Hatsu-Cho, Neyagawa 572-8530 1.

半導体レーザーが閾値電流を超えると半値全幅が狭くなるのはなぜなのでしょうか。 自分は閾値電流を超えることでレーザーの単色という性質が強く出て、その色の波長の光強度が強くなることが一因かと考えてます。 それは...

「しきい値電流」はレーザーが発振開始する電流 これは、概ねこの理解で良いです。 つまり、①の例で言えば普通60mA以上の電流を流さないと、LDは正しく動作しません。 製品のバラツキ環境等を考慮しても、80mA以上流せば全てのLDは動作します。

注入電流に対する光出力の強度変化を調べたとき、LEDと半導体レーザをグラフにしたときにLEDはなぜ、しきい値がでないのか？半導体レーザはしきい値の時大きく変化するのか教えてください。それは半導体レーザ(LD)の仕組みを理解すること

閾値電流（threshold current）とは、半導体レーザ（レーザダイオード: LD）のパラメータの1つです。半導体レーザに流す電流と出力光強度の関係をグラフにすると、ある一定の電流値Ithまでは出力光強度はほとんど増加せず、Ith ...

半導体レーザのI－L特性は図49－1のようにしきい電流値を境に折れ曲がっているので、オフの場合の電流値の設定が重要です。I＝0に設定してしまうと少し電流を増加させても光出力が小さいままです。オフの場合の電流をしきい

しきい値電流 ITH Fig.2において、Aは自然発光領域、Bはレーザー発振領域に区別されます。レーザー発振を開始する電流値がしきい値電流です。動作電流 IOP 定められた光出力を出すときに必要な順方向電流です。

GaAs-Ga1-xA1xAsダ ブルヘテロ接合により半導体レ ーザーのしきい電流密度が大幅に引き下げられ室温連続 発振が達成されたが,こ のような半導体レーザーの著し い特性改善はFig. 1 (a)の素子構造(broad contact形)

半導体レーザ(レーザーダイオード)とは 半導体レーザ（LD:Laser Diode)とは、半導体に電流を流してレーザ発振させる素子です。そのままレーザーダイオードという名称を用いることも多く、半導体レーザー・レーザーダイオードそれぞれの名称で商品展開されていますがどちらも同じものです。

薄い活性層により低しきい値を実現し、光ガイド層により光を閉じ込めるという役割分担をした構造です。最近の半導体レーザでは非常に薄い活性層と光ガイド層を組み合わせて低しきい電流を実現したものが主流になっているように思います。

レーザーダイオードの「しきい値電流」と「動作電流」ついて教えて下さい LDのデータシートをみていると、「しきい値電流」と「動作電流」という項目があります。 「しきい値電流」というのはそのLDが発振を始める電流の範囲と理解していましたが、、「動作電流」の意味がよく分かりませ ...

1 6.1半導体レーザー(LD: Laser diode) 【 III-V族半導体レーザーの特徴】 2 ・小型／電流制御／共振器 ・寸法： 長さ300 μm，幅300 μm ，厚さ80 μm インジウム-リン(InP)： 波長が1.3 μm や1.5 μm ガリウム-ヒ素(GaAs)： 波長が0.7

ストライプレーザ. これは、Znを拡散させることによって、できる限り、この部分に垂直な方向にのみ電流を流すようにするための物である。. こうすることによって、しきい値電流密度を高くし、しきい値電流自体を著しく低下することができる ...

半導体薄膜レーザでは、クラッド層に低屈折材料を用いた強い光閉じ込め効果により極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、コア層厚450 nm、共振器長300 µmの半導体薄膜DFBレーザを試作し、しきい値電流値11 mA

レーザーの発振しきい値を下げるための具体的な対策について述べよ。 ?最初の半導体レーザはホモ接合のレーザだが、レーザGaAs 発振に必要な最低電流密度であるしきい値がきわめて高かった。その後、光を導波路中に閉じ込める様々な努力、ストライプ状の電極にする方法、AlGaAs とGaAs の ...

の研究がなされ8〉,しきい値電流の低い半導体レーザが開発されてきた･ 半導体レーザ発展の鍵となったGaA$レーザでは,レーザの発振波長は,通常 0.8-0.9〝mである.光ファイバ通信用光源としては,1.1-1.6〟m波長 の長波長帯半導体 板に ...

しきい値電流は2.5 kA/cm2に下がり、室温CW動作を世界で初めて達成した。 光ファイバの本格的な研究は1960年代前半に始まったが、当時は減衰量が大きくて実用化には至らなかった。

半導体レーザのしきい値電流は温度依存性が大きいアル自身も同様ので、定電流駆動だと、高温で発振しなくなったり、逆に低温では光出力が大きくなりすぎて削除最大定格を超えてしまうことがあるので、温度が変わっても一定の光出力が得られる。

と長波長帯のInPを基板とする波長1.3μmの半導体レーザ の電流対光出力特性の典型的な温度依存性を図-1に示す。図から分かるように温度特性に大きな違いがある。1.3μm 帯のレーザの方がしきい値電流の温度依存性が大きく， また電流 ...

半導体レーザのしきい値電流はどこまで下げられるのか 小山 二三夫 , 伊賀 健一 電子情報通信学会誌 00080(00010), 1024-1026, 1997-10-25

半導体レーザ 【要約】 【目的】 低しきい値電流、単一モード発振可能でかつ長寿命な半導体レーザを提供する。【構成】 n型GaAs基板1表面にp型GaAs狭窄層2を形成する。その上にn型ZnSe層3、n型ZnMgSSeクラッド層4、ZnSSe光閉じこめ層5aとZnCdSe量子井戸型層5bとZnSSe光閉じこめ層5cからなる活性層5、p型 ...

半導体レーザ 【要約】 【目的】低しきい値化及び製造プロセスの簡略・安定化を達成することができるのは勿論のこと、活性層上に積層される第3クラッド層を介して漏れ電流が生じるのを確実に防止可能な半導体レーザを提供することを目的とする。

しきい値電流 ITH Fig.2において、Aは自然発光領域、Bはレーザー発振領域に区別されます。レーザー発振を開始する電流値がしきい値電流です。動作電流 IOP 定められた光出力を出すときに必要な順方向電流です。

さらにシリコン基板上の波長1.5μm帯半導体レーザーしきい値電流密度は，化合物半導体上とほぼ同等の室温パルス発振を実現した。 これによって，シリコンプラットフォーム上に光源と多種多様なデバイスの集積が可能になるとともに，低コスト，大量生産可能な光集積回路の実現が期待 ...

LEDは電流が大きくなるにつれ光を放出します．半導体レーザーは電流が小さいときは自然放出のみで出力が小さいですが，あるしきい値を超えると誘導放出が急激に増えて，光出力が大きくなります．半導体レーザーのスペクトル形状を見ると，しきい値以下だと自然発光のみでスペクトル形状 ...

しきい値電流は2.5 kA/cm2に下がり、室温CW動作を世界で初めて達成した。 光ファイバの本格的な研究は1960年代前半に始まったが、当時は減衰量が大きくて実用化には至らなかった。

半導体レーザ 【要約】 【目的】 しきい値電流と量子効率の温度依存性の減少した半導体レーザを提供する。【構成】 本半導体レーザには温度依存性を減少するために波長の増加とともに減少する損失を有するキャビティを付与する。

異種材料貼り合わせ技術により、シリコン基板上の半導体レーザーにおいて化合物半導体上と同等のしきい値電流密度を得ることに成功. 【本研究の成果】. シリコン基板上に、厚さ1μm程度の薄膜InP層を貼り合わせたテンプレート基板を作製。. 密接な接合に ...

2章 半導体レーザー（レーザーダイオード， LD ） （執筆者：西山伸彦） [2009 年2 月受領] 概要 半導体のバンド間による遷移により発光・光増幅を起こし，内部もしくは外部に作られた反 ...

半導体レーザーは1950年代の提案，60年代の先駆的研究ののち，62年に低温パルス発振の観測，70年に室温連続発振が達成された．その後，顕著な発展を遂げ，現在では代表的な光エレクトロニクスデバイスの一つとして，光 ...

発振しきい値電流Ithのデューティ比（通電パルス幅／パ ルス周期）依存性を示す。低いデューティ比ではIth＝77 mAであったが、デューティ比の上昇によりIthは増加傾 向を示した。これは、LDからの発熱で素子温度が上昇し たことに起因し

半導体レーザー（その二）. 2016年10月19日 カテゴリ： レーザー講座. サブジャンル：宮崎大学名誉教授 黒澤宏のレーザー講座 第17回 著者：黒澤 宏 連載シリーズ. ウエハーの上表面と下表面に反射層を堆積させるか，場合によっては反射構造を持つ半導体の ...

GaAs-Ga1-xA1xAsダ ブルヘテロ接合により半導体レ ーザーのしきい電流密度が大幅に引き下げられ室温連続 発振が達成されたが,こ のような半導体レーザーの著し い特性改善はFig. 1 (a)の素子構造(broad contact形)

電流 Ith 下図において、Aは自然発光領域、Bはレーザ発振領域に区別できますが、発振開始電流はレーザ発振を開始する電流値の事で、しきい値電流とも言います。 動作電流 Iop 規定の光出力を保つために必要な順方向電流です。

トップページ／ニュース 世界最小しきい値電流密度「トンネル接合GaN レーザー」を開発 ～高効率GaN 青色レーザー基盤技術のひとつを実証 理工学部材料機能工学科の竹内哲也教授（光デバイス研究センター長）らの研究 ...

レーザー技術・サポート情報. 半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。. また、よくあるご質問と回答を掲載しています。. ご検討、ご使用の際にご一読ください。. 技術 ...

電子材料学 第十四回 光半導体デバイス－2 半導体レーザー 小山 裕 【自然放出と誘導放出】 半導体の発光素子・発光ダイオード（LED）の発光強度を 高める工夫に、ヘテロ構造の採用があります。これは、注 入した電子とホールの閉じ込めと、発生した光の閉じ込め

うに,しきい電流イ直が連続発振の限界i且度に大きく影響して いる｡しきい電i売値が30mA以下の素子では,連続動作の限界 温度が～100 となる｡図2に示したように,しきい電流値 40 110 100 60 70 27 40 50 20 0 (-3空\≧∈

もちろん、光半導体もこの静電気で故障してしまいますが、光半導体は光が原因でも故障してしまいます。. 光による故障についてもう少しだけ詳しく説明します。. 少し難しい話をしますと、発光素子である半導体レーザーダイオード (LD)は電流を ...

は、半導体レーザの電流を増減し動作させ、フォトダイオードの電圧から光の出力 を確認することで計測する。始めは自然発光で少しずつ光出力を増していくが、レ ーザが発光し始めるしきい値電流Ith（発振開始電流）を超えるとレーザ発振が

しきい値電流に達するまで発振しないことから，低消費電力化や発熱量低減に役立つ。さらに高速化にも有効という。この技術を用いた半導体レーザの消費電力は，現在実用化されている外部変調型の半導体レーザの8Wに対して，2W程度

の低しきい値電流密度化が他機関のMOCVD成長6)， 7)と我々の GSMBE 成長8)，9)により報告されている。光利得は（f c-fv）に比 例し，2 つの項に分解することができる。ここで fc（v）は電子 （ホール）に対するフェルミディラック関数

流軸の交点で定義する (図3.3参照)。 さらに「可視光半導体レーザーの初期特性に関するガイド ライン（デバイス編）」（VLD-GD 4-1）記載のしきい値電流の定義に準じて平均しきい値電流を 定義してもよい。いずれの定義を使用する場合

その他 ：半導体レーザー 回折格子、 、 原子 実験装置の概要 使用する半導体レーザーは日立製 である。表 にその特性を列挙する。項目 典型値 発振波長 最大光出力 動作電流 しきい値電流 動作温度範囲 ～

種類 レーザー素子、光エレクトロニクス 動作原理 レーザー 発明 伊賀健一（1977年） 商品化 ハネウェル（1995年) ピン配置 垂直共振器型面発光レーザー（すいちょくきょうしんきがためんはっこうレーザー、英: Vertical Cavity Surface Emitting Laser ）またはVCSEL（ヴィクセル）は、半導体レーザーの ...

通常、半導体レーザのしきい値電流は温度の上昇に伴い、増加します。その増加の割合は以下の式で表わされます。 この時のT 0 を特性温度と呼びます。特性温度が高いほど、半導体レーザのしきい値電流の増加は抑えられます。

通信用LSI工学特論 第1回 半導体デバイスの基礎 電気電子工学専攻 大畠賢一 1半導体の電気伝導性 導体と絶縁体の中間程度の 抵抗率を有する物質 → 半導体 J n qnv n L V v n P n E P n L V J n qn P n n n qn qn P U V P 1 不純物や ...

レーザー技術・サポート情報. 半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。. また、よくあるご質問と回答を掲載しています。. ご検討、ご使用の際にご一読ください。. 技術 ...

しきい値侎流密侢で、多数のデバイス からの分布期間構造俪性に大きな感侢 がある｡これは、この目標に向けて遅々 ... 電流励起型有機ダイオードレーザの実現 半導体レーザ world news SiO2 DFB グレー ティング 有機物 アノード ITO ...

レーザー動作に必要な電流密度は1.6 kA/cm2であり、これまでに報告されたトンネル接合GaNレーザーとして最も低い値を実現しました（左下図）。. このトンネル接合GaNレーザー層構造は、生産性が高い有機金属化合物成長装置（MOVPE装置）1種類のみで形成され ...

高効率高出力半導体レーザ 23 て導電性キャリアの濃度を高めることが有効である．そ の一方で光フィールド内の導電性キャリアの増加は光の 吸収による導波ロスを増加させるトレードオフがある． したがって高いPCEを実現するためにはレーザ構造中の

半導体レーザー 自然放出について 注入電流に対する光出力の強度変化を調べたとき、しきい値以上では誘導放出により、注入電流と光出力が線形に比例することがわかっています。 一方、しきい値以下の自然放出では、光出力は注入電流に線形に比例するようには見えません。

半導体レーザー 【要約】 【目的】 内部ストライプ構造を有する半導体レーザーにおいて、しきい値電流及び動作電流を大幅に低減させるとともに、レーザー構造を形成する層のエピタキシャル成長に要する時間を短くし、成長原料の消費量も少なくする。

半導体レーザ（LD）について LDはレーザーダイオード（Laser Diode）を指しており、「半導体レーザ」とも呼ばれる光源のことです。 LDが発光するためには、まずは半導体素子への「電流」の供給が必要です。 LDはレーザ発振（光の共振 ...

・ しきい値電流 ： 7 mA ・ 発振波長 ： 1.31 mm ・ 素子抵抗 ： 17 W ・ しきい値電流密度 ： 373 A/cm-2 ・ スロープ効率 ： 0.045 W/A へき開かつ1mm以下の共振器構造で，しきい値電流10mA以下を初めて実現

しきい値電流 Ith 70 60mA 動作電流 Iop P0＝120mW 190 P0＝150mW 240 mA 動作電圧 Vop P0＝120mW 2.4 P0＝150mW 2.4 V 発振波長 λ P0＝120mW 661 P0＝150mW 785 nm 水平放射角 θ P0＝120mW 9.5 P0＝150mW 9

「しきい値電流密度が低い無極性面の半導体レーザを開発した。現在，HD DVD装置やBlu-ray Disc装置などで利用されているc面（極性面）を利用した青紫色半導体レーザよりも，低消費電力で長寿命になる」（中村氏）と説明する。

1960 年の後半に入り、GaAs をはじめ、InP、InAs など多くの半導体に関するレーザの開発が活 発化していたが、室温でのしきい値電流密度が数万A/cm2 と極めて高く、マイクロ波以下の幅の パルスでしか使えないといった課題に直面して

ドレイン電流（mA） 22 浅いしきい値 MMC HEMTのしきい値制御 囲い込み電界効果 ポテンシャル分布 入出力特性の制御 0 eV 4.0 eV V G -2.5 V GaN AlGaN 60 nm d 50 nm 70 nm 閉じ込められた 電子層 Ä Ð Ú

文献「長波長半導体レーザのしきい値電流の温度感度に対する新しい洞察」の詳細情報です。J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しいサービスです。

今回作製した素子の電流対光出力（L-I）特性を図1に示す。動作温度は，それぞれ25, 45, 65, 85 である。この結果，しき い値電流は，25 で7.9 mA，85 で20 mAが得られ，25 で のしきい値電流密度は，約1.5 kA/cm2となり

【要約】【課題】 無効電流の低減化が図られた動作電流およびしきい値電流が低くかつ発光効率の高い半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100においては、サファイア基板1上にバッファ層2、n-コンタクト層3、n-光クラッド層4、n-光ガイド層5、発光層6、p ...

レーザー ダイオード バー Water Tubes 図7：代表的 な高出力積層 レ ーザダ イオ ド パッケ ジ を 示す概略図。電気光学的特性 しきい 電流値 としきい 電流値密度 レーザダイオード の測定 すべき 最も重要 なパラ メータ は、 電流 が素子 に

井戸半導体レーザを試作した．0.92 kA/cm2 (22qC)の低しきい値電流密度と205 K (22 - 80 qC)の高 い特性温度の両立を初めて実現した．また，1.3 Pm帯GaInNAs レーザでは最高温度となる170qC

大容量光伝送・光情報処理における出射ビーム制御低発振しきい値半導体レーザー Project/Area Number 24560429 Research Institution Ritsumeikan University Principal Investigator 沼居 貴陽 立命館大学, 理工学部, 教授 (60261351)

半導体レーザのしきい値電流は温度依存性が大きいアル自身も同様ので、定電流駆動だと、高温で発振しなくなったり、逆に低温では光出力が大きくなりすぎて削除最大定格を超えてしまうことがあるので、温度が変わっても一定の光出力が得られる。

シャープは、業界最高の光出力130mWを実現した緑色半導体レーザ 2モデル＜GH0521DA2G／GH0521DA5G＞の量産を、本年10月より開始します。 半導体レーザは、ヘッド・アップ・ディスプレイ(HUD) ※2 やヘッド・マウント・ディスプレイ(HMD) ※3 など、レーザディスプレイの光源として活用の幅が拡がって ...

10 東芝レビューVol.60 No.1（2005） 前述の構造による青紫色半導体レーザの電流－光出力特 性の温度依存性と電流－電圧特性の例を図3に示す。25 において，しきい電流（Ith）は39mA，50mW連続発振時の 動作電流（Iop）は73mAであった。 ...

2.5 レーザのしきい値と定常状態利得 2.6 しきい値電流と出力パワー対駆動電流 2.6.1 基本的なP-I特性 2.6.2 利得モデルとそれを用いるレーザ設計 2.7 緩和共振と周波数応答 2.8 半導体レーザの特性評価 2.8.1 平面型レーザの内部

半導体レーザーの分野に明るい人に質問させていただきます。量子効率と、量子微分効率とでははどこがどのように違うのでしょうか？また、レーザーの出力の効率を表すのに微分量子効率が用いられているのは何故なので…

18．半導体レーザの最初の動作確認（その2） つぎに1962年の4つの研究機関の中でもっとも発表が早かったGE者の特許を少し読んでみましょう。すでに触れたように、このGE社の特許は日本には出願されていませんので、アメリカ特許3245002号を見ます。

半導体レーザーの出射ビームを単峰化した状態で高光出力化するとともに発振しきい電流を低減することを目的として、結合光導波路を備えたリッジ型半導体レーザー、選択的絶縁体クラッド層を有するリッジ型半導体レーザー、および共振器の

しきい値電流が依存する20,41） ．たとえば，m面レーザー の場合，c軸方向に平行に導波路を形成した場合に低い しきい値電流が得られている40） ．これは高いゲインも寄 与しているが，へき開による端面が利用できることの効

また、半導体レーザーの電流−電圧特性の微係数 の変化に基づいて半導体レーザーの発振しきい値を測定 する。 (57)【要約】 【課題】 レーザー光の強度が小さいと発振しきい値の 測定精度が低く、最悪の場合はレーザー発振の有無を確 認できない。

また、しきい値電流は活性層体積に比例するため、活性層部分をエッチングして活性層体積を減らせたこの構造を用いることで、さらにしきい値電流を低減することが可能です。Fig.3に作製した素子の電流－光出力特性を示します。最低しきい

半導体薄膜レーザではこれまでに、光励起下において低しきい値動作が実証されていますが、 外部励起光が不要な電流注入動作の実現が重要な課題となります。 半導体薄膜レーザの電流注入動作に向けて、pn接合をクラッド層の上下で

Other 発振しきい値電流 Other 低しきい値化 Other αパラメータ Other 選択ドープ ... Other 出典：「極低しきい値半導体レーザの基礎研究」研究成果報告書 課題番号62550282(KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学 ...

GaAs-Ga1-xA1xAsダ ブルヘテロ接合により半導体レ ーザーのしきい電流密度が大幅に引き下げられ室温連続 発振が達成されたが,こ のような半導体レーザーの著し い特性改善はFig. 1 (a)の素子構造(broad contact形)

さらに、半導体薄膜レーザの極低しきい値動作の実現に向け、Be-ドープコンタクト層を導入したコア層厚450 nmを有する半導体薄膜レーザを試作し、しきい値電流値3.8 mAの低しきい値動作化に成功したのでご報告する。 （英）

多くのナノレーザーは、従来のマクロレーザーのように動作し、しきい値電流を示します。ただし、一部のデバイスでは、出力しきい値とポンプ電流の曲線を分析してレーザーのしきい値を決定することはできません。これは、対数目盛の直線

半導体薄膜レーザでは、クラッド層に低屈折材料を用いた強い光閉じ込め効果により極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、コア層厚450nm、共振器長300μmの半導体薄膜DFBレーザを試作し、しきい値電流値11mAの室温

半導体薄膜レーザでは、クラッド層に低屈折材料を用いた強い光閉じ込め効果により極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、コア層厚450nm、共振器長300μmの半導体薄膜DFBレーザを試作し、しきい値電流値11mAの室温

半導体レーザ（LD）について LDはレーザーダイオード（Laser Diode）を指しており、「半導体レーザ」とも呼ばれる光源のことです。 LDが発光するためには、まずは半導体素子への「電流」の供給が必要です。 LDはレーザ発振（光の共振 ...

Fig. 1に半導体レーザの構造を示す．MQW構造は 量子効果により，しきい値電流の低減、発光効率の向 上等の効果があるが，量子効果が現れ，良好な特性を 得るためには，①一つの井戸層の厚さを20nm程度以 下の薄膜で形成し，②

種類 レーザー素子、光エレクトロニクス 動作原理 レーザー 発明 伊賀健一（1977年） 商品化 ハネウェル（1995年) ピン配置 垂直共振器型面発光レーザー（すいちょくきょうしんきがためんはっこうレーザー、英: Vertical Cavity Surface Emitting Laser ）またはVCSEL（ヴィクセル）は、半導体レーザーの ...

・シリコン基板上の波長1.5μm帯半導体レーザー（写真1）しきい値電流密度が、化合物半導体上とほぼ同等の 室温パルス発振を実現（グラフ2）。上智大学理工学部機能創造理工学科の下村和彦教授らの研究チームは2017年9月、高

10 東芝レビューVol.60 No.1（2005） 前述の構造による青紫色半導体レーザの電流－光出力特 性の温度依存性と電流－電圧特性の例を図3に示す。25 において，しきい電流（Ith）は39mA，50mW連続発振時の 動作電流（Iop）は73mAであった。 ...

しきい値電流は、LDがレージングを開始する電流です。しきい 値判定手法の1つは、二次導関数手法です。この方法でのしきい 値は、光出力の二次導関数の最初の最大値として定義され、光測 定（L）に基づいて計算されます。これを、図

しきい値電流は7.8 µA、出力導波路上の光出力は最大9 µWが得られた。発振波長は、1567.8 nmであった。従来のInGaAs犠牲層を用いたレーザのしきい値電流は390 µAであり、InAlAsを犠牲層に用いることで、しきい値電流の大幅な低減

単1横モードで光出力5ミリW、しきい値電流25ミリA、動作電流35ミリA、動作可能温度マイナス10―プラス70度C、ビーム広がり角度水平8度、垂直30度、70度C5ミリW3000 時間保証。すでに赤色半導体レーザーで採用している歪補償

半導体レーザを光通信や光情報処理用光源として用いるには、単一モードで安定に発振する、しきい電流の低いものが要望される。それまでの半導体レーザは、ヘテロ接合と平行な方向の横モードが不安定で、しきい電流も高く、実用上の障害となっていた。

半導体レーザーはしきい値電流 レベルI th （例えば、ミリアンペアで表現される）を有する。もし該レーザーに印加される該駆動電流Iが該しきい値電流レベルI th より大きい場合はレーザービームが発射される。図1aは2つの曲線を 示し ...

用語解説：しきい値とは、なんですか？ 回答 デジタル表示のレーザセンサやファイバセンサにおいて、入光状態と非入光状態を区別する境目の値 のことを、しきい値と呼びます。 デジタルレーザセンサ HG-C1050 で具体的に説明します。

本研究は、極めて低い発振しきい値電流が得られるレーザとして、当該研究者らが提案している、ポテンシャル制御構造(POCO)レーザの動作特性の理論解析と設計方法の確立を目指してものである。本年度は、POCOレーザにおける発振しきい値電流の温度特性と、キャリア数や利得変動に伴う屈折 ...

発振しきい値電流を小さくして高効率化するためには、通常の半導体レーザでは低温で動作させることが効果的である。3. 定電流動作によるポンプゆらぎの抑圧 ポンプ電流を高周波領域まで定電流化するために、電源回路に直列抵抗を接続

InGaAsP/InP埋込みヘテロ形半導体レーザは,安定な構恭 本モード動作が可能であると同時に,しきい電流値は22mAと 低く,これまでの報告5)･6)のうち最低値を記鎚した｡臣l 素子構造 新しく開発した理込みヘテロ形長波長半導体レーザの構造

しきい値電流は4.4mAだった。 現在40Gbps動作のレーザー送信器は外部変調用の光変調器が必要であるため、部品点数が多く、低消費電力化や小型化 ...

しきい値を決定することが望ましい。 故障は，次の項目の特性変化として定義する。 − フォトダイオード暗電流又はレーザしきい値電流 − スロープ効率 − 順方向電圧 − 逆方向漏れ電流又は光出力スペクトル 判定基準を 表 B.7 に示す。

半導体レーザの発振波長を決める最も 基本的な物性定数である禁制帯幅が温度無依存化するという大きな特徴を有するビスマス (Bi) 系III-V 族半金属半導体混晶を用い、状態密度が離散化することによりしきい値電流が

半導体レーザーの利得の波長依存性はかなりゆるく沢山のモードが殆ど同じ利得を もっているが､発振するのはそのうちの一つのモードに限られている｡図1にダブル へテ｡型レーザーダイオードのいろいろな注入電流でのモードスペクトルを示す

[5] しきい値電流 半導体レーザに電流を加えていった場合に、レーザ発振を開始しはじめる電流値のことです。機器の低消費電力化を実現するために、しきい値電流の低減が強く求められています。 [6] μW（マイクロワット）

top / 一覧に戻る / しきい値 しきい値 半導体レーザーで、レーザー光が出始めるぎりぎりの電流値です。 >> さらに詳細な情報はこちら 松下電器が新開発した紫色半導体レーザー 半導体が支えるマルチメディアの世界 ...

【要約】【課題】 無効電流の低減化が図られた動作電流およびしきい値電流が低くかつ発光効率の高い半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100においては、サファイア基板1上にバッファ層2、n-コンタクト層3、n-光クラッド層4、n-光ガイド層5、発光層6、p ...

理工学部機能創造理工学科の下村和彦教授らの研究チームが異種材料貼り合わせ技術によりシリコン基板上の半導体レーザーにおいて化合物半導体上と同等のしきい値電流密度を得ることに成功 低コスト・大量生産可能な光集積回路の実現に期待

チップ温度25 および85 でのしきい値電流は2.3 mA、 2.2 mAであった。最大光出力は25 、85 それぞれにお いて、4.2 mW、2.2 mWと良好な値が得られた。発振波長 は1274 nmであった。図4にしきい値電流と最大光出力の

半導体レーザのしきい値電流は温度依存性が大きいアル自身も同様ので、定電流駆動だと、高温で発振しなくなったり、逆に低温では光出力が大きくなりすぎて削除最大定格を超えてしまうことがあるので、温度が変わっても一定の光出力が得られる。

概要 東京工業大学工学院電気電子系の西山伸彦准教授らは、従来の手法より低い温度で、異なる材料を糊剤なしで接合するプラズマ活性化接合[用語1]を利用して、シリコン基板上に半導体レーザを実現することに成功した。

半導体レーザーの出射ビームを単峰化した状態で高光出力化するとともに発振しきい電流を低減することを目的として、結合光導波路を備えたリッジ型半導体レーザー、選択的絶縁体クラッド層を有するリッジ型半導体レーザー、および共振器の

4. 半導体デバイスの故障メカニズム Rev.1.00 2006.06.12 4-6 RJJ27L0001-0100 4.2 ウェハプロセス起因の故障メカニズム 微細加工プロセス技術の発展に伴い、半導体デバイスは高集積化の一途をたどっています。微細化に関しては、 これ ...

【課題】 レーザーの望ましい放射を得る。 【解決手段】 レーザーを駆動するための駆動電流を供給する過程を具備しており、駆動電流は該しきい値電流レベル付近迄増加しており、レーザーにレーザービームを発射させるよう次に駆動電流をしきい値電流レベル付近の上の値へ直ちに一層増加 ...

半導体レーザーの分野に明るい人に質問させていただきます。量子効率と、量子微分効率とでははどこがどのように違うのでしょうか？また、レーザーの出力の効率を表すのに微分量子効率が用いられているのは何故なので…

文献「長波長半導体レーザのしきい値電流の温度感度に対する新しい洞察」の詳細情報です。J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しいサービスです。

してきた[1,2]。今回は、半導体薄膜DR レーザの低電圧駆動 かつ導波路損失削減を目的として活性層端と電極金属間距 離の狭幅化を行い、I th 0.41 mA、dV/dI 260 Ωの低しきい 値電流かつ低微分抵抗特性を得たのでご報告する。

レーザーの発振しきい値を下げるための具体的な対策について述べよ。①最初の半導体レーザはホモ接合のレーザだが、レーザGaAs 発振に必要な最低電流密度であるしきい値がきわめて高かった。その後、光を導波路中に閉じ込める様々な努力、ストライプ状の電極にする方法、AlGaAs とGaAs の ...

(1) 辻 伸二、中村 道治"光通信用半導体レーザー"レーザ研究、第11巻第6号、pp.422-431（1983） (2) 伊藤 良一、茅根 直樹、"半導体レーザーの歩みと今後の展開"応用物理、Vol..79, No.6,p 496-501 (2010)

第3章 630nm帯赤色半導体レーザの低しきい値電流化 / p51 (0029.jp2) 3.1 まえがき / p51 (0029.jp2) 3.2 多重量子井戸活性層を有する630nm帯AlGaInP赤色半導体レーザ / p51 (0029.jp2)

井戸半導体レーザを試作した．0.92 kA/cm2 (22qC)の低しきい値電流密度と205 K (22 - 80 qC)の高 い特性温度の両立を初めて実現した．また，1.3 Pm帯GaInNAs レーザでは最高温度となる170qC

外部共振器型半導体レーザーの製作 その11 ～ 準安定状態Ar 原子冷却用レーザーの製作 ～ 量子物質工学科 清水（和）研究室 福原 隆 1． 背景 我々の実験室では原子干渉計の研究を行っている。原子干渉計の有用性は

1-2 Nを含んだⅢ－Ⅴ族混晶半導体材料 近年，GaAs，GaP等の従来のⅢ－Ⅴ族半導体にNを 添加したGaNP，GaNAsのような新規混晶半導体の研究 が行われるようになってきた．3-10) このような混晶半導 体は，Nの電気陰性度が他の

素レーザーは、幅広い波長可変特性を有し 実用化されている。一方、電流により励起状 態を生成する有機半導体レーザー（ OSLD ： Organic Semiconductor Laser Diode ）は、長年 の研究の末2019年についに実現され、今後の 発展が

Patent "半導体レーザ素子" Detailed information of the J-GLOBAL is a service based on the concept of Linking, Expanding, and Sparking, linking science and technology information which hitherto stood alone to support the generation ...

倍強く閉じ込められる半導体薄膜レーザ （Membrane Semiconductor Laser）を考案 し、その実現と低電流・高速直接変調動作を 目標とした研究に着手しました。 2001年には光励起によって極低しきい値で 動作する半導体薄膜構造DFB

表3.1 半導体レーザーの仕様(Tc25 ) 発振波長 784nm 直流光出力 120mW しきい値電流 30mA スロープ効率 .9mW/mA ビーム広がり角（平行） 8.7 ビーム広がり角（垂直） 16 図3.1 半導体レーザーの注入電流と波長 780 781 782

しきい値電流は4.4mAだった。 現在40Gbps動作のレーザー送信器は外部変調用の光変調器が必要であるため、部品点数が多く、低消費電力化や小型化 ...

面発光レーザのしきい値電流は2000年までの20年間ではおよそ4年で1けたの割合で減少しており，現状でも，既に市販の半導体レーザに比べて3けた以上小さいμA(10 A)の領域に迫ろうとしている．このように，面発光レーザは，低消費電力デバイスの領域では水平共振器型の半導体レーザの特性を ...

半導体レーザーはしきい値電流 レベルI th （例えば、ミリアンペアで表現される）を有する。もし該レーザーに印加される該駆動電流Iが該しきい値電流レベルI th より大きい場合はレーザービームが発射される。図1aは2つの曲線を 示し ...

GaAs-Ga1-xA1xAsダ ブルヘテロ接合により半導体レ ーザーのしきい電流密度が大幅に引き下げられ室温連続 発振が達成されたが,こ のような半導体レーザーの著し い特性改善はFig. 1 (a)の素子構造(broad contact形)

モニター電流-PD逆電圧-ファイバーコネクタ FC/ST/SMA905 ファイバー長-80cm 100cm-80cm 100cm しきい値電流-35mA 50mA-100mA 130mA 動作電流-100mA 120mA-200mA ー 動作電圧-4.6V 5.5V-4.1V 4.6V パッケージ形状 Coaxial

注入電流 レーザ発振領域 しきい値電流（Ith ） 光出力 LED領域 ScienceandTechnology 26 半導体レーザの構造 ... 半導体レーザーダイオード (Laser Diode) ScienceandTechnology 43 NICHIAの連続売上高 '94 '95 '96 ...

光出力 動作周囲温度 条件 しきい値電流 動作電流発振波長モニタ電流 水平 垂直 Po mW Topr C Po mW Ith mA Iop mA Lp nm Im mA Qh deg Qv deg ピン 結線図 偏光 特性 用途 青紫色レーザダイオード DL-3146-151 DL-4146-301S

しきい値電流密度 (A/cm 2) 断面 表面 半導体レーザーの しきい値電流の推移 ビット or 0と1の重ね合わせ状態 量子ビット (qubit) 0 0 01 1 0 1 1 f(1) f(0) f(2) f(3) 答 答 f(1) f(0) f(2) f(3) 重ね合わせ状態を利用 して一括して計算を行う 0 01 00 ...

リーク電流（リークでんりゅう、英: current leakage ）とは、電子回路上で、絶縁されていて本来流れないはずの場所・経路で漏れ出す電流のことである。 当該電気回路内に限る意図しない電流の漏れ出しがリーク電流であり、当該電気回路外へ漏れ出す漏電とは区別される。

先ほど説明した電気的特性において、東芝製2SK4017はドレイン電流I D を1mA流すために必要なゲートしきい値電圧V th が1.3V(最小)～2.5V(最大)であることを説明しました。 ここで、ドレイン電流I D を1mA以上流したい場合には、ゲートソース間電圧V GS は何V必要なの？

しきい値電流，Ith（Threshold current） 誘導放出によるレーザ発振を開始する電流値。 4.1.14 しきい値光出力，Pth（Radiant power at threshold） しきい値における光出力値。 4.1.15 スロープ効率，ηd（Differential efficiency）

しきい値電流 typ. スタックピッチ. 最大スタック数. 動作温度. 保存温度. パッケージ. お問い合わせ. L13459-01. パルスレーザダイオードバーモジュール.

ー（VCSEL）のいずれかの近赤外（NIR）半導体レーザー・ダイオードを使います。一般的 なレーザー・ダイオードの例が図2です [5,6]。電気的には、レーザー・ダイオードは整流器 として振る舞います。あるしきい値電流を超えて順方向に

半導体リングレーザ レーザ発振のためのしきい値電流を低減するとともに、レーザの発振モード（シング ルモード、ツインモード、ロッキングモード）を正確に切り換える。曓発明によれば、レーザ発振のためのしきい値電流を低減でき、また

半導体レーザー SONY SLD3134VL 405nm 20mw 青紫 レーザーダイオード TO-18 【規格】 発振波長: 405nm(Typ.) 低しきい値電流: Ith26mA(Typ.) 光出力[Po]: 20mw CW パッケージ種類:...

【課題】活性層内における光の増幅度や、レーザ発振のしきい値に大きな影響を与えずに、FFPの大きさを改善する半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザは、n型電極1、基板2、n型バッファ層3、n型クラッドA層4、高屈折率層5、n型クラッドA層6、n型光ガイド層7、MQW活性層8、p型光 ...

半導体レーザ、 共振モードが切り替え可能な半導体レーザ レーザ発振のためのしきい値電流を低減すると共に発振モードの切り替えが容易 な半導体レーザを提供する 。本発明によれば、正極からキャビティへ注入される注入電流の拡がりが

(内容) クラッド層に硫化鉛ストロンチウムなどを用い、活性層を量子井戸構造とするとともに、蒸着膜昇華法を用いたホットウォールエピタキシーにより、半導体層を製造することで、マイナス70度以上で動作可能となり、かつしきい値電流の低減を可能とした半導体赤外線レーザ素子を実現

しきい値電流 Ith CW 10 30 50 mA 動作電流 IOP PO 50 mW 50 70 120 mA 動作電圧 VOP PO 50 mW 2.0 3.0 V 発振波長 λL PO 50 mW 815 830 845 nm 放射角 水平方向* θ // PO 50 mW 7 10 13 垂直方向* θ ⊥ PO O P

私達はRoSHの迎合的な高安定性プロダクトを作り出すことを専門にする中国の専門の赤い同軸レーザーダイオードの製造業者そして製造者です。 私達の工場からの低価格での卸売カスタマイズされた赤い同軸レーザーダイオードに自由になりなさい。

図10 レーザのしきい値電流密度と共振器の光の閉じ込め能力（Q値）の関係 図11 共振器の光の閉じ込め能力（Q値）と電流注入領域の大きさ（funnel断面積）の関係： 赤の曲線は、他の研究グループの計算結果で、理論限界と考えられていました。

Semantic Scholar extracted view of "半導体ヘテロ構造に基づく電子ビーム励起レーザのしきい値電流密度の計算【Powered by NICT】" by M. M. Zverev et al.

半導体レーザは、サージ及び突入電流に弱い為、LD controllerにはスロースタート、スローダウンの動作保護、スイープ回路が内蔵され、素人の方でも安心安全に半導体レーザー（LD）を損傷する事無くご使用戴けます。 LDの制御方法としオートパワーコントロール(APC)と オートカレント ...

量子井戸レーザー 厚みが1nm程度のGaAsとAlGaAsを交互に積層した人工格子構造は、1次元の量子井戸（QW)を形成する。量子井戸内には離散的なエネルギー準位ができる。 量子井戸レーザは、しきい値電流が低く、しきい値電流の ...

しては世界最小しきい値電流を有している。一方，半導体レーザの評価として，電流・光出力の静特性 から光損失，高出力特性等の基礎特性だけでなく，量子サイズ効果に起因したTE. TM波の異方性利 得，しきい値電流の温度特性 L P

【課題】 レーザダイオードがオープンモードで故障した場合でも、レーザ光の射出を停止させずに、故障したレーザダイオードを特定することの可能なレーザダイオードの故障検出方法，半導体レーザ装置，及び，この半導体レーザ装置を備えた半導体レーザ励起固体レーザ装置の提供。

提案し、短波長化についての検討を行なった。一般に短波長化に伴い、しきい値電流、モード安 定性、最大光出カおよぴ寿命など多くの点において0．8um帯の赤外光半導体レーザと同等の性能 を得ることが難しくなる。ここではO．71pmの

電流をさらに増加させると，誘導放出現象によって得られた利得が共振器内部の損失を上回り，光出力の急激な立ち上がりが見られる。この電流値をしきい値電流という。 図 LD 電流－光出力特性

学界での反応ですが，しきい値電流が800mAと非常に 高く，すぐ壊れてしまうことが多かったために，おもしろ いアイデアだが，実用にはならないだろうという見方が大 半でした．大きな問題は，レーザー発振のための光利得が 足りなかった

半導体レーザのしきい値電流は温度依存性が大きいアル自身も同様ので、定電流駆動だと、高温で発振しなくなったり、逆に低温では光出力が大きくなりすぎて削除最大定格を超えてしまうことがあるので、温度が変わっても一定の光出力が得られる。

しきい値の測定 電流源はILX3811(ILX Light Wave)を用いた。光出力の測定はMA93(安藤)を用いて行った。 実験結果 発振波長の温度特性 半導体レーザをSiサブマウント上に実装したときのCW発振の条件での発振波長の温度依存性と ...

半導体レーザーの発振特性 770 775 780 785 0 0.2 0.4 0.6 Wavelength (nm) Intensity (arb. units) 発振前 770 775 780 785 0 500 1000 1500 Wavelength (nm) 発振後 しきい値電流 光エレクトロニクス 810 量子井戸レーザー L2 2 2 2 2 2

【要約】【課題】 無効電流の低減化が図られた動作電流およびしきい値電流が低くかつ発光効率の高い半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100においては、サファイア基板1上にバッファ層2、n-コンタクト層3、n-光クラッド層4、n-光ガイド層5、発光層6、p ...

光通信システムでは、光源として半導体レーザが広く用いられている。ところが光通信の大容量化と光通信方式が導入される範囲の拡大が進むにつれ、半導体レーザにはしきい電流値の低減、高出力化、変調時の波長揺らぎの低減、また動作温度範囲の向上などが要求されていた。

電流(Id)のゲート-ソース電圧(Vg)依存性について、一定のドレイン電圧(Vd)を印加したとき の特性を示す。出力特性とは、Vg が一定の時にIdのVd依存性を示す。TFTのしきい値電 圧をVthとすると、Vd ＞＞Vg - Vthとなる領域ではIdはVd

の1－4でLEDの電圧－電流特性から発光波長を推定するための予備知識と してLEDの発光原理について説明します。半導体の構造を図1‒1（a）に示します。このような構造をバンド構造とい います。半導体の仕組みを知るための基本的な

半導体デバイスモデリング技術 香積正基 戸塚拓也 青木均築地伸和東野将司小林春夫（群馬大学） ... しきい値 特性カーブのずれをSPICEモデルに代入, 移動度劣化現象をモデル化し、劣化シミュレーションを開発 •TEGを用いて ...

3氏が開発した半導体レーザの特徴は、光を放出するための薄膜状のガリウム・ヒ素活性層の両側をアルミニウム・ガリウム・ヒ素結晶層ではさむ二重へテロ構造により、発振しきい値電流密度を飛躍的に低減させたところにある。

905nm 75W パルス レーザーダイオード 低しきい値電流 プラスチックパッケージ [特徴] 低コストのプラスチックパッケージ。 信頼できるひずみInGaAs / GaAs材料。 狭い遠視野のための高出力大光共振器（LOC）構造。 複数のエピタキシャル ...

て、しきい値電流0.21 mA、外部微分量子効率32%という低電流・高効率動作を実現した。消費電力に対 消費電力に対 して取り出された光出力の比率である電力変換効率は12.5%に達しており、従来報告されてきたメンブレ

あるSi であっても高効率に発光させることが可能で、先行研究にてSi レーザー（波長 1.3 µm、しきい値電流密度1.1-2.0 kA/cm 2 このしきい値は従来の半導体レーザーと同 等である）を実現した。波長1.3 µm はSi のE g より小さい光子

三菱電機は、独自のメニスカスレンズを内蔵した、発光波長638nmの赤色高出力半導体レーザー「ML562H84」を発表した。レーザー光の利用効率は98％以上で、コリメートレンズを外付けした従来品と同等のパルス駆動光出力2 ...

トされ電流が流れるので、このときの位置x における単位面積あたりの負電荷 は 電気容量をC とすると、 - 式(1 13) となる。ここでV nth は電子に対するしきい値電 öである。この式より と なるような位置x で、半導体層における電子

半導体レーザー（PMタイプ） BFLD976-PM ¥79,800 即納～1週間 976nm バタフライ型FBG 半導体レーザー（SMタイプ） BFLD976-SM ¥74,800 即納～1週間 製品名 型番 価格 納期 本製品は、ファイバーを備えた14ピンバタフライ型の

Patent "半導体レーザ素子" Detailed information of the J-GLOBAL is a service based on the concept of Linking, Expanding, and Sparking, linking science and technology information which hitherto stood alone to support the generation ...

第1 のしきい値以上でゼーマン分裂が見られること、 第2 のしきい値（光子レーザーへのクロスオーバー）が見られることから、今回開発された素子で 電流励起によるポラリトン・ボーズ・アインシュタイン凝縮体が世界で初めて実現されたことが

半導体薄膜導波路構造を用いるレーザは、高屈折率差に起因した強い光閉じ込めによるモード利得増大効果が得られるため、端面放射形レーザの低消費電力動作が期待されている。今回、半導体薄膜レーザの電流注入動作化を目的として半絶縁性基板上に薄膜GaInAsP層および横方向p-i-n接合を再 ...

本研究では,マイクロディスクと呼ばれる微小共振器レーザのさらなる微小化,低しきい値化,パーセル効果などの自然放出制御効果の発現,集積化ならびにフォトニック分子と呼ばれる新しい集積化の概念創生に向けた研究を行った.まずGaInAsPマイクロディスクの光励起による室温連続発振を実現し ...

技術に関する情報を探すならアスタミューゼ。こちらは半導体レーザ検査装置、および半導体レーザ検査方法(公開番号 特開2020-126929号)の詳細情報です。関連企業や人物を把握すると共に解決しようとする課題や解決手段等を ...