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スロープ効率 I P S j j Δ Δ d 14 半導体レーザー 発光効率 外部微分 量子効率 ω ω η h h e S e P I j j j d d Δ ÷ Δ （外部放出光子数） （注入キャリア数） 15 半導体レーザー 発光効率 外部微分 量子効率 1 2 i 1 2 d i 1 ln 2 1 ln ...

内部量子効率と外部量子効率 半導体レーザーにおける量子効率とは、1個の電子の遷移から1個のフォトンを取り出せる確率である。半導体レーザーの共振器内部の損失を考慮した場合の量子効率を内部量子効率と呼ぶ。一方、半導体レーザー…

高効率高出力半導体レーザ 23 て導電性キャリアの濃度を高めることが有効である．そ の一方で光フィールド内の導電性キャリアの増加は光の 吸収による導波ロスを増加させるトレードオフがある． したがって高いPCEを実現するためにはレーザ構造中の

半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。また、よくあるご質問と回答を掲載しています。ご検討、ご使用の際にご一読ください。

（40 mA）と高いスロープ効率を実現した．200 mW以上の 高出力時において，単一横モード特性を維持することが できた．90 mW（連続光）出力の時の広がり角は，半値全幅 で垂直が19.1゜，水平が8.5゜であった．縦モードを評価

加を抑えつつ、スロープ効率をほぼ4倍に向上させること に成功し、このような高い出力を得るに至った。次に、{2021}面上緑色レーザの光電変換効率（WPE※6） について述べる。図2（b）に示すように、520nmより長波

ゼロから学ぶ半導体レーザー 1. 半導体レーザーの基礎 1.1. 半導体レーザーとは 1.1.1. ダイオード励起レーザー 1.2. 半導体レーザーにおける誘導放出と光増幅利得 1.2.1. 直接遷移型半導体のバンド構造…

2章 半導体レーザー（レーザーダイオード， LD ） （執筆者：西山伸彦） [2009 年2 月受領] 概要 半導体のバンド間による遷移により発光・光増幅を起こし，内部もしくは外部に作られた反 ...

されたレーザパワーの割合． スロープ効率 光出力が駆動電流を上げたときどのくらいの割合で上昇するかをし めす．I-Lカーブの傾き． 特性温度 半導体の閾値電流およびスロープ効率の温度依存性を指数関数 フィットしたときの係数として算出

>> 微分効率（スロープ効率） << 微分 とは、非線形なものの特性をグラフに書いたときの傾きです。 数学で2次曲線の「傾き」などを習ったと思いますが、それです。 スロープ slope は坂道の傾斜の意味です。 例えばダイオードは電圧と電流が非線形ですよね、だから 抵抗電圧/電流 は一定して ...

スロープ効率 I P S j j Δ Δ d 14 半導体レーザー 発光効率 外部微分 量子効率 ω ω η h h e S e P I j j j d d Δ ÷ Δ （外部放出光子数） （注入キャリア数） 15 半導体レーザー 発光効率 外部微分 量子効率 1 2 i 1 2 d i 1 ln 2 1 ln ...

内部量子効率と外部量子効率 半導体レーザーにおける量子効率とは、1個の電子の遷移から1個のフォトンを取り出せる確率である。半導体レーザーの共振器内部の損失を考慮した場合の量子効率を内部量子効率と呼ぶ。一方、半導体レーザー…

高効率高出力半導体レーザ 23 て導電性キャリアの濃度を高めることが有効である．そ の一方で光フィールド内の導電性キャリアの増加は光の 吸収による導波ロスを増加させるトレードオフがある． したがって高いPCEを実現するためにはレーザ構造中の

半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。また、よくあるご質問と回答を掲載しています。ご検討、ご使用の際にご一読ください。

（40 mA）と高いスロープ効率を実現した．200 mW以上の 高出力時において，単一横モード特性を維持することが できた．90 mW（連続光）出力の時の広がり角は，半値全幅 で垂直が19.1゜，水平が8.5゜であった．縦モードを評価

加を抑えつつ、スロープ効率をほぼ4倍に向上させること に成功し、このような高い出力を得るに至った。次に、{2021}面上緑色レーザの光電変換効率（WPE※6） について述べる。図2（b）に示すように、520nmより長波

ゼロから学ぶ半導体レーザー 1. 半導体レーザーの基礎 1.1. 半導体レーザーとは 1.1.1. ダイオード励起レーザー 1.2. 半導体レーザーにおける誘導放出と光増幅利得 1.2.1. 直接遷移型半導体のバンド構造…

2章 半導体レーザー（レーザーダイオード， LD ） （執筆者：西山伸彦） [2009 年2 月受領] 概要 半導体のバンド間による遷移により発光・光増幅を起こし，内部もしくは外部に作られた反 ...

されたレーザパワーの割合． スロープ効率 光出力が駆動電流を上げたときどのくらいの割合で上昇するかをし めす．I-Lカーブの傾き． 特性温度 半導体の閾値電流およびスロープ効率の温度依存性を指数関数 フィットしたときの係数として算出

>> 微分効率（スロープ効率） << 微分 とは、非線形なものの特性をグラフに書いたときの傾きです。 数学で2次曲線の「傾き」などを習ったと思いますが、それです。 スロープ slope は坂道の傾斜の意味です。 例えばダイオードは電圧と電流が非線形ですよね、だから 抵抗電圧/電流 は一定して ...

スポンサード リンク 半導体レーザ スポンサード リンク 【要約】 【課題】スロープ効率が高い半導体レーザを得る。【解決手段】n型GaN基板10上に、n型AlGaNクラッド層14、アンドープの活性層16、p型AlGaN電子障壁層18、p型AlGaNクラッド層20及びp型GaNコンタクト層22が順番に形成されている。

色半導体レーザの光出力と光-電力変換効率WPE（Wall-Plug Efficiency）の推移である。2006年には，光出力0.5 W，WPEが 20％7）であった青色半導体レーザの光出力および効率が，種々 の効率向上のための新規要素技術を導入

ところでレーザのスロープ効率（ ）は，以下の式で表 される。･････（1） ここで， は内部量子効率， はレーザ共振器におけ る内部損失である。また はミラー損失であり，共振器 長をL，端面反射率をR1，R2として次式で与えられる。

ロープ効率が一定のまま出力が増加し，単体から得られた最大出力7.5 W（励起光パワー 19W）を上回る出力9.2 Wが得られた．しかしながら，スロープ効率は35.5 %と単体よ り小さくなった．これは，ダイヤモンドとNd:YAG との屈折率が

【課題】スロープ効率が高い半導体レーザを得る。【解決手段】n型GaN基板10上に、n型AlGaNクラッド層14、アンドープの活性層16、p型AlGaN電子障壁層18、p型AlGaNクラッド層20及びp型GaNコンタクト層22が順番に形成されている。

半導体レーザ装置 スポンサード リンク 【要約】 【目的】 InGaAlP系赤色半導体レーザ装置のスロープ効率を低下させると共に、ドループ特性を含めた温度特性を改善して、使い易い半導体レーザ装置を提供する点にある。

半導体レーザ. 【課題】 特性ばらつきが少なく高スロープ効率のファブリ・ペロー型レーザダイオード、あるいは戻り光雑音を抑制できる分布帰還型レーザダイオード等の半導体レーザを得る。. 【解決手段】 少なくとも一つのレーザ光出射面に対し誘電体 ...

キセノンランプと半導体レーザーの比較 キセノンランプ 半導体レーザー 電気-光変換効率 高い 50～70% 吸収効率 ~10%（Nd:YAG） >90% 寿命 100～数1000 h 10,000～20,000 h 電圧 数1000 V 2～50 V 高出力化 大型化により可能 数を

半導体レーザ 半導体レーザには様々な種類があり、周期表のIII族からVI族の元素のうち、2成分、3成分、4成分から構成されます。レーザは、波長400 nm程度の青色から赤外域の範囲で発振します。 このような広い範囲での発振と、小型、小さい駆動電流、低い運用コスト、高効率という特長に ...

半導体レーザーの内部損失αについて ファブリペロ共振のレーザーの内部損失α(参照・外部微分量子効率)を求めたいのですが、その方法がわかりません。 発振スペクトルを測定し、そこから求めようと思っているのですが、自分が考えてる方法では値がマイナスだったり、大きすぎたりしてい ...

電力変換効率と量子効率って関係あるんですか？ 素人ですいません。 量子効率は発生した電子の数と受け取った光子の数からもとめらるとおもうのですが、例えば、2V印加して620nmのエネルギー を持つ光子を一秒間に1×10の十七乗個照射したとき1.6mAの電流が流れたとしたら電力変換効率はどう ...

スロープ効率が24％であるため、短ゲインファイバで高出力パワーを実現するためのポンピング方法と、特別なパッケージの実装方法に問題があります。中国では超短キャビティDBR構造ファイバーレーザーも研究されていますが、レーザー効率

効率化のために、下部反射構造を導入。(c) 遠視野像。極めて狭い拡がり角（～ 0.1 ）の動作が実現。(d) 電流-光出力特性。～0.8W/A の高いスロープ効率で 10W 以上の光出力が得られています。

ワーは184 mW，スロープ効率は8.6%である。こ の閾値吸収パワーは現在報告されている半導体レ ーザ直接励起チタンサファイアレーザの中で最小 である。これまで青色半導体直接励起チタンサファ イアレーザの先行研究では，Roth らに

InGaAsレーザの輝度が、5mmの長さ で広い面積のものとテーパー付けしたも のとで著しく異なることを示した。均一 な90μm幅のストライプを持つレーザ は10Wを放射し、スロープ効率は1.1 W/A、ピーク電気‐光学効率は65%で あった。4 の

半導体レーザ(レーザーダイオード)とは 半導体レーザ（LD:Laser Diode)とは、半導体に電流を流してレーザ発振させる素子です。そのままレーザーダイオードという名称を用いることも多く、半導体レーザー・レーザーダイオードそれぞれの名称で商品展開されていますがどちらも同じものです。

30％以上 の電力効率 がほとんどです。レーザダイオード は半導体材料 で作られている ため、 気体 レーザ の場合 のような 壊れ易いガラ スケース やミラー 調整 などが 必要 ありません。レーザダイオード の頑丈 さコンパクト さは 他の

しかし実験結果は、スロープ効率が大きいとき、連続短波長レーザの動作波長も大きいことを示した。これは主に短波長のレーザ放出の自然放出がドープファイバによって再び吸収されたためである。 1030 nmの単一周波数出力で。レーザの

半導体レーザーでDH(ダブルへテロ)構造を用いたキャリアの閉じ込めについてなんですが、この場合電子が伝導帯に出てくるヘテロ障壁によって閉じ込められることは分かるのですが、正孔は価電子帯にあると思うので、ヘテロ障壁が価電子帯に

スロープ効率 I P S j j Δ Δ d 14 半導体レーザー 発光効率 外部微分 量子効率 ω ω η h h e S e P I j j j d d Δ ÷ Δ （外部放出光子数） （注入キャリア数） 15 半導体レーザー 発光効率 外部微分 量子効率 1 2 i 1 2 d i 1 ln 2 1 ln ...

内部量子効率と外部量子効率 半導体レーザーにおける量子効率とは、1個の電子の遷移から1個のフォトンを取り出せる確率である。半導体レーザーの共振器内部の損失を考慮した場合の量子効率を内部量子効率と呼ぶ。一方、半導体レーザー…

高効率高出力半導体レーザ 23 て導電性キャリアの濃度を高めることが有効である．そ の一方で光フィールド内の導電性キャリアの増加は光の 吸収による導波ロスを増加させるトレードオフがある． したがって高いPCEを実現するためにはレーザ構造中の

半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。また、よくあるご質問と回答を掲載しています。ご検討、ご使用の際にご一読ください。

（40 mA）と高いスロープ効率を実現した．200 mW以上の 高出力時において，単一横モード特性を維持することが できた．90 mW（連続光）出力の時の広がり角は，半値全幅 で垂直が19.1゜，水平が8.5゜であった．縦モードを評価

加を抑えつつ、スロープ効率をほぼ4倍に向上させること に成功し、このような高い出力を得るに至った。次に、{2021}面上緑色レーザの光電変換効率（WPE※6） について述べる。図2（b）に示すように、520nmより長波

ゼロから学ぶ半導体レーザー 1. 半導体レーザーの基礎 1.1. 半導体レーザーとは 1.1.1. ダイオード励起レーザー 1.2. 半導体レーザーにおける誘導放出と光増幅利得 1.2.1. 直接遷移型半導体のバンド構造…

2章 半導体レーザー（レーザーダイオード， LD ） （執筆者：西山伸彦） [2009 年2 月受領] 概要 半導体のバンド間による遷移により発光・光増幅を起こし，内部もしくは外部に作られた反 ...

されたレーザパワーの割合． スロープ効率 光出力が駆動電流を上げたときどのくらいの割合で上昇するかをし めす．I-Lカーブの傾き． 特性温度 半導体の閾値電流およびスロープ効率の温度依存性を指数関数 フィットしたときの係数として算出

>> 微分効率（スロープ効率） << 微分 とは、非線形なものの特性をグラフに書いたときの傾きです。 数学で2次曲線の「傾き」などを習ったと思いますが、それです。 スロープ slope は坂道の傾斜の意味です。 例えばダイオードは電圧と電流が非線形ですよね、だから 抵抗電圧/電流 は一定して ...

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色半導体レーザの光出力と光-電力変換効率WPE（Wall-Plug Efficiency）の推移である。2006年には，光出力0.5 W，WPEが 20％7）であった青色半導体レーザの光出力および効率が，種々 の効率向上のための新規要素技術を導入

ところでレーザのスロープ効率（ ）は，以下の式で表 される。･････（1） ここで， は内部量子効率， はレーザ共振器におけ る内部損失である。また はミラー損失であり，共振器 長をL，端面反射率をR1，R2として次式で与えられる。

ロープ効率が一定のまま出力が増加し，単体から得られた最大出力7.5 W（励起光パワー 19W）を上回る出力9.2 Wが得られた．しかしながら，スロープ効率は35.5 %と単体よ り小さくなった．これは，ダイヤモンドとNd:YAG との屈折率が

【課題】スロープ効率が高い半導体レーザを得る。【解決手段】n型GaN基板10上に、n型AlGaNクラッド層14、アンドープの活性層16、p型AlGaN電子障壁層18、p型AlGaNクラッド層20及びp型GaNコンタクト層22が順番に形成されている。

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キセノンランプと半導体レーザーの比較 キセノンランプ 半導体レーザー 電気-光変換効率 高い 50～70% 吸収効率 ~10%（Nd:YAG） >90% 寿命 100～数1000 h 10,000～20,000 h 電圧 数1000 V 2～50 V 高出力化 大型化により可能 数を

半導体レーザ 半導体レーザには様々な種類があり、周期表のIII族からVI族の元素のうち、2成分、3成分、4成分から構成されます。レーザは、波長400 nm程度の青色から赤外域の範囲で発振します。 このような広い範囲での発振と、小型、小さい駆動電流、低い運用コスト、高効率という特長に ...

半導体レーザーの内部損失αについて ファブリペロ共振のレーザーの内部損失α(参照・外部微分量子効率)を求めたいのですが、その方法がわかりません。 発振スペクトルを測定し、そこから求めようと思っているのですが、自分が考えてる方法では値がマイナスだったり、大きすぎたりしてい ...

電力変換効率と量子効率って関係あるんですか？ 素人ですいません。 量子効率は発生した電子の数と受け取った光子の数からもとめらるとおもうのですが、例えば、2V印加して620nmのエネルギー を持つ光子を一秒間に1×10の十七乗個照射したとき1.6mAの電流が流れたとしたら電力変換効率はどう ...

スロープ効率が24％であるため、短ゲインファイバで高出力パワーを実現するためのポンピング方法と、特別なパッケージの実装方法に問題があります。中国では超短キャビティDBR構造ファイバーレーザーも研究されていますが、レーザー効率

効率化のために、下部反射構造を導入。(c) 遠視野像。極めて狭い拡がり角（～ 0.1 ）の動作が実現。(d) 電流-光出力特性。～0.8W/A の高いスロープ効率で 10W 以上の光出力が得られています。

ワーは184 mW，スロープ効率は8.6%である。こ の閾値吸収パワーは現在報告されている半導体レ ーザ直接励起チタンサファイアレーザの中で最小 である。これまで青色半導体直接励起チタンサファ イアレーザの先行研究では，Roth らに

InGaAsレーザの輝度が、5mmの長さ で広い面積のものとテーパー付けしたも のとで著しく異なることを示した。均一 な90μm幅のストライプを持つレーザ は10Wを放射し、スロープ効率は1.1 W/A、ピーク電気‐光学効率は65%で あった。4 の

半導体レーザ(レーザーダイオード)とは 半導体レーザ（LD:Laser Diode)とは、半導体に電流を流してレーザ発振させる素子です。そのままレーザーダイオードという名称を用いることも多く、半導体レーザー・レーザーダイオードそれぞれの名称で商品展開されていますがどちらも同じものです。

30％以上 の電力効率 がほとんどです。レーザダイオード は半導体材料 で作られている ため、 気体 レーザ の場合 のような 壊れ易いガラ スケース やミラー 調整 などが 必要 ありません。レーザダイオード の頑丈 さコンパクト さは 他の

しかし実験結果は、スロープ効率が大きいとき、連続短波長レーザの動作波長も大きいことを示した。これは主に短波長のレーザ放出の自然放出がドープファイバによって再び吸収されたためである。 1030 nmの単一周波数出力で。レーザの

半導体レーザーでDH(ダブルへテロ)構造を用いたキャリアの閉じ込めについてなんですが、この場合電子が伝導帯に出てくるヘテロ障壁によって閉じ込められることは分かるのですが、正孔は価電子帯にあると思うので、ヘテロ障壁が価電子帯に

スロープ効率は77.1％、光 - 光変換効率は60.7％である[11]。上記の研究はすべて、励起光源として通常の半導体レーザーまたは非ロック波長を有する固体レーザーを使用しており、それらはすべて基本周波数光の研究用である。励起光源

スロープ効率 η 1.00 0.90 W/A 表1 2波長高出力半導体レーザの仕様 シャープ技報 第99号・2009年8月 31 の値に維持するように連続駆動した 時，レーザに流す電流値（Iop）の 時間変化を調べた結果です。CDレー ザの書き込み れの ...

本製品は弊社従来品※1に比べ、WPE※2が21.4％から28.6％へ7ポイント改善、スロープ効率※3も18%向上し、お客様の省エネに貢献します。また寿命に関しても40％の長寿命化を達成しました。これにより、フォトリソグラフィーやPCB製造を

測定回路 半導体レーザモジュールのスロープ効率の測定は，図3によって6.6.3の方法で行う。 6.6.3 測定方法 半導体レーザモジュールに流す順方向電流Ifを変化させながら，IfとPfをX−Yレコー ダ，オシロスコープなどで記録し，式(1)によっ

パワー変換効率：＞50% at 940nm デュアルジャンクション スロープ効率：2W/A トリプルジャンクション スロープ効率：3W/A 少ない電流でシングルジャンクションVCSELと同じ光学性能を実現 必要電流を大幅に削減することでドライバーのより高速な切替え速度が可能

レーザー発振＜注入電流-光出力 (I-L) 特性＞ : レーザーダイオードは増幅することで得られた利得が内部損失とミラー損失を上回ると発振します。 すなわち発振電流閾値が存在します。レーザーダイオードの注入電流－光出力 (I-L) 特性から、最大出力はキンク（電流-光出力直線の折れ曲がり ...

特集論文 7（305） 高効率・高出力青紫色半導体レーザ 蔵本恭介＊ 川崎和重＊ 大野彰仁＊ 要 旨 Blu－Ray又はHD－DVD（High Definition－Digital Versatile Disc）などの次世代光ディスクシステムにおいて も，記録型DVDと同様，大容 ...

＞＞半導体レーザー（レーザーダイオード）の製品一覧がみたい方はこちら 半導体レーザーとは、半導体を素材としてつくられた回路素子です。 電流を流すことでレーザーを発生させることができ、レーザーダイオードとも呼ばれています。 ...

京都大学(京大)と北陽電機は、2020年7月に発表したLiDARに搭載した「フォトニック結晶レーザー」のレンズを必要としない特性を活かすことで ...

電力変換効率と量子効率って関係あるんですか？ 素人ですいません。 量子効率は発生した電子の数と受け取った光子の数からもとめらるとおもうのですが、例えば、2V印加して620nmのエネルギー を持つ光子を一秒間に1×10の十七乗個照射したとき1.6mAの電流が流れたとしたら電力変換効率はどう ...

スロープ効率は77.1％、光 - 光変換効率は60.7％である[11]。上記の研究はすべて、励起光源として通常の半導体レーザーまたは非ロック波長を有する固体レーザーを使用しており、それらはすべて基本周波数光の研究用である。励起光源

スロープ効率が24％であるため、短ゲインファイバで高出力パワーを実現するためのポンピング方法と、特別なパッケージの実装方法に問題があります。中国では超短キャビティDBR構造ファイバーレーザーも研究されていますが、レーザー効率

研究グループは、開発したフォトニック結晶レーザーと一般的なブロードエリア半導体レーザーの出射光が、レンズなしで遠方まで伝わった時のビームスポットを測定し、ビーム品質などを比較した。 この結果、フォトニック結晶レーザーでは、30m先でも円形で5cm以下という狭いビーム ...

発振に成功しました。実験では、スロープ効率78％という結果が得られ、この結晶 を用いたレーザー発振における世界最高記録が達成されました。従来の実用化され ているNd：YAGレーザーのスロープ効率が、ランプ励起で10％、半導体

半導体レーザーには、体積が小さく、電気光学変換の効率が高いなど、非常に明らかな利点があります。これらの利点により、半導体レーザーはさまざまな業界で使用されてきました。 半導体レーザーは通常、最も基本的な発光管と組み合わされます。

効率化のために、下部反射構造を導入。(c) 遠視野像。極めて狭い拡がり角（～ 0.1 ）の動作が実現。(d) 電流-光出力特性。～0.8W/A の高いスロープ効率で 10W以上の光出力が得られています。

vices（半導体発光デバイスに関する国 際シンポジウム）において、TO 38パッ ケージに収容された極性InGaNレーザ ダイオードによって、520nmで100mW を超えるシングルモード出力が得られ たと発表した（5）。スロープ効率は0.65 W/A

高いスロープ効率 .025nm/mAが観測されます。 全ての波長のDFBレーザーにおいて、写真に示すご希望のパッケージにて供給いたします。 ここに示されているパッケージは標準のTOヘッダー、例えば、TO5.6、TO9、TO8)でペルチェクーラーの付いているタイプもあります。

表3.1 半導体レーザーの仕様(Tc25 ) 発振波長 784nm 直流光出力 120mW しきい値電流 30mA スロープ効率 .9mW/mA ビーム広がり角（平行） 8.7 ビーム広がり角（垂直） 16 図3.1 半導体レーザーの注入電流と波長 780 781 782

情報処理用半導体レーザ Laser Diodesfor Opticallnformation Processing Systems ディ ジタルオーディオディ スク, ビデオディ スク,レーザビームプリンタ,光デ ィスクファイルなどの光情報処f里機器用の光兆iとLて､短波長,高仁言帖の半ユキ体 ...

57)【要約】 【課題】 安定な単一モードでスロープ効率が高く、か つ作製公差の大きい分散位相シフト分布構造帰還型半導 布帰還型半導体レーザは、素子が長さ方向に3つの領域 に分けられ、領域1の長さを領域3の長さよりも短く し ...

AlGaInAs系BHレーザで63 K，GaInAsP系BHレーザで50 K となり，AlGaInAs系材料の方が良好な結果が得られた。また，スロープ効率の悪化も25 から85 の温度範囲で，AlGaInAs 系BHレーザで－17%，GaInAsP系BHレーザで－31

3 C 5943：2010 直流電圧計の内部抵抗は，半導体レーザの抵抗値に比べ測定値に影響を与えない程度に十分大きくなければならない。 図1−順電流，順電圧，光出力，しきい値電流，しきい値光出力及びスロープ効率 ...

青色半導体レーザーを用いた高密度励起 連続波Ti:sapphireレーザーの効率に関する理論解析 片岡俊二†, 柴田正志††, 小林亮†, 青柳祐宇††, 前田準哉††, 川戸栄†††, 河仲準二†††† †福井大学大学院工学研究科気電子工学専攻, ††福井大学大学院工学部電気電子工学科,††

目的: 青色面発光レーザ (VCSEL)の低しきい値化およびスロープ効率の向上. →埋め込みトンネル接合による電流狭窄構造の応用. 現状. 駆動電圧: 6.16V 5kA/cm2. 明確な電流狭窄. 比較的良好な表面形状. 今後. 面発光レーザへの適用. 他の光デバイスへの適用.

GaN 系半導体レーザを用いた直接励起が可能であ る．Fig.1 にPr3+ のエネルギー準位図を示す．既 に我々は，Pr3+:YLF レーザでは，緑，オレンジ，赤色帯でのCW 発振がスロープ効率35-50 %で実 現し，赤色，橙色，緑色のCW

青紫色半導体レーザ技術 11 焦点のずれを抑えられるので，レンズ設計が容易になり，光 ピックアップの小型化や低価格化が可能となる。HDDVDなどの光ディスクシステムはパルス光を用いるた めに，注入電流パルスに対する発振波長の変化 ...

ダイオードレーザ励起Nd：YVO 4 レーザ 基本波発振 反射率R＝96％の出力ミラーと、a軸カットで3mm長のNd：YVO4結晶を用いて、1．06μmで、しきい値78mW、スロープ効率48．5％が得られています。同じ

スロープ効率(mW/mA) 出力パワー(mW) チューニング係数(nm/mA) サイドモード抑圧比(dB) 用途 EP760### 760 30 0.1 6 0.010 40 酸素センシング EP1278### 1260 - 1300 14 0.21 14 0.014 40 HFセンシング EP1342### 1320 - 1380 12

半導体レーザーでDH(ダブルへテロ)構造を用いたキャリアの閉じ込めについてなんですが、この場合電子が伝導帯に出てくるヘテロ障壁によって閉じ込められることは分かるのですが、正孔は価電子帯にあると思うので、ヘテロ障壁が価電子帯に

岡崎国立共同研究機構分子科学研究所の平等拓範助教授らは、ネオジウムを添加したイットリウムバナデード(Nd:YVO4)マイクロチップレーザーを輻射 制御直接励起方式で励起することにより80.3％のスロープ効率を達成。半導体レーザー(LD)励起固体レーザー(DPSSL)でスロープ効率80％台は 初めて。

さらに、窒化物半導体レーザ素子1は、ガイド層122の光閉じ込め係数Γを向上させて、スロープ効率の向上を図ることができる。ここで、スロープ効率は、発光出力（W）を投入電流（A）で除す（発光出力／投入電流）ことにより求め

波長が940nmの水平共振器面発光分布帰還半導体レーザを設計し、格子の構造パラメータ (形状、周期、デューティ比、エッチング深さなど)がレーザー発光特性 (線幅、サイドモード抑制比、パワー及びスロープ効率など)に与える影響を分析した。. 2次回折 ...

発光効率が極端に低下することからまだ 実現には至っていない注2。これはInGaN材料が抱える物性の問 題である。通常InGaN系半導体LDは，極性面の1つであるGaN基板のc面上に 形成される（図1）。そのため，レーザ 光を発する

しかし,窓の長さが増加すると,高出力レーザ傾斜効率は低下した。本研究では,別々にポンプされた窓(SPW)法を提案し,それらの性能を損なうことなく,半導体レーザのファセット温度を大幅に低減することを実験的に実証した。5mm長の高出力

450 nm 半導体レーザ励起チタンドープサファイアレーザの低温動作による性能改善 Ti: sapphire laser pumped by 450-nm diode laser at low temperatureFig. 1 に示し，Findlay-Clay 法 で求めた損失とモードマッチング効率を加えた更 に詳細な

レーザ媒質には半導体、ガス、結晶があり、それぞれ半導体レーザ、ガスレーザ、固体レーザに用いられる。 レチクル検査機 半導体デバイスの製作工程でパターンの縮小投影露光に使用されるフォトマスクを検査する専用の検査装置。

半導体レーザ装置 Info Publication number JP3144740B2 JP3144740B2 JP25198393A JP25198393A JP3144740B2 JP 3144740 B2 JP3144740 B2 JP 3144740B2 JP 25198393 A JP25198393 A JP 25198393A JP 25198393 A ...

NEDO省エネルギー技術フォーラム2016 研究開発期間：平成26年9月～平成29年2月 事業実施法人名：パナソニック(株)、IDEC(株) ＜高効率スポット照明用レーザ光源の開発＞ 戦略的省エネルギー技術革新プログラム フェーズ名：実用 ...

概要全ファイバ複合共振器構造を有する同調可能単一周波数（SF）狭線幅ファイバレーザを設計した。それは光ファイバ同調可能フィルタ、高精度リングフィルタ、およびファイバループミラーから構成されている。励起光源として980nmの半導体レーザを使用し、利得媒質および可飽和吸収体と ...

スロープ効率とは、半導体レーザや半導体レーザなどの分野において活用されるキーワードであり、キヤノン株式会社やパナソニック株式会社などが関連する技術を43件開発しています。このページでは、スロープ効率を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や ...

7 量子ドット活性層を用いたレーザ 量子ドットの電子状態 ・ エネルギー準位が離散化 ・ 安価なGaAs基板上で通信波長帯が実現可能 利点 ： 1. 低消費電力、 2. 高効率、 3. 温調フリーで安価 欠点 ： 量子ドット1個で2つの電子のみ（利得が小さい）

青色 InGaN 半導体レーザ励起 高出力 Pr ドープ YLF レーザ及び Qスイッチ動作 High Power Pr doped YLF Laser Pumped by Blue-InGaN-LDs and Q-switched Operation 飯島 功大 (B4), 狩山 了介 (M1), 田中 裕樹 (M2) Kodai Iijima

グラフェンを可飽和吸収体に用いた超高速モード同期固体レーザの研究 2012年1月18日 何 京良（He Jingliang）： 山東大学結晶材料国家重点実験室 教授 1957年10月生まれ。1998年、中国科学院物理研究所で博士号取得（理学博士、光学専攻）。 ...

半導体レーザー、光学機器、光学部品、ピエゾ素子、ナノステージ、グラビア印刷の網点 深度測定など専門知識と、マーケティング能力を兼ね備えたスタッフが、世界中の最 新鋭機器を、日本のみなさまの下へご提供致します。

緑色・青色InGaN半導体レーザ励起モード同期Ti:sapphireレーザの高出力化 Power scaling of mode-locked Ti:sapphire laser directly pumped with green and blue diode lasers 澤田 亮太 (B4), 田中 裕樹 (M2), 狩山 了介 (M1), 保坂 有杜

高温におけるしきい値電流の上昇及びスロープ効率の低下の少ない半導体レーザダイオードを提供する。例文帳に追加 To provide a semiconductor laser device low in the increase of a threshold current and low in the decrease of slope

エッジ励起型マイクロチップYb:YAGレーザの発振に世界で初めて成功 科学技術振興事業団（理事長：沖村 憲樹）と福井県にて平成12年度より推進中の福井県地域結集型共同研究事業(中核機関：(財)福井県産業支援 ...

同成果は、産総研 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリの王学論ラボチーム長、同・熊谷直人チーム付、同・山田永ラボ

スロープ効率 I P S j j Δ Δ d 14 半導体レーザー 発光効率 外部微分 量子効率 ω ω η h h e S e P I j j j d d Δ ÷ Δ （外部放出光子数） （注入キャリア数） 15 半導体レーザー 発光効率 外部微分 量子効率 1 2 i 1 2 d i 1 ln 2 1 ln ...

内部量子効率と外部量子効率 半導体レーザーにおける量子効率とは、1個の電子の遷移から1個のフォトンを取り出せる確率である。半導体レーザーの共振器内部の損失を考慮した場合の量子効率を内部量子効率と呼ぶ。一方、半導体レーザー…

高効率高出力半導体レーザ 23 て導電性キャリアの濃度を高めることが有効である．そ の一方で光フィールド内の導電性キャリアの増加は光の 吸収による導波ロスを増加させるトレードオフがある． したがって高いPCEを実現するためにはレーザ構造中の

半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。また、よくあるご質問と回答を掲載しています。ご検討、ご使用の際にご一読ください。

（40 mA）と高いスロープ効率を実現した．200 mW以上の 高出力時において，単一横モード特性を維持することが できた．90 mW（連続光）出力の時の広がり角は，半値全幅 で垂直が19.1゜，水平が8.5゜であった．縦モードを評価

加を抑えつつ、スロープ効率をほぼ4倍に向上させること に成功し、このような高い出力を得るに至った。次に、{2021}面上緑色レーザの光電変換効率（WPE※6） について述べる。図2（b）に示すように、520nmより長波

ゼロから学ぶ半導体レーザー 1. 半導体レーザーの基礎 1.1. 半導体レーザーとは 1.1.1. ダイオード励起レーザー 1.2. 半導体レーザーにおける誘導放出と光増幅利得 1.2.1. 直接遷移型半導体のバンド構造…

2章 半導体レーザー（レーザーダイオード， LD ） （執筆者：西山伸彦） [2009 年2 月受領] 概要 半導体のバンド間による遷移により発光・光増幅を起こし，内部もしくは外部に作られた反 ...

されたレーザパワーの割合． スロープ効率 光出力が駆動電流を上げたときどのくらいの割合で上昇するかをし めす．I-Lカーブの傾き． 特性温度 半導体の閾値電流およびスロープ効率の温度依存性を指数関数 フィットしたときの係数として算出

>> 微分効率（スロープ効率） << 微分 とは、非線形なものの特性をグラフに書いたときの傾きです。 数学で2次曲線の「傾き」などを習ったと思いますが、それです。 スロープ slope は坂道の傾斜の意味です。 例えばダイオードは電圧と電流が非線形ですよね、だから 抵抗電圧/電流 は一定して ...

スポンサード リンク 半導体レーザ スポンサード リンク 【要約】 【課題】スロープ効率が高い半導体レーザを得る。【解決手段】n型GaN基板10上に、n型AlGaNクラッド層14、アンドープの活性層16、p型AlGaN電子障壁層18、p型AlGaNクラッド層20及びp型GaNコンタクト層22が順番に形成されている。

色半導体レーザの光出力と光-電力変換効率WPE（Wall-Plug Efficiency）の推移である。2006年には，光出力0.5 W，WPEが 20％7）であった青色半導体レーザの光出力および効率が，種々 の効率向上のための新規要素技術を導入

ところでレーザのスロープ効率（ ）は，以下の式で表 される。･････（1） ここで， は内部量子効率， はレーザ共振器におけ る内部損失である。また はミラー損失であり，共振器 長をL，端面反射率をR1，R2として次式で与えられる。

ロープ効率が一定のまま出力が増加し，単体から得られた最大出力7.5 W（励起光パワー 19W）を上回る出力9.2 Wが得られた．しかしながら，スロープ効率は35.5 %と単体よ り小さくなった．これは，ダイヤモンドとNd:YAG との屈折率が

【課題】スロープ効率が高い半導体レーザを得る。【解決手段】n型GaN基板10上に、n型AlGaNクラッド層14、アンドープの活性層16、p型AlGaN電子障壁層18、p型AlGaNクラッド層20及びp型GaNコンタクト層22が順番に形成されている。

半導体レーザ装置 スポンサード リンク 【要約】 【目的】 InGaAlP系赤色半導体レーザ装置のスロープ効率を低下させると共に、ドループ特性を含めた温度特性を改善して、使い易い半導体レーザ装置を提供する点にある。

半導体レーザ. 【課題】 特性ばらつきが少なく高スロープ効率のファブリ・ペロー型レーザダイオード、あるいは戻り光雑音を抑制できる分布帰還型レーザダイオード等の半導体レーザを得る。. 【解決手段】 少なくとも一つのレーザ光出射面に対し誘電体 ...

キセノンランプと半導体レーザーの比較 キセノンランプ 半導体レーザー 電気-光変換効率 高い 50～70% 吸収効率 ~10%（Nd:YAG） >90% 寿命 100～数1000 h 10,000～20,000 h 電圧 数1000 V 2～50 V 高出力化 大型化により可能 数を

半導体レーザ 半導体レーザには様々な種類があり、周期表のIII族からVI族の元素のうち、2成分、3成分、4成分から構成されます。レーザは、波長400 nm程度の青色から赤外域の範囲で発振します。 このような広い範囲での発振と、小型、小さい駆動電流、低い運用コスト、高効率という特長に ...

半導体レーザーの内部損失αについて ファブリペロ共振のレーザーの内部損失α(参照・外部微分量子効率)を求めたいのですが、その方法がわかりません。 発振スペクトルを測定し、そこから求めようと思っているのですが、自分が考えてる方法では値がマイナスだったり、大きすぎたりしてい ...

電力変換効率と量子効率って関係あるんですか？ 素人ですいません。 量子効率は発生した電子の数と受け取った光子の数からもとめらるとおもうのですが、例えば、2V印加して620nmのエネルギー を持つ光子を一秒間に1×10の十七乗個照射したとき1.6mAの電流が流れたとしたら電力変換効率はどう ...

スロープ効率が24％であるため、短ゲインファイバで高出力パワーを実現するためのポンピング方法と、特別なパッケージの実装方法に問題があります。中国では超短キャビティDBR構造ファイバーレーザーも研究されていますが、レーザー効率

効率化のために、下部反射構造を導入。(c) 遠視野像。極めて狭い拡がり角（～ 0.1 ）の動作が実現。(d) 電流-光出力特性。～0.8W/A の高いスロープ効率で 10W 以上の光出力が得られています。

ワーは184 mW，スロープ効率は8.6%である。こ の閾値吸収パワーは現在報告されている半導体レ ーザ直接励起チタンサファイアレーザの中で最小 である。これまで青色半導体直接励起チタンサファ イアレーザの先行研究では，Roth らに

InGaAsレーザの輝度が、5mmの長さ で広い面積のものとテーパー付けしたも のとで著しく異なることを示した。均一 な90μm幅のストライプを持つレーザ は10Wを放射し、スロープ効率は1.1 W/A、ピーク電気‐光学効率は65%で あった。4 の

半導体レーザ(レーザーダイオード)とは 半導体レーザ（LD:Laser Diode)とは、半導体に電流を流してレーザ発振させる素子です。そのままレーザーダイオードという名称を用いることも多く、半導体レーザー・レーザーダイオードそれぞれの名称で商品展開されていますがどちらも同じものです。

30％以上 の電力効率 がほとんどです。レーザダイオード は半導体材料 で作られている ため、 気体 レーザ の場合 のような 壊れ易いガラ スケース やミラー 調整 などが 必要 ありません。レーザダイオード の頑丈 さコンパクト さは 他の

しかし実験結果は、スロープ効率が大きいとき、連続短波長レーザの動作波長も大きいことを示した。これは主に短波長のレーザ放出の自然放出がドープファイバによって再び吸収されたためである。 1030 nmの単一周波数出力で。レーザの

半導体レーザーでDH(ダブルへテロ)構造を用いたキャリアの閉じ込めについてなんですが、この場合電子が伝導帯に出てくるヘテロ障壁によって閉じ込められることは分かるのですが、正孔は価電子帯にあると思うので、ヘテロ障壁が価電子帯に

スロープ効率は77.1％、光 - 光変換効率は60.7％である[11]。上記の研究はすべて、励起光源として通常の半導体レーザーまたは非ロック波長を有する固体レーザーを使用しており、それらはすべて基本周波数光の研究用である。励起光源

スロープ効率 η 1.00 0.90 W/A 表1 2波長高出力半導体レーザの仕様 シャープ技報 第99号・2009年8月 31 の値に維持するように連続駆動した 時，レーザに流す電流値（Iop）の 時間変化を調べた結果です。CDレー ザの書き込み れの ...

本製品は弊社従来品※1に比べ、WPE※2が21.4％から28.6％へ7ポイント改善、スロープ効率※3も18%向上し、お客様の省エネに貢献します。また寿命に関しても40％の長寿命化を達成しました。これにより、フォトリソグラフィーやPCB製造を

測定回路 半導体レーザモジュールのスロープ効率の測定は，図3によって6.6.3の方法で行う。 6.6.3 測定方法 半導体レーザモジュールに流す順方向電流Ifを変化させながら，IfとPfをX−Yレコー ダ，オシロスコープなどで記録し，式(1)によっ

パワー変換効率：＞50% at 940nm デュアルジャンクション スロープ効率：2W/A トリプルジャンクション スロープ効率：3W/A 少ない電流でシングルジャンクションVCSELと同じ光学性能を実現 必要電流を大幅に削減することでドライバーのより高速な切替え速度が可能

レーザー発振＜注入電流-光出力 (I-L) 特性＞ : レーザーダイオードは増幅することで得られた利得が内部損失とミラー損失を上回ると発振します。 すなわち発振電流閾値が存在します。レーザーダイオードの注入電流－光出力 (I-L) 特性から、最大出力はキンク（電流-光出力直線の折れ曲がり ...

特集論文 7（305） 高効率・高出力青紫色半導体レーザ 蔵本恭介＊ 川崎和重＊ 大野彰仁＊ 要 旨 Blu－Ray又はHD－DVD（High Definition－Digital Versatile Disc）などの次世代光ディスクシステムにおいて も，記録型DVDと同様，大容 ...

＞＞半導体レーザー（レーザーダイオード）の製品一覧がみたい方はこちら 半導体レーザーとは、半導体を素材としてつくられた回路素子です。 電流を流すことでレーザーを発生させることができ、レーザーダイオードとも呼ばれています。 ...

京都大学(京大)と北陽電機は、2020年7月に発表したLiDARに搭載した「フォトニック結晶レーザー」のレンズを必要としない特性を活かすことで ...

電力変換効率と量子効率って関係あるんですか？ 素人ですいません。 量子効率は発生した電子の数と受け取った光子の数からもとめらるとおもうのですが、例えば、2V印加して620nmのエネルギー を持つ光子を一秒間に1×10の十七乗個照射したとき1.6mAの電流が流れたとしたら電力変換効率はどう ...

スロープ効率は77.1％、光 - 光変換効率は60.7％である[11]。上記の研究はすべて、励起光源として通常の半導体レーザーまたは非ロック波長を有する固体レーザーを使用しており、それらはすべて基本周波数光の研究用である。励起光源

スロープ効率が24％であるため、短ゲインファイバで高出力パワーを実現するためのポンピング方法と、特別なパッケージの実装方法に問題があります。中国では超短キャビティDBR構造ファイバーレーザーも研究されていますが、レーザー効率

研究グループは、開発したフォトニック結晶レーザーと一般的なブロードエリア半導体レーザーの出射光が、レンズなしで遠方まで伝わった時のビームスポットを測定し、ビーム品質などを比較した。 この結果、フォトニック結晶レーザーでは、30m先でも円形で5cm以下という狭いビーム ...

発振に成功しました。実験では、スロープ効率78％という結果が得られ、この結晶 を用いたレーザー発振における世界最高記録が達成されました。従来の実用化され ているNd：YAGレーザーのスロープ効率が、ランプ励起で10％、半導体

半導体レーザーには、体積が小さく、電気光学変換の効率が高いなど、非常に明らかな利点があります。これらの利点により、半導体レーザーはさまざまな業界で使用されてきました。 半導体レーザーは通常、最も基本的な発光管と組み合わされます。

効率化のために、下部反射構造を導入。(c) 遠視野像。極めて狭い拡がり角（～ 0.1 ）の動作が実現。(d) 電流-光出力特性。～0.8W/A の高いスロープ効率で 10W以上の光出力が得られています。

vices（半導体発光デバイスに関する国 際シンポジウム）において、TO 38パッ ケージに収容された極性InGaNレーザ ダイオードによって、520nmで100mW を超えるシングルモード出力が得られ たと発表した（5）。スロープ効率は0.65 W/A

高いスロープ効率 .025nm/mAが観測されます。 全ての波長のDFBレーザーにおいて、写真に示すご希望のパッケージにて供給いたします。 ここに示されているパッケージは標準のTOヘッダー、例えば、TO5.6、TO9、TO8)でペルチェクーラーの付いているタイプもあります。

表3.1 半導体レーザーの仕様(Tc25 ) 発振波長 784nm 直流光出力 120mW しきい値電流 30mA スロープ効率 .9mW/mA ビーム広がり角（平行） 8.7 ビーム広がり角（垂直） 16 図3.1 半導体レーザーの注入電流と波長 780 781 782

情報処理用半導体レーザ Laser Diodesfor Opticallnformation Processing Systems ディ ジタルオーディオディ スク, ビデオディ スク,レーザビームプリンタ,光デ ィスクファイルなどの光情報処f里機器用の光兆iとLて､短波長,高仁言帖の半ユキ体 ...

57)【要約】 【課題】 安定な単一モードでスロープ効率が高く、か つ作製公差の大きい分散位相シフト分布構造帰還型半導 布帰還型半導体レーザは、素子が長さ方向に3つの領域 に分けられ、領域1の長さを領域3の長さよりも短く し ...

AlGaInAs系BHレーザで63 K，GaInAsP系BHレーザで50 K となり，AlGaInAs系材料の方が良好な結果が得られた。また，スロープ効率の悪化も25 から85 の温度範囲で，AlGaInAs 系BHレーザで－17%，GaInAsP系BHレーザで－31

3 C 5943：2010 直流電圧計の内部抵抗は，半導体レーザの抵抗値に比べ測定値に影響を与えない程度に十分大きくなければならない。 図1−順電流，順電圧，光出力，しきい値電流，しきい値光出力及びスロープ効率 ...

青色半導体レーザーを用いた高密度励起 連続波Ti:sapphireレーザーの効率に関する理論解析 片岡俊二†, 柴田正志††, 小林亮†, 青柳祐宇††, 前田準哉††, 川戸栄†††, 河仲準二†††† †福井大学大学院工学研究科気電子工学専攻, ††福井大学大学院工学部電気電子工学科,††

目的: 青色面発光レーザ (VCSEL)の低しきい値化およびスロープ効率の向上. →埋め込みトンネル接合による電流狭窄構造の応用. 現状. 駆動電圧: 6.16V 5kA/cm2. 明確な電流狭窄. 比較的良好な表面形状. 今後. 面発光レーザへの適用. 他の光デバイスへの適用.

GaN 系半導体レーザを用いた直接励起が可能であ る．Fig.1 にPr3+ のエネルギー準位図を示す．既 に我々は，Pr3+:YLF レーザでは，緑，オレンジ，赤色帯でのCW 発振がスロープ効率35-50 %で実 現し，赤色，橙色，緑色のCW

青紫色半導体レーザ技術 11 焦点のずれを抑えられるので，レンズ設計が容易になり，光 ピックアップの小型化や低価格化が可能となる。HDDVDなどの光ディスクシステムはパルス光を用いるた めに，注入電流パルスに対する発振波長の変化 ...

ダイオードレーザ励起Nd：YVO 4 レーザ 基本波発振 反射率R＝96％の出力ミラーと、a軸カットで3mm長のNd：YVO4結晶を用いて、1．06μmで、しきい値78mW、スロープ効率48．5％が得られています。同じ

スロープ効率(mW/mA) 出力パワー(mW) チューニング係数(nm/mA) サイドモード抑圧比(dB) 用途 EP760### 760 30 0.1 6 0.010 40 酸素センシング EP1278### 1260 - 1300 14 0.21 14 0.014 40 HFセンシング EP1342### 1320 - 1380 12

半導体レーザーでDH(ダブルへテロ)構造を用いたキャリアの閉じ込めについてなんですが、この場合電子が伝導帯に出てくるヘテロ障壁によって閉じ込められることは分かるのですが、正孔は価電子帯にあると思うので、ヘテロ障壁が価電子帯に

岡崎国立共同研究機構分子科学研究所の平等拓範助教授らは、ネオジウムを添加したイットリウムバナデード(Nd:YVO4)マイクロチップレーザーを輻射 制御直接励起方式で励起することにより80.3％のスロープ効率を達成。半導体レーザー(LD)励起固体レーザー(DPSSL)でスロープ効率80％台は 初めて。

さらに、窒化物半導体レーザ素子1は、ガイド層122の光閉じ込め係数Γを向上させて、スロープ効率の向上を図ることができる。ここで、スロープ効率は、発光出力（W）を投入電流（A）で除す（発光出力／投入電流）ことにより求め

波長が940nmの水平共振器面発光分布帰還半導体レーザを設計し、格子の構造パラメータ (形状、周期、デューティ比、エッチング深さなど)がレーザー発光特性 (線幅、サイドモード抑制比、パワー及びスロープ効率など)に与える影響を分析した。. 2次回折 ...

発光効率が極端に低下することからまだ 実現には至っていない注2。これはInGaN材料が抱える物性の問 題である。通常InGaN系半導体LDは，極性面の1つであるGaN基板のc面上に 形成される（図1）。そのため，レーザ 光を発する

しかし,窓の長さが増加すると,高出力レーザ傾斜効率は低下した。本研究では,別々にポンプされた窓(SPW)法を提案し,それらの性能を損なうことなく,半導体レーザのファセット温度を大幅に低減することを実験的に実証した。5mm長の高出力

450 nm 半導体レーザ励起チタンドープサファイアレーザの低温動作による性能改善 Ti: sapphire laser pumped by 450-nm diode laser at low temperatureFig. 1 に示し，Findlay-Clay 法 で求めた損失とモードマッチング効率を加えた更 に詳細な

レーザ媒質には半導体、ガス、結晶があり、それぞれ半導体レーザ、ガスレーザ、固体レーザに用いられる。 レチクル検査機 半導体デバイスの製作工程でパターンの縮小投影露光に使用されるフォトマスクを検査する専用の検査装置。

半導体レーザ装置 Info Publication number JP3144740B2 JP3144740B2 JP25198393A JP25198393A JP3144740B2 JP 3144740 B2 JP3144740 B2 JP 3144740B2 JP 25198393 A JP25198393 A JP 25198393A JP 25198393 A ...

NEDO省エネルギー技術フォーラム2016 研究開発期間：平成26年9月～平成29年2月 事業実施法人名：パナソニック(株)、IDEC(株) ＜高効率スポット照明用レーザ光源の開発＞ 戦略的省エネルギー技術革新プログラム フェーズ名：実用 ...

概要全ファイバ複合共振器構造を有する同調可能単一周波数（SF）狭線幅ファイバレーザを設計した。それは光ファイバ同調可能フィルタ、高精度リングフィルタ、およびファイバループミラーから構成されている。励起光源として980nmの半導体レーザを使用し、利得媒質および可飽和吸収体と ...

スロープ効率とは、半導体レーザや半導体レーザなどの分野において活用されるキーワードであり、キヤノン株式会社やパナソニック株式会社などが関連する技術を43件開発しています。このページでは、スロープ効率を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や ...

7 量子ドット活性層を用いたレーザ 量子ドットの電子状態 ・ エネルギー準位が離散化 ・ 安価なGaAs基板上で通信波長帯が実現可能 利点 ： 1. 低消費電力、 2. 高効率、 3. 温調フリーで安価 欠点 ： 量子ドット1個で2つの電子のみ（利得が小さい）

青色 InGaN 半導体レーザ励起 高出力 Pr ドープ YLF レーザ及び Qスイッチ動作 High Power Pr doped YLF Laser Pumped by Blue-InGaN-LDs and Q-switched Operation 飯島 功大 (B4), 狩山 了介 (M1), 田中 裕樹 (M2) Kodai Iijima

グラフェンを可飽和吸収体に用いた超高速モード同期固体レーザの研究 2012年1月18日 何 京良（He Jingliang）： 山東大学結晶材料国家重点実験室 教授 1957年10月生まれ。1998年、中国科学院物理研究所で博士号取得（理学博士、光学専攻）。 ...

半導体レーザー、光学機器、光学部品、ピエゾ素子、ナノステージ、グラビア印刷の網点 深度測定など専門知識と、マーケティング能力を兼ね備えたスタッフが、世界中の最 新鋭機器を、日本のみなさまの下へご提供致します。

緑色・青色InGaN半導体レーザ励起モード同期Ti:sapphireレーザの高出力化 Power scaling of mode-locked Ti:sapphire laser directly pumped with green and blue diode lasers 澤田 亮太 (B4), 田中 裕樹 (M2), 狩山 了介 (M1), 保坂 有杜

高温におけるしきい値電流の上昇及びスロープ効率の低下の少ない半導体レーザダイオードを提供する。例文帳に追加 To provide a semiconductor laser device low in the increase of a threshold current and low in the decrease of slope

エッジ励起型マイクロチップYb:YAGレーザの発振に世界で初めて成功 科学技術振興事業団（理事長：沖村 憲樹）と福井県にて平成12年度より推進中の福井県地域結集型共同研究事業(中核機関：(財)福井県産業支援 ...

同成果は、産総研 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリの王学論ラボチーム長、同・熊谷直人チーム付、同・山田永ラボ

半導体レーザー部品内と空気中とでは、光の屈折率が違うため、波長が0.4ミクロンだったレーザー光は、空気中に出ると波長が1.3ミクロンになります。） 山の周期2倍の幅（0.4ミクロン）を持つ波長以外の光は進んできた光と ...

スロープ効率 1.2mW/mA 1.4mW/mA 1.9mW/mA 1.0mW/mA 1.5mW/mA 2.0mW/mA モニター電流 ー PD逆電圧 ー ファイバーコネクタ FC/ST/SMA905 ファイバー長 ー 80cm 100cm ー 80cm 100cm しきい値電流 ー 35mA 50mA ー

半導体レーザはダイオードの一種で、ダイオードとしての電気的性質とレーザ光を発する性質を備えており、レーザダイオードとも呼ばれます。. 半導体レーザはガスレーザなどに比べて小型・軽量であり、Blu-ray DiscやDVDなどの光ディスクの記録・再生用途 ...

構造上の違いですが、半導体レーザでは、光の共振器が作られています。最も簡単な共振器は、半 導体の表面、実際には「へきかい」によって切断された結晶の断面を用います。結晶は屈折率が空 気より高いので、結晶の断面と空気の間では光の反射が起きます。

青色半導体レーザー ※1 は金属に対する吸収効率が高く、赤外半導体レーザーでは困難とされる銅や金などの加工に適しており、次世代レーザー加工機用の光源として応用が期待されるほか、熱伝導型溶接 ※2 やレーザーマーキング用の光源として用途が広がりつつあります。

しかし，ランプ励起の高出力'( レーザは発振効率 が悪いという欠点を有するため，最近は，高発振効率の 観点から半導体レーザ（0 ˚˝. 0 ˛˝ ）が注目されてお り，さらに，高発振効率・高輝度の観点から，0 励起

レーザーによる還元効率42.5％を実現し，太陽光励起レーザーもスロープ効率14％を達成し，実用化が見えてき た．20年後に深刻となる水問題の解決法についても述べる． Keywords: renewableenergy,solarenergy,laser,magnesium2

高効率・高出力2μm帯パルスレーザー光源の開発 電気通信大学 レーザー新世代研究センター 助教 戸倉川 正樹 （平成26年度一般研究開発助成AF-2014212） キーワード：2μm 帯パルスレーザー，Tm ファイバーレーザー，Tm 固体

ここでは半導体レーザの構造、発振原理、分布帰還型レー ザについて述べる。発光ダイオードがLED と略称されるよ うに半導体レーザ（LD: Laser Diode）もLD とされる。 2.1 構造 半導体レーザでは、細長い導波路を組成の異なる半導体

半導体レーザーのデバイス物理に従って9） ，内部量子 効率とレーザー出力の関係を近似的に導くことができ る．レーザー発振のしきい値においては，モーダルゲイ ン（gΓ）は，ミラー損失と内部損失の合計（α m +αi ）と釣り

1．半導体レーザの構造 半導体レーザの構造には、高効率の発光出力を得るためにダブルヘテロ接合が使われています。 [※ダブルヘテロ接合の基礎知識についてはこちらをご覧ください。 図1に半導体レーザの構造とエネルギーバンドを示します。

スロープ効率 CW出力5mW 0.005 0.08 0.2 mW/mA 動作電流 Iop PO 10 mW (CW) 100 200 mA TEC設定温度 Ts 15 35 レーザー順電圧 VF CW出力10mW 1.2 2.0 V 暗電流の監視 ID 0.1 μA 入力インピーダンス ZIN 22

レーザー光の出力波形が最適化出来ていないと、材料によってはスパッタやクラック、ブローホールなどの溶接不良が発生する場合があります。本ページでは波形制御機能を利用するメリットなどをご紹介しています。レーザー溶接をご検討されているお客様、レーザー溶接でお悩みのお客様 ...

スロープ効率 1.2mW/mA 1.4mW/mA 1.9mW/mA 1.0mW/mA 1.5mW/mA 2.0mW/mA モニター電流-PD逆電圧-ファイバーコネクタ FC/ST/SMA905 ファイバー長-80cm 100cm-80cm 100cm しきい値電流-35mA 50mA-100mA 130mA - - ー

チョクラルスキー法を用いた結晶成長 高出力、高スロープ効率 Ultra-単パルス、高出力レーザ研究開発用 ダイオードポンプ用レーザー結晶として一般使用 ハイゲイン・ロースレッシュホールド・高い変換効率 非線形光学結晶と合わせて波長可変

IDECは，パナソニックと共同で半導体レーザー光源の高効率スポット照明の開発に成功した（ニュースリリース）。 工場や倉庫などの大空間では，必要箇所のみをスポット的に高照度化することで，空間全体の省エネを図ることが一般的となっている。

半導体レーザ. メニュー. ラインアップ. CWレーザダイオード（CWLD）. パルスレーザダイオード（PLD）. スーパールミネッセントダイオード（SLD）. ファイバ出力型レーザダイオード. 量子カスケードレーザ（QCL）. 高出力レーザダイオードバーモジュール.

っている．半導体デバイスから発生される電磁波の周波数 が高くなると，光の領域に達する． 本資料では，半導体素子の発光と受光の原理，発光ダイ オードや半導体レーザ，フォトダイオードの基本構造や特 性を理解する． 2. 半導体に

る光－光変換効率は70%と高く、現在入手可能 な輝度の高出力半導体レーザーにおいても複 雑な集光光学系を必要とすることなく高効率 動作が実現可能である。 次に、冷却Yb:YAGのエネルギー蓄積能力と 熱耐力を評価するために高平

半導体レーザ 半導体は固体の一種であるが、レーザー技術の分野では固体とは別に分類されている。 Ⅲ-Ⅴ族半導体を利用したものと、Ⅳ-Ⅵ族半導体を用いたものに大別される。 どちらも、小型、高効率であるが、Ⅲ-Ⅴ族半導体の技術が

半導体レーザー（はんどうたいレーザー、英語: semiconductor laser ）は、半導体の再結合発光を利用したレーザーである。 同じものを指すのに、ダイオードレーザー (英語: diode laser) [注 1] や、レーザーダイオードという名称も良く用いられLDと表記されることも多い。

1 レーザー誘雷成功の軌跡 1. 研究概要 し、冬季雷をターゲットとしたフィールド実験を福井県美浜町の 研究所発足の昭和62年から、応用を明確にした高性能レーザ ーの開発を進めてきた。平成2年からはレーザーの高度化技術を

Er:Cr:YSGG (Y 2.9 Sc 1.4 Ga 3.6 O 12)の利点 ・Er添加結晶の中で一番レーザ閾値が低く、スロープ効率が高い ・変換効率が高い ・フリーランニングCWレーザや、Qスイッチレーザへの応用 ・高い光学性能 ・Er帯域での ...

【課題】低閾値電流発振と高効率動作可能で、かつ、低コストで製造できる低消費電力の半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】第2導電型の半導体層群(p-AlGaAs第1上クラッド層108,p-AlGaAs第2上クラッド層109,p-GaAsエッチングストップ層110,p-AlGaAs第3上クラッド層111,p-GaAs ...

重力波検出器用1030nm外部共振器型半導体レーザーの開発 武者研究室 中森真輝 1. 研究背景・目的 重力波とは質量による空間の歪みが波として伝 搬する現象のことで、アインシュタインの一般相 対性理論によって予想こそされていたがその ...

新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）、大阪大学、島津製作所は、3原色の可視光半導体レーザーを用いた光源モジュールの開発成果を発表。ヘッドマウントディスプレイやプロジェクタ、照明、自動車用ヘッドランプなどの製品に搭載し、「ほぼ全ての項目でLEDに対する可視光半導体 ...

NEDO省エネルギー技術フォーラム2016 研究開発期間：平成26年9月～平成29年2月 事業実施法人名：パナソニック(株)、IDEC(株) ＜高効率スポット照明用レーザ光源の開発＞ 戦略的省エネルギー技術革新プログラム フェーズ名：実用 ...

光電変換素子，たとえば半導体レーザー，発光ダイオードなどの発光素子あるいはフォトダイオード，フォトトランジスタなどの受光素子において用いられる効率を表わす量の一種。 発光素子においては，実際に素子外部に放出される単位時間あたりの光量子数と素子に流れる電流すなわち ...

誘導放出によるレーザ発振を開始する電流値。 4.1.14 しきい値光出力，Pth（Radiant power at threshold） しきい値における光出力値。 4.1.15 スロープ効率，ηd（Differential efficiency）

レーザ活性色素材料の構造-物性相関： 有機半導体レーザ実現に向けて (信州大繊維) 〇坂井賢一 ・ 続木武雄 ・ 本吉谷二郎 ・ 井上将光 ・ 伊藤恵啓 ・ 市川 結 ・ 藤本哲也 ・ 山本 巌 ・ 小山俊樹 ・ 谷口彬雄

半導体レーザの利得の温度依存性 1. はじめに 本編では，温度でLDの光出力がどの程度変化す るのかを理解させるため，LDの利得を求めるプロ グラムをC言語で作成した． 温度が上昇したときにLDの光出力が低下する のは，Fermi-Dirac の ...

溶接工として働く場合、アーク溶接やスポット溶接以外にも身につけたい方法がレーザー溶接です。この記事ではレーザー溶接の原理や代表的な種類のほか、メリット・デメリットについても解説します。自動車のマフラーを溶接したい人や疲労強度が気になる人も参考にしてください。

ハイパワー785nm単モードレーザダイオードは、業界で最も強力なCWレーザ照射を提供しています。berlinlasersから高い明るい785nmSMはレーザダイオードを取得します。

家電機器メーカや自動車産業では、VCSELに対応した3Dセンシング技術の採用が進んでいます。 テクトロニクス／ケースレーは、レーザ・ダイオード、HBLED、光デバイスの光強度、順方向電圧、（レーザの）スレッショルド電流、暗電流、キンク・テスト、スロープ効率、サーミスタ抵抗、温度 ...

InGaN 半導体レーザ励起Pr:YLF レーザの第三次高調波発生 Third Harmonic Generation of Pr:YLF laser pumped by InGaN laser diodes (B)清田 恭章1、(D)田中 裕樹1、(M)飯島 功大1、神成 文彦1 (1.慶大理工) Yasuaki Kiyota 1, Hiroki Tanaka , Kodai Iijima1, Fumihiko Kannari (1.Keio Univ.)

図5 世界初純緑色半導体レーザ発振 図4 緑色レーザ構造断面電子顕微鏡写真 4．グリーンギャップの克服 ピエゾ電界はc軸方向に発生するため、c面から 傾いた方向にレーザ構造を作製することでピエゾ電 界の影響を低減することが可能になる。

エッジ励起型マイクロチップYb:YAGレーザの発振に世界で初めて成功 科学技術振興事業団（理事長：沖村 憲樹）と福井県にて平成12年度より推進中の福井県地域結集型共同研究事業(中核機関：(財)福井県産業支援 ...

半導体レーザー、光学機器、光学部品、ピエゾ素子、ナノステージ、グラビア印刷の網点 深度測定など専門知識と、マーケティング能力を兼ね備えたスタッフが、世界中の最 新鋭機器を、日本のみなさまの下へご提供致します。

グラフェンを可飽和吸収体に用いた超高速モード同期固体レーザの研究 2012年1月18日 何 京良（He Jingliang）： 山東大学結晶材料国家重点実験室 教授 1957年10月生まれ。1998年、中国科学院物理研究所で博士号取得（理学博士、光学専攻）。 ...

IPG Photonicsの878.6 nmファイバー結合ダイオードレーザーは、バナデート固体レーザー向けの励起ソリューションを提供します。IPGの波長安定化ダイオードはスペクトル純度と安定性が極めて優れています。理想的な出力、信頼性、フォームファクタを兼ね備え、30Wから最大150Wのファイバー結合 ...

高温におけるしきい値電流の上昇及びスロープ効率の低下の少ない半導体レーザダイオードを提供する。例文帳に追加 To provide a semiconductor laser device low in the increase of a threshold current and low in the decrease of slope

開発中 レーザーアプリケーション用YAG※セラミックス. ※ Yttrium Aluminum Garnet. YAGはイットリウムとアルミニウムの複合酸化物から成るガーネット構造の結晶です。. 優れた光学特性を持つYAGセラミックス（多結晶体）を開発しております。.

高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) 元データ 2005-10-07 社団法人 ...

の応用には高効率化が求められている。そこで近年 GaN 系半導体レーザー（Laser Diode : LD）の研究開発 の進展により、LD による直接励起Ti:Sapphire ...

日立製作所 半導体グループ(グループ長＆CEO 長谷川 邦夫)は、このたび、波長635nm帯レーザダイオードで、世界で初めてアスペクト比(注1)1.2typ.の円形ビームを実現した赤色レーザダイオード「マルビームシリーズ」を製品化しました。

修士論文要旨(2011 年度) 添加／無添加YAG 複合構造を用いた小型・高効率・高出力レーザの開発 Development of compact, highly efficient, and high-power lasers by use of doped / undoped composite YAG 電気電子情報通信工学専攻

青紫色レーザを光源とするBlu-rayディスクシステムの高速記録化・多層記録化の開発が進展している。これらのシステムを実現するために、青紫色レーザの高出力化が強く要請されている。今回、新規端面保護膜構造の導入および長共振器化と同時に内部損失の低減を図ることにより、電流-光 ...

レーザーアプリケーション用YAGセラミックスの用途例、メリット、特性をご紹介します。 ご採用のメリット 高い透過率を有する多結晶のYAGセラミックスです。一般的な単結晶品と比較し、以下のメリットがあります。

VCSEL. 垂直共振器面発光レーザ（VCSEL ）は、他のタイプのレーザに比べて様々な利点を有します。. それには以下が含まれます。. 面発光、アドレス可能なアレイにおける設計の柔軟性を提供. 発振波長の低温依存性. 優れた信頼性. ウエハレベルの製造 ...

スロープ効率 I P S j j Δ Δ d 14 半導体レーザー 発光効率 外部微分 量子効率 ω ω η h h e S e P I j j j d d Δ ÷ Δ （外部放出光子数） （注入キャリア数） 15 半導体レーザー 発光効率 外部微分 量子効率 1 2 i 1 2 d i 1 ln 2 1 ln ...

内部量子効率と外部量子効率 半導体レーザーにおける量子効率とは、1個の電子の遷移から1個のフォトンを取り出せる確率である。半導体レーザーの共振器内部の損失を考慮した場合の量子効率を内部量子効率と呼ぶ。一方、半導体レーザー…

高効率高出力半導体レーザ 23 て導電性キャリアの濃度を高めることが有効である．そ の一方で光フィールド内の導電性キャリアの増加は光の 吸収による導波ロスを増加させるトレードオフがある． したがって高いPCEを実現するためにはレーザ構造中の

半導体レーザの基本動作原理や、データシート上の記号・特性定義、取扱い時の注意事項などの技術情報をご紹介します。また、よくあるご質問と回答を掲載しています。ご検討、ご使用の際にご一読ください。

（40 mA）と高いスロープ効率を実現した．200 mW以上の 高出力時において，単一横モード特性を維持することが できた．90 mW（連続光）出力の時の広がり角は，半値全幅 で垂直が19.1゜，水平が8.5゜であった．縦モードを評価

加を抑えつつ、スロープ効率をほぼ4倍に向上させること に成功し、このような高い出力を得るに至った。次に、{2021}面上緑色レーザの光電変換効率（WPE※6） について述べる。図2（b）に示すように、520nmより長波

ゼロから学ぶ半導体レーザー 1. 半導体レーザーの基礎 1.1. 半導体レーザーとは 1.1.1. ダイオード励起レーザー 1.2. 半導体レーザーにおける誘導放出と光増幅利得 1.2.1. 直接遷移型半導体のバンド構造…

2章 半導体レーザー（レーザーダイオード， LD ） （執筆者：西山伸彦） [2009 年2 月受領] 概要 半導体のバンド間による遷移により発光・光増幅を起こし，内部もしくは外部に作られた反 ...

されたレーザパワーの割合． スロープ効率 光出力が駆動電流を上げたときどのくらいの割合で上昇するかをし めす．I-Lカーブの傾き． 特性温度 半導体の閾値電流およびスロープ効率の温度依存性を指数関数 フィットしたときの係数として算出

>> 微分効率（スロープ効率） << 微分 とは、非線形なものの特性をグラフに書いたときの傾きです。 数学で2次曲線の「傾き」などを習ったと思いますが、それです。 スロープ slope は坂道の傾斜の意味です。 例えばダイオードは電圧と電流が非線形ですよね、だから 抵抗電圧/電流 は一定して ...

スポンサード リンク 半導体レーザ スポンサード リンク 【要約】 【課題】スロープ効率が高い半導体レーザを得る。【解決手段】n型GaN基板10上に、n型AlGaNクラッド層14、アンドープの活性層16、p型AlGaN電子障壁層18、p型AlGaNクラッド層20及びp型GaNコンタクト層22が順番に形成されている。

色半導体レーザの光出力と光-電力変換効率WPE（Wall-Plug Efficiency）の推移である。2006年には，光出力0.5 W，WPEが 20％7）であった青色半導体レーザの光出力および効率が，種々 の効率向上のための新規要素技術を導入

ところでレーザのスロープ効率（ ）は，以下の式で表 される。･････（1） ここで， は内部量子効率， はレーザ共振器におけ る内部損失である。また はミラー損失であり，共振器 長をL，端面反射率をR1，R2として次式で与えられる。

ロープ効率が一定のまま出力が増加し，単体から得られた最大出力7.5 W（励起光パワー 19W）を上回る出力9.2 Wが得られた．しかしながら，スロープ効率は35.5 %と単体よ り小さくなった．これは，ダイヤモンドとNd:YAG との屈折率が

【課題】スロープ効率が高い半導体レーザを得る。【解決手段】n型GaN基板10上に、n型AlGaNクラッド層14、アンドープの活性層16、p型AlGaN電子障壁層18、p型AlGaNクラッド層20及びp型GaNコンタクト層22が順番に形成されている。

半導体レーザ装置 スポンサード リンク 【要約】 【目的】 InGaAlP系赤色半導体レーザ装置のスロープ効率を低下させると共に、ドループ特性を含めた温度特性を改善して、使い易い半導体レーザ装置を提供する点にある。

半導体レーザ. 【課題】 特性ばらつきが少なく高スロープ効率のファブリ・ペロー型レーザダイオード、あるいは戻り光雑音を抑制できる分布帰還型レーザダイオード等の半導体レーザを得る。. 【解決手段】 少なくとも一つのレーザ光出射面に対し誘電体 ...

キセノンランプと半導体レーザーの比較 キセノンランプ 半導体レーザー 電気-光変換効率 高い 50～70% 吸収効率 ~10%（Nd:YAG） >90% 寿命 100～数1000 h 10,000～20,000 h 電圧 数1000 V 2～50 V 高出力化 大型化により可能 数を

半導体レーザ 半導体レーザには様々な種類があり、周期表のIII族からVI族の元素のうち、2成分、3成分、4成分から構成されます。レーザは、波長400 nm程度の青色から赤外域の範囲で発振します。 このような広い範囲での発振と、小型、小さい駆動電流、低い運用コスト、高効率という特長に ...

半導体レーザーの内部損失αについて ファブリペロ共振のレーザーの内部損失α(参照・外部微分量子効率)を求めたいのですが、その方法がわかりません。 発振スペクトルを測定し、そこから求めようと思っているのですが、自分が考えてる方法では値がマイナスだったり、大きすぎたりしてい ...

電力変換効率と量子効率って関係あるんですか？ 素人ですいません。 量子効率は発生した電子の数と受け取った光子の数からもとめらるとおもうのですが、例えば、2V印加して620nmのエネルギー を持つ光子を一秒間に1×10の十七乗個照射したとき1.6mAの電流が流れたとしたら電力変換効率はどう ...

スロープ効率が24％であるため、短ゲインファイバで高出力パワーを実現するためのポンピング方法と、特別なパッケージの実装方法に問題があります。中国では超短キャビティDBR構造ファイバーレーザーも研究されていますが、レーザー効率

効率化のために、下部反射構造を導入。(c) 遠視野像。極めて狭い拡がり角（～ 0.1 ）の動作が実現。(d) 電流-光出力特性。～0.8W/A の高いスロープ効率で 10W 以上の光出力が得られています。

ワーは184 mW，スロープ効率は8.6%である。こ の閾値吸収パワーは現在報告されている半導体レ ーザ直接励起チタンサファイアレーザの中で最小 である。これまで青色半導体直接励起チタンサファ イアレーザの先行研究では，Roth らに

InGaAsレーザの輝度が、5mmの長さ で広い面積のものとテーパー付けしたも のとで著しく異なることを示した。均一 な90μm幅のストライプを持つレーザ は10Wを放射し、スロープ効率は1.1 W/A、ピーク電気‐光学効率は65%で あった。4 の

半導体レーザ(レーザーダイオード)とは 半導体レーザ（LD:Laser Diode)とは、半導体に電流を流してレーザ発振させる素子です。そのままレーザーダイオードという名称を用いることも多く、半導体レーザー・レーザーダイオードそれぞれの名称で商品展開されていますがどちらも同じものです。

30％以上 の電力効率 がほとんどです。レーザダイオード は半導体材料 で作られている ため、 気体 レーザ の場合 のような 壊れ易いガラ スケース やミラー 調整 などが 必要 ありません。レーザダイオード の頑丈 さコンパクト さは 他の

しかし実験結果は、スロープ効率が大きいとき、連続短波長レーザの動作波長も大きいことを示した。これは主に短波長のレーザ放出の自然放出がドープファイバによって再び吸収されたためである。 1030 nmの単一周波数出力で。レーザの

半導体レーザーでDH(ダブルへテロ)構造を用いたキャリアの閉じ込めについてなんですが、この場合電子が伝導帯に出てくるヘテロ障壁によって閉じ込められることは分かるのですが、正孔は価電子帯にあると思うので、ヘテロ障壁が価電子帯に

スロープ効率は77.1％、光 - 光変換効率は60.7％である[11]。上記の研究はすべて、励起光源として通常の半導体レーザーまたは非ロック波長を有する固体レーザーを使用しており、それらはすべて基本周波数光の研究用である。励起光源

スロープ効率 η 1.00 0.90 W/A 表1 2波長高出力半導体レーザの仕様 シャープ技報 第99号・2009年8月 31 の値に維持するように連続駆動した 時，レーザに流す電流値（Iop）の 時間変化を調べた結果です。CDレー ザの書き込み れの ...

本製品は弊社従来品※1に比べ、WPE※2が21.4％から28.6％へ7ポイント改善、スロープ効率※3も18%向上し、お客様の省エネに貢献します。また寿命に関しても40％の長寿命化を達成しました。これにより、フォトリソグラフィーやPCB製造を

測定回路 半導体レーザモジュールのスロープ効率の測定は，図3によって6.6.3の方法で行う。 6.6.3 測定方法 半導体レーザモジュールに流す順方向電流Ifを変化させながら，IfとPfをX−Yレコー ダ，オシロスコープなどで記録し，式(1)によっ

パワー変換効率：＞50% at 940nm デュアルジャンクション スロープ効率：2W/A トリプルジャンクション スロープ効率：3W/A 少ない電流でシングルジャンクションVCSELと同じ光学性能を実現 必要電流を大幅に削減することでドライバーのより高速な切替え速度が可能

レーザー発振＜注入電流-光出力 (I-L) 特性＞ : レーザーダイオードは増幅することで得られた利得が内部損失とミラー損失を上回ると発振します。 すなわち発振電流閾値が存在します。レーザーダイオードの注入電流－光出力 (I-L) 特性から、最大出力はキンク（電流-光出力直線の折れ曲がり ...

特集論文 7（305） 高効率・高出力青紫色半導体レーザ 蔵本恭介＊ 川崎和重＊ 大野彰仁＊ 要 旨 Blu－Ray又はHD－DVD（High Definition－Digital Versatile Disc）などの次世代光ディスクシステムにおいて も，記録型DVDと同様，大容 ...

＞＞半導体レーザー（レーザーダイオード）の製品一覧がみたい方はこちら 半導体レーザーとは、半導体を素材としてつくられた回路素子です。 電流を流すことでレーザーを発生させることができ、レーザーダイオードとも呼ばれています。 ...

京都大学(京大)と北陽電機は、2020年7月に発表したLiDARに搭載した「フォトニック結晶レーザー」のレンズを必要としない特性を活かすことで ...

電力変換効率と量子効率って関係あるんですか？ 素人ですいません。 量子効率は発生した電子の数と受け取った光子の数からもとめらるとおもうのですが、例えば、2V印加して620nmのエネルギー を持つ光子を一秒間に1×10の十七乗個照射したとき1.6mAの電流が流れたとしたら電力変換効率はどう ...

スロープ効率は77.1％、光 - 光変換効率は60.7％である[11]。上記の研究はすべて、励起光源として通常の半導体レーザーまたは非ロック波長を有する固体レーザーを使用しており、それらはすべて基本周波数光の研究用である。励起光源

スロープ効率が24％であるため、短ゲインファイバで高出力パワーを実現するためのポンピング方法と、特別なパッケージの実装方法に問題があります。中国では超短キャビティDBR構造ファイバーレーザーも研究されていますが、レーザー効率

研究グループは、開発したフォトニック結晶レーザーと一般的なブロードエリア半導体レーザーの出射光が、レンズなしで遠方まで伝わった時のビームスポットを測定し、ビーム品質などを比較した。 この結果、フォトニック結晶レーザーでは、30m先でも円形で5cm以下という狭いビーム ...

発振に成功しました。実験では、スロープ効率78％という結果が得られ、この結晶 を用いたレーザー発振における世界最高記録が達成されました。従来の実用化され ているNd：YAGレーザーのスロープ効率が、ランプ励起で10％、半導体

半導体レーザーには、体積が小さく、電気光学変換の効率が高いなど、非常に明らかな利点があります。これらの利点により、半導体レーザーはさまざまな業界で使用されてきました。 半導体レーザーは通常、最も基本的な発光管と組み合わされます。

効率化のために、下部反射構造を導入。(c) 遠視野像。極めて狭い拡がり角（～ 0.1 ）の動作が実現。(d) 電流-光出力特性。～0.8W/A の高いスロープ効率で 10W以上の光出力が得られています。

vices（半導体発光デバイスに関する国 際シンポジウム）において、TO 38パッ ケージに収容された極性InGaNレーザ ダイオードによって、520nmで100mW を超えるシングルモード出力が得られ たと発表した（5）。スロープ効率は0.65 W/A

高いスロープ効率 .025nm/mAが観測されます。 全ての波長のDFBレーザーにおいて、写真に示すご希望のパッケージにて供給いたします。 ここに示されているパッケージは標準のTOヘッダー、例えば、TO5.6、TO9、TO8)でペルチェクーラーの付いているタイプもあります。

表3.1 半導体レーザーの仕様(Tc25 ) 発振波長 784nm 直流光出力 120mW しきい値電流 30mA スロープ効率 .9mW/mA ビーム広がり角（平行） 8.7 ビーム広がり角（垂直） 16 図3.1 半導体レーザーの注入電流と波長 780 781 782

情報処理用半導体レーザ Laser Diodesfor Opticallnformation Processing Systems ディ ジタルオーディオディ スク, ビデオディ スク,レーザビームプリンタ,光デ ィスクファイルなどの光情報処f里機器用の光兆iとLて､短波長,高仁言帖の半ユキ体 ...

57)【要約】 【課題】 安定な単一モードでスロープ効率が高く、か つ作製公差の大きい分散位相シフト分布構造帰還型半導 布帰還型半導体レーザは、素子が長さ方向に3つの領域 に分けられ、領域1の長さを領域3の長さよりも短く し ...

AlGaInAs系BHレーザで63 K，GaInAsP系BHレーザで50 K となり，AlGaInAs系材料の方が良好な結果が得られた。また，スロープ効率の悪化も25 から85 の温度範囲で，AlGaInAs 系BHレーザで－17%，GaInAsP系BHレーザで－31

3 C 5943：2010 直流電圧計の内部抵抗は，半導体レーザの抵抗値に比べ測定値に影響を与えない程度に十分大きくなければならない。 図1−順電流，順電圧，光出力，しきい値電流，しきい値光出力及びスロープ効率 ...

青色半導体レーザーを用いた高密度励起 連続波Ti:sapphireレーザーの効率に関する理論解析 片岡俊二†, 柴田正志††, 小林亮†, 青柳祐宇††, 前田準哉††, 川戸栄†††, 河仲準二†††† †福井大学大学院工学研究科気電子工学専攻, ††福井大学大学院工学部電気電子工学科,††

目的: 青色面発光レーザ (VCSEL)の低しきい値化およびスロープ効率の向上. →埋め込みトンネル接合による電流狭窄構造の応用. 現状. 駆動電圧: 6.16V 5kA/cm2. 明確な電流狭窄. 比較的良好な表面形状. 今後. 面発光レーザへの適用. 他の光デバイスへの適用.

GaN 系半導体レーザを用いた直接励起が可能であ る．Fig.1 にPr3+ のエネルギー準位図を示す．既 に我々は，Pr3+:YLF レーザでは，緑，オレンジ，赤色帯でのCW 発振がスロープ効率35-50 %で実 現し，赤色，橙色，緑色のCW

青紫色半導体レーザ技術 11 焦点のずれを抑えられるので，レンズ設計が容易になり，光 ピックアップの小型化や低価格化が可能となる。HDDVDなどの光ディスクシステムはパルス光を用いるた めに，注入電流パルスに対する発振波長の変化 ...

ダイオードレーザ励起Nd：YVO 4 レーザ 基本波発振 反射率R＝96％の出力ミラーと、a軸カットで3mm長のNd：YVO4結晶を用いて、1．06μmで、しきい値78mW、スロープ効率48．5％が得られています。同じ

スロープ効率(mW/mA) 出力パワー(mW) チューニング係数(nm/mA) サイドモード抑圧比(dB) 用途 EP760### 760 30 0.1 6 0.010 40 酸素センシング EP1278### 1260 - 1300 14 0.21 14 0.014 40 HFセンシング EP1342### 1320 - 1380 12

半導体レーザーでDH(ダブルへテロ)構造を用いたキャリアの閉じ込めについてなんですが、この場合電子が伝導帯に出てくるヘテロ障壁によって閉じ込められることは分かるのですが、正孔は価電子帯にあると思うので、ヘテロ障壁が価電子帯に

岡崎国立共同研究機構分子科学研究所の平等拓範助教授らは、ネオジウムを添加したイットリウムバナデード(Nd:YVO4)マイクロチップレーザーを輻射 制御直接励起方式で励起することにより80.3％のスロープ効率を達成。半導体レーザー(LD)励起固体レーザー(DPSSL)でスロープ効率80％台は 初めて。

さらに、窒化物半導体レーザ素子1は、ガイド層122の光閉じ込め係数Γを向上させて、スロープ効率の向上を図ることができる。ここで、スロープ効率は、発光出力（W）を投入電流（A）で除す（発光出力／投入電流）ことにより求め

波長が940nmの水平共振器面発光分布帰還半導体レーザを設計し、格子の構造パラメータ (形状、周期、デューティ比、エッチング深さなど)がレーザー発光特性 (線幅、サイドモード抑制比、パワー及びスロープ効率など)に与える影響を分析した。. 2次回折 ...

発光効率が極端に低下することからまだ 実現には至っていない注2。これはInGaN材料が抱える物性の問 題である。通常InGaN系半導体LDは，極性面の1つであるGaN基板のc面上に 形成される（図1）。そのため，レーザ 光を発する

しかし,窓の長さが増加すると,高出力レーザ傾斜効率は低下した。本研究では,別々にポンプされた窓(SPW)法を提案し,それらの性能を損なうことなく,半導体レーザのファセット温度を大幅に低減することを実験的に実証した。5mm長の高出力

450 nm 半導体レーザ励起チタンドープサファイアレーザの低温動作による性能改善 Ti: sapphire laser pumped by 450-nm diode laser at low temperatureFig. 1 に示し，Findlay-Clay 法 で求めた損失とモードマッチング効率を加えた更 に詳細な

レーザ媒質には半導体、ガス、結晶があり、それぞれ半導体レーザ、ガスレーザ、固体レーザに用いられる。 レチクル検査機 半導体デバイスの製作工程でパターンの縮小投影露光に使用されるフォトマスクを検査する専用の検査装置。

半導体レーザ装置 Info Publication number JP3144740B2 JP3144740B2 JP25198393A JP25198393A JP3144740B2 JP 3144740 B2 JP3144740 B2 JP 3144740B2 JP 25198393 A JP25198393 A JP 25198393A JP 25198393 A ...

NEDO省エネルギー技術フォーラム2016 研究開発期間：平成26年9月～平成29年2月 事業実施法人名：パナソニック(株)、IDEC(株) ＜高効率スポット照明用レーザ光源の開発＞ 戦略的省エネルギー技術革新プログラム フェーズ名：実用 ...

概要全ファイバ複合共振器構造を有する同調可能単一周波数（SF）狭線幅ファイバレーザを設計した。それは光ファイバ同調可能フィルタ、高精度リングフィルタ、およびファイバループミラーから構成されている。励起光源として980nmの半導体レーザを使用し、利得媒質および可飽和吸収体と ...

スロープ効率とは、半導体レーザや半導体レーザなどの分野において活用されるキーワードであり、キヤノン株式会社やパナソニック株式会社などが関連する技術を43件開発しています。このページでは、スロープ効率を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や ...

7 量子ドット活性層を用いたレーザ 量子ドットの電子状態 ・ エネルギー準位が離散化 ・ 安価なGaAs基板上で通信波長帯が実現可能 利点 ： 1. 低消費電力、 2. 高効率、 3. 温調フリーで安価 欠点 ： 量子ドット1個で2つの電子のみ（利得が小さい）

青色 InGaN 半導体レーザ励起 高出力 Pr ドープ YLF レーザ及び Qスイッチ動作 High Power Pr doped YLF Laser Pumped by Blue-InGaN-LDs and Q-switched Operation 飯島 功大 (B4), 狩山 了介 (M1), 田中 裕樹 (M2) Kodai Iijima

グラフェンを可飽和吸収体に用いた超高速モード同期固体レーザの研究 2012年1月18日 何 京良（He Jingliang）： 山東大学結晶材料国家重点実験室 教授 1957年10月生まれ。1998年、中国科学院物理研究所で博士号取得（理学博士、光学専攻）。 ...

半導体レーザー、光学機器、光学部品、ピエゾ素子、ナノステージ、グラビア印刷の網点 深度測定など専門知識と、マーケティング能力を兼ね備えたスタッフが、世界中の最 新鋭機器を、日本のみなさまの下へご提供致します。

緑色・青色InGaN半導体レーザ励起モード同期Ti:sapphireレーザの高出力化 Power scaling of mode-locked Ti:sapphire laser directly pumped with green and blue diode lasers 澤田 亮太 (B4), 田中 裕樹 (M2), 狩山 了介 (M1), 保坂 有杜

高温におけるしきい値電流の上昇及びスロープ効率の低下の少ない半導体レーザダイオードを提供する。例文帳に追加 To provide a semiconductor laser device low in the increase of a threshold current and low in the decrease of slope

エッジ励起型マイクロチップYb:YAGレーザの発振に世界で初めて成功 科学技術振興事業団（理事長：沖村 憲樹）と福井県にて平成12年度より推進中の福井県地域結集型共同研究事業(中核機関：(財)福井県産業支援 ...

同成果は、産総研 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリの王学論ラボチーム長、同・熊谷直人チーム付、同・山田永ラボ

半導体レーザー部品内と空気中とでは、光の屈折率が違うため、波長が0.4ミクロンだったレーザー光は、空気中に出ると波長が1.3ミクロンになります。） 山の周期2倍の幅（0.4ミクロン）を持つ波長以外の光は進んできた光と ...

スロープ効率 1.2mW/mA 1.4mW/mA 1.9mW/mA 1.0mW/mA 1.5mW/mA 2.0mW/mA モニター電流 ー PD逆電圧 ー ファイバーコネクタ FC/ST/SMA905 ファイバー長 ー 80cm 100cm ー 80cm 100cm しきい値電流 ー 35mA 50mA ー

半導体レーザはダイオードの一種で、ダイオードとしての電気的性質とレーザ光を発する性質を備えており、レーザダイオードとも呼ばれます。. 半導体レーザはガスレーザなどに比べて小型・軽量であり、Blu-ray DiscやDVDなどの光ディスクの記録・再生用途 ...

構造上の違いですが、半導体レーザでは、光の共振器が作られています。最も簡単な共振器は、半 導体の表面、実際には「へきかい」によって切断された結晶の断面を用います。結晶は屈折率が空 気より高いので、結晶の断面と空気の間では光の反射が起きます。

青色半導体レーザー ※1 は金属に対する吸収効率が高く、赤外半導体レーザーでは困難とされる銅や金などの加工に適しており、次世代レーザー加工機用の光源として応用が期待されるほか、熱伝導型溶接 ※2 やレーザーマーキング用の光源として用途が広がりつつあります。

しかし，ランプ励起の高出力'( レーザは発振効率 が悪いという欠点を有するため，最近は，高発振効率の 観点から半導体レーザ（0 ˚˝. 0 ˛˝ ）が注目されてお り，さらに，高発振効率・高輝度の観点から，0 励起

レーザーによる還元効率42.5％を実現し，太陽光励起レーザーもスロープ効率14％を達成し，実用化が見えてき た．20年後に深刻となる水問題の解決法についても述べる． Keywords: renewableenergy,solarenergy,laser,magnesium2

高効率・高出力2μm帯パルスレーザー光源の開発 電気通信大学 レーザー新世代研究センター 助教 戸倉川 正樹 （平成26年度一般研究開発助成AF-2014212） キーワード：2μm 帯パルスレーザー，Tm ファイバーレーザー，Tm 固体

ここでは半導体レーザの構造、発振原理、分布帰還型レー ザについて述べる。発光ダイオードがLED と略称されるよ うに半導体レーザ（LD: Laser Diode）もLD とされる。 2.1 構造 半導体レーザでは、細長い導波路を組成の異なる半導体

半導体レーザーのデバイス物理に従って9） ，内部量子 効率とレーザー出力の関係を近似的に導くことができ る．レーザー発振のしきい値においては，モーダルゲイ ン（gΓ）は，ミラー損失と内部損失の合計（α m +αi ）と釣り

1．半導体レーザの構造 半導体レーザの構造には、高効率の発光出力を得るためにダブルヘテロ接合が使われています。 [※ダブルヘテロ接合の基礎知識についてはこちらをご覧ください。 図1に半導体レーザの構造とエネルギーバンドを示します。

スロープ効率 CW出力5mW 0.005 0.08 0.2 mW/mA 動作電流 Iop PO 10 mW (CW) 100 200 mA TEC設定温度 Ts 15 35 レーザー順電圧 VF CW出力10mW 1.2 2.0 V 暗電流の監視 ID 0.1 μA 入力インピーダンス ZIN 22

レーザー光の出力波形が最適化出来ていないと、材料によってはスパッタやクラック、ブローホールなどの溶接不良が発生する場合があります。本ページでは波形制御機能を利用するメリットなどをご紹介しています。レーザー溶接をご検討されているお客様、レーザー溶接でお悩みのお客様 ...

スロープ効率 1.2mW/mA 1.4mW/mA 1.9mW/mA 1.0mW/mA 1.5mW/mA 2.0mW/mA モニター電流-PD逆電圧-ファイバーコネクタ FC/ST/SMA905 ファイバー長-80cm 100cm-80cm 100cm しきい値電流-35mA 50mA-100mA 130mA - - ー

チョクラルスキー法を用いた結晶成長 高出力、高スロープ効率 Ultra-単パルス、高出力レーザ研究開発用 ダイオードポンプ用レーザー結晶として一般使用 ハイゲイン・ロースレッシュホールド・高い変換効率 非線形光学結晶と合わせて波長可変

IDECは，パナソニックと共同で半導体レーザー光源の高効率スポット照明の開発に成功した（ニュースリリース）。 工場や倉庫などの大空間では，必要箇所のみをスポット的に高照度化することで，空間全体の省エネを図ることが一般的となっている。

半導体レーザ. メニュー. ラインアップ. CWレーザダイオード（CWLD）. パルスレーザダイオード（PLD）. スーパールミネッセントダイオード（SLD）. ファイバ出力型レーザダイオード. 量子カスケードレーザ（QCL）. 高出力レーザダイオードバーモジュール.

っている．半導体デバイスから発生される電磁波の周波数 が高くなると，光の領域に達する． 本資料では，半導体素子の発光と受光の原理，発光ダイ オードや半導体レーザ，フォトダイオードの基本構造や特 性を理解する． 2. 半導体に

る光－光変換効率は70%と高く、現在入手可能 な輝度の高出力半導体レーザーにおいても複 雑な集光光学系を必要とすることなく高効率 動作が実現可能である。 次に、冷却Yb:YAGのエネルギー蓄積能力と 熱耐力を評価するために高平

半導体レーザ 半導体は固体の一種であるが、レーザー技術の分野では固体とは別に分類されている。 Ⅲ-Ⅴ族半導体を利用したものと、Ⅳ-Ⅵ族半導体を用いたものに大別される。 どちらも、小型、高効率であるが、Ⅲ-Ⅴ族半導体の技術が

半導体レーザー（はんどうたいレーザー、英語: semiconductor laser ）は、半導体の再結合発光を利用したレーザーである。 同じものを指すのに、ダイオードレーザー (英語: diode laser) [注 1] や、レーザーダイオードという名称も良く用いられLDと表記されることも多い。

1 レーザー誘雷成功の軌跡 1. 研究概要 し、冬季雷をターゲットとしたフィールド実験を福井県美浜町の 研究所発足の昭和62年から、応用を明確にした高性能レーザ ーの開発を進めてきた。平成2年からはレーザーの高度化技術を

Er:Cr:YSGG (Y 2.9 Sc 1.4 Ga 3.6 O 12)の利点 ・Er添加結晶の中で一番レーザ閾値が低く、スロープ効率が高い ・変換効率が高い ・フリーランニングCWレーザや、Qスイッチレーザへの応用 ・高い光学性能 ・Er帯域での ...

【課題】低閾値電流発振と高効率動作可能で、かつ、低コストで製造できる低消費電力の半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】第2導電型の半導体層群(p-AlGaAs第1上クラッド層108,p-AlGaAs第2上クラッド層109,p-GaAsエッチングストップ層110,p-AlGaAs第3上クラッド層111,p-GaAs ...

重力波検出器用1030nm外部共振器型半導体レーザーの開発 武者研究室 中森真輝 1. 研究背景・目的 重力波とは質量による空間の歪みが波として伝 搬する現象のことで、アインシュタインの一般相 対性理論によって予想こそされていたがその ...

新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）、大阪大学、島津製作所は、3原色の可視光半導体レーザーを用いた光源モジュールの開発成果を発表。ヘッドマウントディスプレイやプロジェクタ、照明、自動車用ヘッドランプなどの製品に搭載し、「ほぼ全ての項目でLEDに対する可視光半導体 ...

NEDO省エネルギー技術フォーラム2016 研究開発期間：平成26年9月～平成29年2月 事業実施法人名：パナソニック(株)、IDEC(株) ＜高効率スポット照明用レーザ光源の開発＞ 戦略的省エネルギー技術革新プログラム フェーズ名：実用 ...

光電変換素子，たとえば半導体レーザー，発光ダイオードなどの発光素子あるいはフォトダイオード，フォトトランジスタなどの受光素子において用いられる効率を表わす量の一種。 発光素子においては，実際に素子外部に放出される単位時間あたりの光量子数と素子に流れる電流すなわち ...

誘導放出によるレーザ発振を開始する電流値。 4.1.14 しきい値光出力，Pth（Radiant power at threshold） しきい値における光出力値。 4.1.15 スロープ効率，ηd（Differential efficiency）

レーザ活性色素材料の構造-物性相関： 有機半導体レーザ実現に向けて (信州大繊維) 〇坂井賢一 ・ 続木武雄 ・ 本吉谷二郎 ・ 井上将光 ・ 伊藤恵啓 ・ 市川 結 ・ 藤本哲也 ・ 山本 巌 ・ 小山俊樹 ・ 谷口彬雄

半導体レーザの利得の温度依存性 1. はじめに 本編では，温度でLDの光出力がどの程度変化す るのかを理解させるため，LDの利得を求めるプロ グラムをC言語で作成した． 温度が上昇したときにLDの光出力が低下する のは，Fermi-Dirac の ...

溶接工として働く場合、アーク溶接やスポット溶接以外にも身につけたい方法がレーザー溶接です。この記事ではレーザー溶接の原理や代表的な種類のほか、メリット・デメリットについても解説します。自動車のマフラーを溶接したい人や疲労強度が気になる人も参考にしてください。

ハイパワー785nm単モードレーザダイオードは、業界で最も強力なCWレーザ照射を提供しています。berlinlasersから高い明るい785nmSMはレーザダイオードを取得します。

家電機器メーカや自動車産業では、VCSELに対応した3Dセンシング技術の採用が進んでいます。 テクトロニクス／ケースレーは、レーザ・ダイオード、HBLED、光デバイスの光強度、順方向電圧、（レーザの）スレッショルド電流、暗電流、キンク・テスト、スロープ効率、サーミスタ抵抗、温度 ...

InGaN 半導体レーザ励起Pr:YLF レーザの第三次高調波発生 Third Harmonic Generation of Pr:YLF laser pumped by InGaN laser diodes (B)清田 恭章1、(D)田中 裕樹1、(M)飯島 功大1、神成 文彦1 (1.慶大理工) Yasuaki Kiyota 1, Hiroki Tanaka , Kodai Iijima1, Fumihiko Kannari (1.Keio Univ.)

図5 世界初純緑色半導体レーザ発振 図4 緑色レーザ構造断面電子顕微鏡写真 4．グリーンギャップの克服 ピエゾ電界はc軸方向に発生するため、c面から 傾いた方向にレーザ構造を作製することでピエゾ電 界の影響を低減することが可能になる。

エッジ励起型マイクロチップYb:YAGレーザの発振に世界で初めて成功 科学技術振興事業団（理事長：沖村 憲樹）と福井県にて平成12年度より推進中の福井県地域結集型共同研究事業(中核機関：(財)福井県産業支援 ...

半導体レーザー、光学機器、光学部品、ピエゾ素子、ナノステージ、グラビア印刷の網点 深度測定など専門知識と、マーケティング能力を兼ね備えたスタッフが、世界中の最 新鋭機器を、日本のみなさまの下へご提供致します。

グラフェンを可飽和吸収体に用いた超高速モード同期固体レーザの研究 2012年1月18日 何 京良（He Jingliang）： 山東大学結晶材料国家重点実験室 教授 1957年10月生まれ。1998年、中国科学院物理研究所で博士号取得（理学博士、光学専攻）。 ...

IPG Photonicsの878.6 nmファイバー結合ダイオードレーザーは、バナデート固体レーザー向けの励起ソリューションを提供します。IPGの波長安定化ダイオードはスペクトル純度と安定性が極めて優れています。理想的な出力、信頼性、フォームファクタを兼ね備え、30Wから最大150Wのファイバー結合 ...

高温におけるしきい値電流の上昇及びスロープ効率の低下の少ない半導体レーザダイオードを提供する。例文帳に追加 To provide a semiconductor laser device low in the increase of a threshold current and low in the decrease of slope

開発中 レーザーアプリケーション用YAG※セラミックス. ※ Yttrium Aluminum Garnet. YAGはイットリウムとアルミニウムの複合酸化物から成るガーネット構造の結晶です。. 優れた光学特性を持つYAGセラミックス（多結晶体）を開発しております。.

高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ)) 元データ 2005-10-07 社団法人 ...

の応用には高効率化が求められている。そこで近年 GaN 系半導体レーザー（Laser Diode : LD）の研究開発 の進展により、LD による直接励起Ti:Sapphire ...

日立製作所 半導体グループ(グループ長＆CEO 長谷川 邦夫)は、このたび、波長635nm帯レーザダイオードで、世界で初めてアスペクト比(注1)1.2typ.の円形ビームを実現した赤色レーザダイオード「マルビームシリーズ」を製品化しました。

修士論文要旨(2011 年度) 添加／無添加YAG 複合構造を用いた小型・高効率・高出力レーザの開発 Development of compact, highly efficient, and high-power lasers by use of doped / undoped composite YAG 電気電子情報通信工学専攻

青紫色レーザを光源とするBlu-rayディスクシステムの高速記録化・多層記録化の開発が進展している。これらのシステムを実現するために、青紫色レーザの高出力化が強く要請されている。今回、新規端面保護膜構造の導入および長共振器化と同時に内部損失の低減を図ることにより、電流-光 ...

レーザーアプリケーション用YAGセラミックスの用途例、メリット、特性をご紹介します。 ご採用のメリット 高い透過率を有する多結晶のYAGセラミックスです。一般的な単結晶品と比較し、以下のメリットがあります。

VCSEL. 垂直共振器面発光レーザ（VCSEL ）は、他のタイプのレーザに比べて様々な利点を有します。. それには以下が含まれます。. 面発光、アドレス可能なアレイにおける設計の柔軟性を提供. 発振波長の低温依存性. 優れた信頼性. ウエハレベルの製造 ...

高出力、高効率を両立した次世代GaN半導体レーザー. 製品・ソリューション 光学部品. シェア. 2021年1月に京セラグループの仲間となった米国Soraa Laser Diode, Inc.は、KYOCERA SLD Laser, Inc. (KSLD)として始動しました。. 国内のお客様には、京セラに新しく誕生したGaN ...

半導体レーザー 半導体レーザーとは、Ⅲ-Ⅴ族半導体または、Ⅳ-Ⅵ族半導体を使ったレーザー光です。どちらも小型の装置で大きなレーザー出力を得ることができます。半導体は固体の一種ですが、レーザー技術の分野では固体とは別に分類される場合もあります。

電力変換効率 PCE 電気エネルギーをどれだけ効率よく光に変換できるかという指標です。271 半導体レーザー www.rohm.co.jp 半導体レーザー 半導体レーザー

レーザーダイオード (半導体レーザー) とは？ : レーザーダイオードの LASERは｢Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (誘導放出による光の増幅)｣の頭文字をとったもので、半導体レーザーとも言われ、一般的にLDと略され ...

5 半導体レーザの特徴1 直接応用LD：半導体レーザ 半導体レーザ（3kw） 超小型・高効率～50% →低コスト予測 ファイバー伝送 鉄・アルミへの吸収良い 問題点 ・集光性が悪い 3．5m 参考 CO2レーザ（3kw）

半導体についで多く生産 6.4 エキシマレーザー excimer ＝excited dimer 励起状態でのみ存在する分子 紫外域の高出力レーザー 気体 3～6 気圧 パルス発振：50 ～200 W 一般に効率がよくない：エネルギー効率1% 程度 下位レベル

半導体レーザ市場 既存用途における半導体レーザ市場規模推移*2 既存用途*1のみでも、拡 を続ける半導体レーザ市場 認定顧客数について、2020年3月末の39社から年間20%増加を目指す 1.27兆円 1.83兆円 4年CAGR 11 % 4年CAGR

次世代パワー半導体のウエハーを高効率に切り出す! ディスコ・レーザ技術部長に聞く「18年には量産の前段階に導入したい」 2017年04月11日 テクノロジー 1 1 高効率SiCウエハー切断技術「KABRA（カブラ）」で加工したSiC ...

日亜化学工業は、発振波長が525nmの緑色半導体レーザーを開発し、光技術や関連製品の展示会「InterOpto 2014」（2014年10月15～17日、パシフィコ横浜）に出展した。連続発振で1Wと大きな光出力が可能な点が最大の ...

3種類のレーザー光源に注目、材料加工に欠かせないレーザー溶接の基礎知識とその応用方法. レーザーが発明（初めてレーザー発振が確認）されたのが1960年とされています。. 意外に歴史の浅い技術ですが、除去（切断・穴あけ）・接合・塑性・表面改質 ...

ているのが半導体レーザーであり，レーザーダ イオード（Laser Diode：LD）とも呼ばれる。本資料では，このLD における未来の光源とし ての可能性について紹介する。まず，LD の有 する特徴を，LED との発光原理の違いを示し

低出力時スロープ効率 61.1% 71.7% 総合スロープ効率 53.3% 55.6% M2（最大出力時） 3.2 3.2 1-3 レーザー結晶発熱量の検討 Fig.8から結晶の発熱により，スロープ効率が徐々に 低下し高出力化が制限されている事が考えられる．そ

パナソニック株式会社 オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社は、両面放熱構造で素子の信頼性を高め、一般的にレーザ動作温度の上限である60 においても従来の1.5倍となる4.5Wの高出力動作が可能な青紫半導体レーザを開発しました。

光デバイス／半導体レーザ 31．量子井戸レーザ 前項で説明したように分離閉じ込めヘテロ（SCH）構造はキャリアを薄い活性層に閉じ込め、光はその外側の光導波層に閉じ込めるという役割分担によってしきい電流を低くすることが可能です。

融合としての有機半導体レーザー実現の条件が整ったと考えている。そこで、ICC-IMR との共催により国際 ワークショップの開催も大きな目的とした。本ワークショップの目的は、有機EL、有機トランジスタ、光デ バイスの専門家の意見交換を行うとともに、各分野で蓄積されてきた知見を統合し ...

半導体レーザの温度特性と三元InGaAs基板上の レーザの提案 短波長帯のGaAsを基板とする0.98μmの半導体レーザ と長波長帯のInPを基板とする波長1.3μmの半導体レーザ の電流対光出力特性の典型的な温度依存性を図-1に示す。

-3-レーザ光 イ 半導体レーザ 半導体レーザダイオードのことを単にレーザダイオード(Laser Diode)とも呼ばれ LDと略す。その特徴を幾つか挙げる。小型で、高い強度の光を発生することが可能で 他の部品と一体化し光モジュールとして用いることができる。

図5 にそれぞれの試料で最も高いスロープ効 率を示したときの結果を示す。試料1 ではOC 透 過率10%時に最大出力1.7 W,スロープ効率38.1% を得た。この結果は同試料を用いた過去のCW 発振の報告を上回る結果であり、共振器構成の

光通信などでは、光源としてレーザが使われています。 レーザの発振条件を3つ挙げるとすると、以下（1）～（3）になります。 （1）反転分布 （2）誘導放出 （3）共振器 本コラムでは、上記3つについて簡単にわかりやすく ...

第7 章 光の吸収と放出 レーザー発振 本章では前章までの光による原子の励起と、負温度状態において原子失活による光の放出が光の増 幅に寄与することを説明する。更に、光増幅をレーザー発振に応用し、現在利用されているレーザー

固体レーザ、気体レーザ、半導体レーザについて簡単に教えていただけますか？ 現在レーザの原理について学んでおります。私の中では、固体⇒気体⇒半導体の順でレーザが開発されたという認識です。しかし、固体レーザの原...

レーザ光を加工対象物まで、レーザーラインはお客様のための材料加工用産業システムソリューションを提供しています Laserline社の高出力半導体レーザシリーズには、レーザ出力最大25kW 電気効率最大50％を実現可能とする発振器や、最大出力4kW 最高4mm mradのビーム品質を持つビーム ...

閾値電流密度及びスロープ効率の温度依存性の理論と実験の比較から、熱キャリア励起による注入効率の減少が温度200K以上のT_0の値に大きく影響することがわかった。 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 104 (693) 1 ...

スロープ効率 1.2W/A エミッター幅 120um キャビティ長 1500um キャビティの厚さ 120um キャビティ幅 160um 電気 閾値電流 25A 動作電流 190A 動作電圧 1.9V 熱の 動作温度 15~35 波長温度係数 0.28nm/

半導体レーザー. ところで， 図5 の例では，すべてGaAsでできています。. このような構造では，pn接合層すなわち活性層で発光した光が，隣接するクラッド層（n型GaAs層とp型GaAs層）に吸収されてしまい，発光効率が落ちてしまいます。. 活性層で発光した光を ...

緑色の波長で発振する半導体レーザー。GaN（窒化ガリウム）系半導体材料の製造技術の進歩により青色半導体レーザーが実用化されたが、可視光中で緑色の半導体レーザーのみが実現できておらず、グリーンギャップと呼ばれていた。 。なお、レーザーポインターなどに用いられている緑色 ...

6 太陽電池のための 半導体デバイス入門（上級編） 太陽電池は、pn接合ダイオードという半導体デバイスが基本です。そのため、 太陽電池をきちんと理解するには、半導体デバイスの基礎知識が必要になります。ここでは、第5章で取り上げたバンド描像による半導体物性の基礎知識を生かして、

日亜化学工業（徳島県阿南市）が半導体レーザー（LD）増産に向け建設していた新しい生産棟が完成した。本格稼働は2020年2月ごろを予定。LDは ...

3．半導体レーザの構造設計 半導体レーザの大出力化には光の閉じ込めとキャリ アの閉じ込めをいかに効率よく行うかが重要な鍵とな る．また，レーザのビーム形状はシステムのレンズ設 計等に大きくかかわってくる重要な特性であるため，

パルスとCW方式での溶接性の違いをご紹介しています。CW（連続発振）工法は、YAGよりもビーム品質の優れたファイバーレーザーで行います。しかしスポット溶接の分野では、ピークパワーを得られるYAGレーザー溶接機が、『加工特性 ...

半導体レーザーと応用技術の修得 第三技術室システム制御技術班 岡井善四郎) はじめに 半導体レーザーは半導体エレクトロニクスの急展開と、コンパクトディスクの登場で、一躍世に 知られる存在になってきている 。

図1.1 にレーザ ー照明・ディスプレイに関する商品化の状況（横軸は必要光出力）を示す。最初に実用化さ れたレーザーTV は赤色および青色は半導体レーザー、緑色は半導体レーザーの波長変換、

2．半導体ナノ結晶発光材料の開発、発光物性の評価 （環境に優しい発光デバイスの実現に向けて） 半導体ナノ粒子は、高発光効率・サイズによる発光波長の制御性から次世代の発光材料として注目されています。特にSiナノ結晶は、無害で地殻中に豊富に存在する材料であり、量子サイズ効果 ...

2020年02月19日. ISO9001：2015の認証を取得しました。. 2020年02月06日. SPIE Photonics West 2020 (San Francisco)にて900nm帯ブロードストライプLDの世界最高効率動作について発表を行ないました。. 【 Highly efficient 9xx-nm band single emitter laser diodes optimized for high output power operation 】.

青紫色半導体レーザ（青紫色レーザ）. 発振波長が410nm前後の半導体レーザのこと。. Blu-ray Discといった光ディスクの光源に使われるほか，照明光源やディスプレイの光源などへの展開も期待される。. 日亜化学工業やソニー，三洋電機，. シャープなどが製品 ...

レーザーは普通の光とは大きく異なります。ここではレーザーの原理、波長により異なる特性について説明しています。「マーキング学習塾」は、レーザーの原理・仕組みや印字・加工の用途、安全管理・規格など、レーザーマーキングの活用情報を学べるサイトです。

紫外線を高効率で発光できる半導体材料の開発 －高密度光記録技術や高性能な白色光源への応用に期待－ English ポイント 酸化亜鉛にマグネシウムを混合することにより、紫外線の発光波長を短波長側に変化させると同時に発光効率を ...

高出力ファイバレーザの光回路の基本構成 図3は、高出力ファイバレーザの光回路の基本構成です。 光回路は、 ①励起部 、 ②共振器部 、 ③ビームデリバリ部 と大きく3つに分かれています。 ①励起部 は、励起用半導体レーザ（LD）から出たレーザ光を、光ファイバで励起光コンバイナに伝搬 ...

加工用レーザは、従来から使用されているガスレーザ、固体レーザから小型、高効率、優れたビーム品質、動作条件の自由度が高いファイバレーザへの置き換えが進んでいる。ファイバレーザには、種光になる高品質な半導体レーザが必要で、QDレーザの超短パルスDFBレーザは優れた光パルス ...

高出力青色半導体レーザ 高効率の青いレーザ光 高出力青色半導体レーザLDMblueは 青色波長450nm により銅や金のレーザ加工に革命をもたらします。 また、その他の高反射金属材料加工にも最適です。

半導体レーザー励起固体レーザー 124 4.3.1 固体レーザー発振の基本特性 124 4.3.2 固体レーザーに特徴的な構成 ... スロープ効率 110,127 接着リッジ導波路 211 セラミックスの配向現象 78 セラミックレーザー 58 遷移 15 遷移強度 40 ...

レーザ光源(半導体レーザー)やtunable filterなど光技術を必要とするあらゆる分野のお客様に高品質な光製品をご提供する,光伸光学工業が取扱う製品を紹介しています.半導体レーザ光源シ リーズは,チューナブルフィルタ(BPF)を応用した

半導体レーザは、従来のレーザ機器より優れた性能を持ち、電子・通信機器、自動運転分野、検査・加工機器などさまざまな領域で実用化が進められている。なかでも量子ドットを実装した半導体レーザは、消費電力、伝達効率性、高温度へ

付録 A1 準3準位レーザのレーザパラメータ計算 / p105 A1-1 準3準位レート方程式 / p106 A1-2 励起条件及び共振器内光子数 / p107 A1-3 小信号利得 / p108 A1-4 レーザ出力 / p110 A1-5 発振閾値 / p110 A1-6 スロープ効率 / p112

レーザダイオード励起Nd：YAGレーザ 23 この2段レーザ発振器の外観を図6に示す。3kWの出力 を2個の励起モジュールによって達成できたことは，レーザ発 振器の小型化にとって重要な結果である。また，20%以上の 効率が得られたこと ...

2．量子カスケードレーザの特徴 図2に典型的な三つのサブバンドからなる量子カスケードレーザの活性領域の伝導帯 におけるバンド図を示す。発振波長はE3-E2 で決定され、E2-E1 は電子を高速緩和させる ために多くの場合、LO フォノンのエネルギーに共鳴（35～40meV）するように設計される。

半導体レーザは、レーザ発振を起こすための光共振器を、半導体材料で構成したものです。図4に、半導体レーザの模式図を示します。図の黒丸は電子、白丸はホールを表し、活性領域で再結合を起こし誘導放出を生じます。結晶のへき開

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レーザ専門商社の草分けとして1968年から 研究・開発者のニーズにお応えしてきた日本レーザー 半導体の電荷キャリアダイナミクスはウェハ材料の性質と品質を直接反映します。この特性を明らかにするため、光励起された電子と正孔の拡散長の正確かつ効率的な測定することが不可欠です。

同成果は、産総研 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリの王学論ラボチーム長、同・熊谷直人チーム付、同・山田永ラボ